- •Введение
- •1. Общие вопросы электромагнитной совместимости. Основные понятия и определения
- •1.1. Понятие электромагнитной совместимости
- •1.2. Электромагнитные влияния, помехоустойчивость, помехоподавление
- •1.3. Уровни электромагнитных помех
- •1.5. Учет пути передачи помех или связи между источником и приемником помех
- •1.6. Экономические аспекты электромагнитной совместимости
- •1.7. Европейский рынок средств электромагнитной совместимости
- •1.8. Цели и основное содержание работ в области электромагнитной совместимости
- •Вопросы для самоподготовки
- •2. Нормирование электромагнитных полей
- •2.1. Нормы и рекомендации по электромагнитной совместимости
- •2.2. Санитарно-гигиеническое нормирование электромагнитных полей
- •Допустимые уровни напряжённости магнитного и электрического полей
- •2.3. Допустимые уровни и степени радиопомех
- •2.4. Классификация электромагнитной обстановки окружающей среды электротехнических и энергетических установок
- •Классификация электромагнитной обстановки окружающей среды по импульсным помехам
- •2.5. Нормы и степени жесткости основных видов испытаний на помехоустойчивость устройств электростанций и подстанций
- •Степени жесткости и нормируемые уровни испытаний при воздействии магнитным полем промышленной частоты
- •Степени жесткости и нормируемые уровни испытаний при воздействии импульсным магнитным полем
- •Степени жесткости и нормируемые уровни испытаний при воздействии затухающим колебательным магнитным поле
- •Степени жесткости и нормируемые уровни испытаний при воздействии импульсом напряжения 1/50 мкс (1,2/50 мкс)
- •Степени жесткости и нормируемые уровни испытаний при воздействии радиочастотным электромагнитным полем в диапазоне частот от 80 до 1000 мГц
- •Степени жесткости и нормируемые уровни испытаний при воздействии радиочастотным электромагнитным полем в диапазоне частот от 800 до 960 мГц и от 1,4 до 2 гГц
- •Примеры степеней жесткости испытаний и соответствующих защитных расстояний
- •Степени жесткости испытаний в полосе частот от 150 кГц до 80 мГц
- •Степени жесткости испытаний на помехоустойчивость при воздействии длительных помех постоянного тока и на частоте 50 Гц
- •Степени жесткости испытаний на помехоустойчивость при воздействии кратковременных помех постоянного тока и на частоте 50 Гц
- •Степени жесткости испытаний на помехоустойчивость при воздействии длительных помех в полосе частот от 15 Гц до 150 кГц
- •2.6. Нормирование кондуктивных помех в виде показателей качества электрической энергии
- •Нормы пкэ и допустимые погрешности их измерения
- •Значения коэффициента искажения синусоидальности кривой напряжения
- •Значение коэффициента n-й гармонической составляющей напряжения
- •Значения коммутационных импульсных напряжений
- •Характеристики временных перенапряжений
- •Вопросы для самоподготовки
- •3. Источники и влияние электромагнитных полей
- •3.1. Виды источников электромагнитных полей
- •3.2. Общая классификация источников электромагнитных полей
- •3.3. Источники и влияние узкополосных электромагнитных полей
- •3.3.1. Влияние линий электропередачи в виде узкополосного источника электромагнитных полей
- •3.3.2. Влияние генераторов высокой частоты
- •3.3.3. Влияние радиоприемников, компьютеров, вычислительных систем и коммутационных устройств
- •3.4. Источники и влияние широкополосных электромагнитных полей
- •3.4.1. Влияние воздушных линий высокого напряжения
- •3.4.2. Влияние газоразрядных ламп
- •3.4.3. Источники и влияние электромагнитных полей в городах
- •Вопросы для самоподготовки
- •4. Источники электромагнитных помех в электроэнергетике
- •4.1. Классификация источников электромагнитных помех в энергетических установках и средствах автоматизации
- •4.2. Грозовой разряд как внешний источник электромагнитных помех
- •Характеристики воздействия молнии на объекты
- •4.3. Внутренние источники электромагнитных помех
- •4.4. Электротехнические электромагнитные помехи
- •Приблизительные значения напряженностей магнитного поля промышленной частоты на энергетических и промышленных предприятиях
- •Характерные напряженности электрического поля в промышленных условиях
- •Характерные напряженности электрического поля электротехнических установок
- •4.5. Электромагнитные помехи в системах автоматики, в линиях связи и передачи данных
- •Вопросы для самоподготовки
- •5. Биологическое влияние электромагнитного поля на человека и окружающую среду
- •5.1. Общие положения
- •5.2. Биологическое влияние электромагнитного поля линий электропередачи
