
- •41. Уравнения Эберса-Молла
- •42. Статические вах биполярного транзистора в схеме с общей базой
- •43.Статистические входные и выходные вольт-амперные характеристики биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером. Транзистор в схеме с общим эмиттером
- •44.Отличия реальных вольт-амперных харак-к биполярного транзистора от идеализированных. Эффект модуляции ширины базы (Эффект Эрли)
- •45. Зависимость коэффициента передачи тока транзистора от тока или
- •46. Эффект оттеснения токов к краю эмиттера. Эффект Кирка.
- •47. Предельные напряжения биполярных транзисторов
- •49. Малосигнальные параметры биполярных транзисторов и эквивалентная т-образная схема замещения транзистора
- •50. Формальная эквивалентная схема транзистора как четырехполюсника. H-параметры
- •51. Физические предпосылки и инерционности работы биполярных транзисторов в схеме с общей базой.
- •52. Физические предпосылки и инерционности работы биполярных транзисторов в схеме с общим эмиттером.
- •53. Анализ переходных процессов в биполярном транзисторе
- •54. Анализ переходных процессов в биполярном транзисторе
- •55. Частотные характеристики транзистора в схеме с общей базой
- •56. Частотные характеристики транзистора в схеме с общим эмиттером.
- •57. Учёт влияния эмиттерной и коллекторной цепей на частотные свойства биполярного транзистора
- •58. Структура и принцип работы динисторов. Вах динистора
- •59. Структура, принцип работы тиристора и вольт-амперная и пусковая харак-ки.
- •60. Температурные зависимости вольт-амперной харак-ки тиристора.Особенности управления тиристорами, входная харак-ка. Входная характеристика тиристора
- •61. Переходные процессы переключения тиристоров. Эффекты dI/dt и dU/dt. Переходные процессы в тиристорах
59. Структура, принцип работы тиристора и вольт-амперная и пусковая харак-ки.
Тиристоры-ключевой полупроводниковый прибор, имеющий 3 или более p-n переходов, обладающий лишь 2-мя устойчивыми состояниями.
1) низкой проводимости – тиристор закрыт или выключен;
2) высокой проводимости – открыт или включен.
Разработаны первые образцы – в конце 50-ых годов. В тиристорах вводится 3-й слой, так называемый «управляющий» электрод, который присоед-ся к тонкой базе.
Рис. 16.1. Токи в структуре тиристора
- внешнее сопротивление
для ограничения тока управления.
- источник
управляющего напряжения. При
все процессы в тиристоре точно такие
же, как и в динисторе, такая же и ВАХ.
Рис. 16.2. ВАХ тиристора при прямом смещении.
При
он вводит в базу p2
дырки, которые подсмещают J3
в прямом направлении. В результате J3
увеличивает инжекцию электронов и ток
возрастает. Часть из инжектированных
электронов идёт на компенсацию дырок
тока управления, а большая часть доходит
до J2
и увеличивает его ток. Это вызывает
увеличение
и так далее. Полный ток через переход
J2
оказывается равен
.
С другой стороны
;
.
,
таким образом в анодном токе тиристора
появл-ся доп-ая составляющая
.
Это, во-первых,
приводит к увел-ю начального тока
тиристора. Во-вторых, уже на начальном
участке ВАХ за счёт протекания доп-ого
тока
через переход J3
начальное значение
оказыв-ся повышенным (так как увел-ся
).
Поэтому равенство
выполн-ся при меньшем
,
то есть тиристор перекл-ся при меньшем
напряжении. При некотором
начальное
стремится к 1. Поэтому равенство
выполн-ся сразу же после начального
увеличения
,
то есть токи
и
сразу же смещают J2
в прямом направлении. Участок закр-ого
состояния тиристора на прямой ВАХ
исчезает. Харак-ка прибл-ся к ВАХ прямой
ветви p-n
перехода. Набл-ся так называемое
спрямление ВАХ тиристора. Соответствующий
этому режиму ток
называют током управления спрямления
ВАХ -
.
