
- •41. Уравнения Эберса-Молла
- •42. Статические вах биполярного транзистора в схеме с общей базой
- •43.Статистические входные и выходные вольт-амперные характеристики биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером. Транзистор в схеме с общим эмиттером
- •44.Отличия реальных вольт-амперных харак-к биполярного транзистора от идеализированных. Эффект модуляции ширины базы (Эффект Эрли)
- •45. Зависимость коэффициента передачи тока транзистора от тока или
- •46. Эффект оттеснения токов к краю эмиттера. Эффект Кирка.
- •47. Предельные напряжения биполярных транзисторов
- •49. Малосигнальные параметры биполярных транзисторов и эквивалентная т-образная схема замещения транзистора
- •50. Формальная эквивалентная схема транзистора как четырехполюсника. H-параметры
- •51. Физические предпосылки и инерционности работы биполярных транзисторов в схеме с общей базой.
- •52. Физические предпосылки и инерционности работы биполярных транзисторов в схеме с общим эмиттером.
- •53. Анализ переходных процессов в биполярном транзисторе
- •54. Анализ переходных процессов в биполярном транзисторе
- •55. Частотные характеристики транзистора в схеме с общей базой
- •56. Частотные характеристики транзистора в схеме с общим эмиттером.
- •57. Учёт влияния эмиттерной и коллекторной цепей на частотные свойства биполярного транзистора
- •58. Структура и принцип работы динисторов. Вах динистора
- •59. Структура, принцип работы тиристора и вольт-амперная и пусковая харак-ки.
- •60. Температурные зависимости вольт-амперной харак-ки тиристора.Особенности управления тиристорами, входная харак-ка. Входная характеристика тиристора
- •61. Переходные процессы переключения тиристоров. Эффекты dI/dt и dU/dt. Переходные процессы в тиристорах
60. Температурные зависимости вольт-амперной харак-ки тиристора.Особенности управления тиристорами, входная харак-ка. Входная характеристика тиристора
Рис. 16.8. Цепь управления тиристором (
- распределённое сопротивление базовой
области)
При
,
то есть при закр-ом тиристоре входная
ВАХ имеет вид обычного p-n
перехода, а именно эмиттер J3
послед-но с которым соединено омическое
.
Падение на нём опред-ет линеаризацию
крутизны харак-ки в области повышенных
токов по сравнению с экспонентой.
Рис. 16.9. Входная ВАХ тиристора.
При открытом
тиристоре через переход J3
протекает ток
,
который обычно намного превышает ток
управления, поэтому падение напряжения
на J3
возрастает. При этом, так как
опред-ся лишь внешней цепью и от тока
не зависит (у открытого тиристора), то
при
переход J3
выступает для входной цепи как источник
напряжения. При этом при полож-ом
ток
может быть как полож-ым, так и отриц-ым.
Это зависит от соотношения напряжения
внешнего управления и
- падения напряжения на J3,
создаваемого током
.
При вкл-ии тиристора переход от одной
харак-ки к другой осущ-ся скачком.
Рис. 16.10. Переход между входными ВАХ тиристора при включении.
Отметим влияние на работу открытого тиристора. Отриц-ый ток управления выводит дырки из p2. В результате концентрация неравновесных дырок в p2 – умень-ся, что приводит к умень-ю прямого напряжения на переходе J3 и к умень-ю инжекции им электронов. Это приводит к умень-ю концентрации неравновесных электронов в базе n1, а след-но и к умень-ю прямого напряжения на переходе J1. Умень-е концентрации неравновесных носителей в обоих базах приводит и к умень-ю прямого напряжения на переходе J2. При достаточно большом концентрация неравновесных носителей в базах станет настолько малой, что переход J2 начнёт закр-ся. На нём появиться обратное напряжение, что приводит к умень-ю прямых напряжений на J1 и J3, то есть тиристор лавинообразно закр-ся. Однако такая возможность закрывания тиристора по цепи управления сущ-ет только для некоторых типов приборов, обычно маломощных. Большинство тиристоров выключить по цепи управления невозможно. Так как база p2 достаточно тонкая (десятки мкм), а площадь тиристорной структуры имеет порядок см2, то величина поперечного сопротивления базового слоя p2 составляет сотни Ом. Учитывая распределённый характер , эквивалентную схему замещения входной цепи можно представить в виде – рис.16.11.
Рис. 16.11. Эквивалентную схему замещения входной цепи тиристора.
- составляющие
сопротивления
,
p-n
переходы заменяют переход J3.
С увел-ем управл-его тока
внешние напряжение
гасится на части распределенного
сопротивления базы вблизи контакта
базы, то есть область эмиттерного
перехода J3
около контакта будет закрыв-ся и ток
через неё не протекает, а области
удалённые от контакта будут открыты.
Причём увел-е
ограничено напряжением пробоя J3.
Этот пробой наблюд-ся около базового
контакта, так как величина
во включённом состоянии опред-ся внешней
цепью, то запирание части J3
величину
почти не изменит, а приведёт лишь к
увеличению плотности тока. В области
удалённой от базового контакта это
приводит к перегреву. Поэтому подавляющее
большинство тиристоров по электроду
управления лишь вкл-ся, а выкл-е идёт по
анодной цепи. Температурные
зависимости ВАХ тиристора .С
ростом температуры в полупроводниках:
1) резко экспоненциально увел-ся
концентрация неосновных носителей
тока; 2) умень-ся подвижность носителей;
3) увел-ся напряжение лавинного пробоя
;
4) по 1-ой причине возрастает время жизни
носителей, так как возрастает вероятность
заполнения центров рекомбинации
носителями. Если
,
то при увел-ии темпер-ы, за счёт роста
тока
и суммы
напряжение переключения умень-ся.
Рис.16.12. Зависимость ВАХ тиристора от температуры при сильной зависимости в области малых токов
Однако реальные
структуры тиристора рассчит-ся таким
образом, что
,
то есть имеет слабую зависимость
в области малых токов. Тогда с ростом
темпер-ы,
возрастает за счёт увел-я
.
И лишь при выс. Темпер-ах,
и
- возрастает настолько, что рост
не может компенсировать умень-е
.
Рис.16.13.
Зависимость выходной ВАХ реальных
тиристоров от температуры