54. Перепрограммируемое пзу.
2 стр-ры:
1) запись с пом. эл. сигн.
2) запись и стирание с пом. эл. сигн.
1)
|
2) Тр-р сделан на основе эффекта Фаулера-Нордтейма
|
55. Ассоциативное Запоминающее устройство.
ЗУ в к-ых произв-ся поиск инф-ии не по адресу, а по признакам самост. инф-ии или по др. критериям, связанным с этой инф-ией наз. АЗУ.
Критерии поиска
- на рав-во
- наибол. по знач-ю число
- наим. числа, находящиеся в задан. Пределах
|
|
эл-т сложения по модулю 2
Методы ассоциатив. поиска
простые: пар-но по словам, посл-но по разрядам, полностью пар-но
сложные: упоряд. поиск идет по некот. алгоритму
56. Программируемая логическая матрица.
ПЛМ - комб. схема, к-ую м. прогр-ть под себя: реализует схему булевых ф-ций, представленных в МДНФ
Пять входных, четыре выходных сигнала:
x1 |
x2 |
x3 |
x4 |
x5 |
F |
y1 |
y2 |
y3 |
y4 |
0 |
1 |
X |
1 |
1 |
F1 |
1 |
0 |
1 |
0 |
1 |
X |
1 |
0 |
X |
F2 |
1 |
1 |
0 |
0 |
1 |
0 |
0 |
1 |
0 |
F3 |
0 |
1 |
0 |
0 |
0 |
0 |
1 |
X |
X |
F4 |
0 |
1 |
1 |
0 |
1 |
0 |
1 |
0 |
1 |
F5 |
0 |
0 |
0 |
1 |
X |
0 |
0 |
1 |
0 |
F6 |
1 |
0 |
1 |
1 |
0 |
1 |
1 |
0 |
0 |
F7 |
0 |
1 |
0 |
1 |
0 |
1 |
1 |
0 |
1 |
F8 |
0 |
1 |
0 |
0 |
y4=F5+F6+F7=
М1 содержит j эл-ов «И» n-входовых, М2 содержит m-выходовых j-входовых «1» эл-ов.
ПЛМ программируется также: в процессе изготовления, однократно по заявке заказчика и многократно (с возможностью перезаписи информации).
57. Специализированные большие интегральные схемы (классификация методов проектирования сбис).
Технология очень дорогая. Они имеют постоянную структуру на 50%. На самом последнем этапе, все делается под заказчика. Создание СБИС зависит от мастера.
58. Особенности конструкций бмк.
БМК - Базовый Матричный Кристалл. Базовый – т.к. все элементы, за искл. слоев коммутации, явл пост и не зависят от реализуемой схемы. Матричный – т.к. простейшие эл-ты расположены на кристалле в узлах прямоугольной решетки.
Конструкция:
1. канальная структура: где м/у столбцами каналы для трассировки, ПЯ- периферийная ячейка, БЯ- базовая ячейка, КП – контактная площадка. Основной недостаток – 50-60% на каналы
2. бесканальная структура – плотноупакованная. Улучшено быстродействие, задержка на кристалле становится меньше.
3. с функционально-законченными эл-ми - явл компромиссом м/у канальной и бесканальной структурой, выделяется место для функциональных (постоянных эл-ов).