Положительный ток влияет и на обратную ВАХ тиристора. Как было показано, при обратном напряжении переходы J1 и J3 смещаются в обратном направлении, а J2 – в прямом. Полож-ый , вводя в базу p2 дырки, ещё больше смещает J2 в прямом направлении. В результате J2 инжектирует дырки в базу n1, а электроны в базу p2. Эти носители явл-ся в этих областях неосновными неравновесными носителями, увеличивающими обратные токи запертных переходов J1 и J3 , а следовательно и обратный ток через структуру.
Рис. 16.3. ВАХ тиристора при обратном смещении.
может быть не только полож-ый, но и отриц-ый. Входная цепь в этом случае имеет вид.
Рис. 16.4. Отрицательный ток управления тиристора (прямое анодное напряжение, тиристор закрыт)
Пусть
- прямое напряжение, а тиристор находится
в закрытом состоянии. При этом J1
– открыт, J2
– закрыт. При
переход J2
тоже открыт. Но в этой схеме источник
запирает эмиттерный переход J3,
а ток
отводит дырки из базы p2.
При закрытом J3
тиристорная струк-ра превращается в
транзистор p1-n1-p2
типа со свободной базой n1.
Этот транзистор включён последовательно
с
и пит-сяя напряжением
.
При малых
ток управления
будет отводить весь ток из базы p2
и этот ток будет определяться как
сквозной ток p1-n1-p2
транзистора в схеме со свободной базой.
То есть в этом случае:
.
При этом запирающее напряжение на
эмиттерном переходе
.
С ростом
ток
будет увел-ся за счёт роста тока
и
,
при этом
будет умень-ся. При этом рабочая точка
обычно заходит на участок пробоя
коллекторного перехода J2,
где
и резко увел-ся при приближении
к
.
При некотором
;
и при дальнейшем увеличении
падение напряжения на
превышает
и эмиттерный переход J3
– открыв-ся, появл-ся сильная полож-ая
обратная связь между внутренними токами
структуры. Тиристор вкл-ся. Чем больше
отриц-ое
,
тем больший ток
необходим для его компенсации, тем
сильнее должно быть лавинное умножение
в переходе J2,
то есть тем больше
при котором отпирается тиристор.
Рис. 16.5. Влияние отрицательного тока управления на прямую ВАХ тиристора.
На обратную ветвь
ВАХ
почти не влияет, так как J1
и J3
уже заперты анодным напряжением, и
приводит лишь к большему запиранию J3.
Пусковая
характеристика тиристора
Возможны два вида пусковой характеристики:
1. Если в тиристоре
и
- сильно зависят от тока в области малых
токов, то уже при
тиристор перекл-ся при
.
В этом случае ток
- сильно влияет на величину
и
быстро умень-ся с ростом
– кривая 1 на рис. 16.5. Для увеличения
до
необходимо подавать
.
Как уже отмечалось, такие приборы имеют
мало воспроизводимые
и сильную зависимость этого напряжения
от температуры.
Рис. 16.6. Пусковая характеристика тиристора.
2. В реальных
тиристорах в области малых токов
и
- слабо зависят от тока, поэтому
переключение тиристора при
возможно лишь за счёт лавинного умножения
в коллекторном переходе. Условие
переключения:
.
При
и при токах
,
то есть переключении возможно лишь при
,
а значит, когда
.
Поэтому при начальном увел-ии
и
хотя и увел-ся и переключение происходит
при меньшем токе
,
но
остаётся равным
.
Рис. 16.7. ВАХ тиристора при прямом смещении.
Необходим повышенный
ток управления, при котором сумма
,
то есть переключение происходит при
.
Обозначим этот ток как
.
При дальнейшем увеличении
:
,
- начинает резко зависеть от тока и
резко уменьшается – кривая 2 на рис.16.5.