- •5.3. Биологическое влияние источников электромагнитных полей в жилых помещениях
- •Уровни электрических и магнитных полей промышленной частоты 50 Гц от различных электроприборов
- •Распространение магнитного поля промышленной частоты от бытовых электрических приборов (выше уровня 0,2 мкТл)
- •5.4. Источники и характеристики электромагнитных полей на рабочем месте с компьютером и их воздействие на человека
- •5.5. Биологическое воздействие сотовой радиотелефонной связи
- •Краткие технические характеристики стандартов системы сотовой радиосвязи, действующих в России
- •Вопросы для самоподготовки
- •6. Помехоустойчивость чувствительных элементов в устройствах электроэнергетики
- •6.1. Общие положения
- •Импульсные напряжения пробоя внутренней или перекрытия внешней изоляции электротехнических установок напряжением до 1000 в и электронных приборов
- •Помехоустойчивость некоторых устройств автоматики и вычислительной техники при воздействии магнитного поля частотой 50 Гц
- •Значения допустимых напряжений статического электричества, приводящих к повреждению полупроводниковых элементов
- •6.2. Помехоустойчивость устройств автоматизации
- •Виды испытательных помех при испытаниях на внешнюю помехоустойчивость
- •6.3. Требования к помехоустойчивости
- •Рекомендации по обеспечению помехоустойчивости приборов в зависимости от вида помех и мест установки приборов
- •Вопросы для самоподготовки
- •7. Мероприятия по защите от влияния электромагнитных полей и обеспечение электромагнитной совместимости
- •7.1. Мероприятия по защите от влияния электромагнитных полей линий электропередачи
- •7.2. Основные мероприятия по обеспечению электромагнитной совместимости в энергетических установках и устройствах автоматизации
- •7.3. Мероприятия по обеспечению электромагнитной совместимости в системах электропитания
- •7.5. Повышение электромагнитной совместимости устройств автоматизации с помощью заземляющих устройств
- •7.6. Мероприятия по снижению влияния разрядов статического электричества
- •7.7. Мероприятия по снижению влияния электромагнитного излучения
- •7.8. Организационные мероприятия по обеспечению электромагнитной совместимости
- •Вопросы для самоподготовки
- •Библиографический список
- •Оглавление
- •1. Общие вопросы электромагнитной совместимости. Основные понятия и определения 5
- •2. Нормирование электромагнитных полей 33
- •Электромагнитная совместимость в электроэнергетике (источники электромагнитных полей и их влияние)
- •443100, Г. Самара, ул. Молодогвардейская, 244. Главный корпус
- •443100, Г. Самара, ул. Молодогвардейская, 244, корпус №8
1.3. Уровни электромагнитных помех
Для целенаправленного планирования мероприятий по обеспечению электромагнитной совместимости должны быть известны:
электромагнитная обстановка, характеризующаяся амплитудными и частотными спектрами напряжений и токов источников помех, напряженностью поля;
механизм связи и ее количественная оценка в виде коэффициентов затухания или передаточных функций;
восприимчивость или чувствительность приемника помех, характеризующаяся пороговыми значениями помех в функции о частоты или времени.
Для количественной оценки электромагнитной совместимости пользуются логарифмическими масштабами напряжений, токов, напряженностей электрического или магнитного поля, мощностей в относительных единицах, что позволяет наглядно представить соотношения величин, отличающихся на много порядков.
Различают два вида логарифма отношений – уровень и степень передачи.
Уровни определяют отношение величины, например, напряжения Uх к постоянному базовому значению напряжения U0., которое часто задается в единицах: U0 = 1 мкВ и т.д..
Степень передачи определяется отношением входных и выходных величин системы и служат характеристикой ее передаточных свойств. Она представляет собой логарифмы обратных значений коэффициентов передачи, например, коэффициентов затухания мощности, ослабления за счет экранирования, снижения противофазной помехи по отношению к синфазной.
С применением десятичного логарифма log10 = lg определяют, например, следующие величины, дБ:
а) напряжение:
UдБ = 20 1g(Ux/U0), где U0 = 1 мкВ; (1.4)
б) ток:
IдБ = 20 1g(Ix/I0), где I0 = 1 мкА; (1.5)
в) напряженность электрического поля:
ЕдБ = 20 1g(Еx/Е0), где Е0 = 1 мкВ/м; (1.6)
г) напряженность магнитного поля:
НдБ = 20 1g(Нx/Н0), где Н0 = 1 мкА/м; (1.7)
д) мощность:
РдБ = 20 1g(Рx/Р0), где Р0 = 1 нВт. (1.8)
Для напряжения, тока и напряженности поля нижеприведенные значения уровней соответствуют следующим отношениям:
3 дБ = ; 6 дБ = 2; 20 дБ = 10; 120 дБ = 106;
для мощности:
10 дБ =10.
Вышеуказанные уровни были определены с применением постоянной базовой величины и поэтому обобщенно называются абсолютными уровнями. Они характеризуют значения конкретных величин. Чтобы подчеркнуть, что величина является базовой в ее обозначение, помимо дБ вводятся дополнительные индексы мкВ, мкА, например, дБмкВ, дБмкА и т.д.
Подобно тому, как при использовании десятичного логарифма lg были образованы отношения величин в децибелах (дБ) при помощи натурального логарифма ln можно образовать отношение величин в неперах (Hn):
1 Hn = е = (Ux/U0).
Между непером и децибелом существуют соотношения:
1n(Ux/U0), Hn = 201g(Ux/U0), Дб, (1.9)
или
1 Нn = 8,686 дБ; 1 дБ = 0,115 Hn.
Так, для отношений величин в неперах и децибелах существуют следующие равенства:
10 : 1 = 2,3 Нn = 20 дБ,
100 : 1 = 4,6 Нn = 40 дБ,
1000 : 1 = 6,9 Нn = 60 дБ.
При помощи натурального логарифма можно образовать отношения величин, т.е. помех, в неперах (Hn):
UHn = 1n(Ux/U0); IHn = 1n(Ix/I0); РHn = 1n(Рx/Р0).
При обоих представлениях определенный уровень повышается на соответствующую одинаковую величину с каждым следующим порядком. Обозначения дБ или Нn указывают исключительно на вид использованной функции логарифма: десятичного lg или натурального ln.
В целом, в электромагнитной совместимости среди уровней помех различают абсолютный и относительный уровни.
Абсолютный уровень определяется для ряда значений: уровень помех, пороговое значение помехи, уровень полезного сигнала, отнесенных к определенной базовой величине (например, мкВ). При этом, уровень помех это относительное значение помехи к уровню полезного сигнала (верхний предел допустимых уровней помех определяют установленные в стандартах предельные (допустимые) значения помех); пороговое значение помехи это наименьшее относительное значение полезного сигнала, превышение которого в месте приема воспринимается как помеха; уровень полезного сигнала это относительное 100%-ное значение полезного сигнала.
Пример соотношений уровней полезного сигнала и помехи в зависимости от частоты приведен на рис. 1.10.
Относительный уровень определяется в виде интервала как разность уровней. При этом интервал помех это разность между уровнями полезного сигнала и порогового значения помехи, исчисляемый так же, как логарифм отношения значения полезного сигнала и порогового значения помехи; интервал допустимых помех это разность между пороговым значением помехи и значением помехи, исчисляемая так же, как логарифм отношения порогового и действующего значения помех.
Р и с.1.10. Пример отношений полезного сигнала и помехи в зависимости от частоты f
Для аналоговых сигналов часто довольствуются интервалом помех, большим или равным 40 дБ (тогда погрешности остаются меньшими 1%), для радио и телевидения достаточными считаются значения между 30 и 60 дБ, для телефонии – приблизительно 10 дБ.
Точные значения интервала помех в отдельных случаях следует брать из соответствующих действующих норм.
В противоположность аналоговым системам обработки сигналов, в которых определение порогового значения помехи, в соответствии с требованиями к качеству (помехоустойчивости) может, очевидно, являться предметом договоренности, цифровые системы отличаются тем, что их работа при значении помех ниже порогового, зависимого от принятой серии микросхем, вообще не нарушается, а выше порогового значения нарушается наверняка.
При этом следует еще различать статическую и динамическую помехоустойчивость. Если время действия помехи меньше времени срабатывания, то допустимы более высокие уровни помех, чем при статической нагрузке.
Для электрической сети из-за сильной связи источников помех пытаются устанавливать так называемые уровни совместимости, которые с учетом суммарного воздействия нарушителей гарантируют достаточную электромагнитную совместимость в электроэнергетической системе, включая и электромагнитную совместимость по кондуктивным помехам, которая определяется как качество электроэнергии [3,4].
Так как максимальное значение сетевых помех может быть определено только статистическими методами оценки, а соблюдение абсолютной электромагнитной совместимости, руководствуясь этим максимальным уровнем, экономически было бы невыполнимо, уровень совместимости располагается в интервале между максимумами плотностей вероятности (рис. 1.11).
Р и с.1.11. Уровень совместимости для определенной помехи
Например, графически совместимости располагают так, чтобы этот интервал с определенной вероятностью (95%) не был превзойден и чтобы помехоустойчивость элемента сети или прибора принципиально была выше этого уровня.
1.4. ЭМС – номограмма
Распространение импульсных помех, их затухание вдоль пути распространения, а также их влияющее воздействие на различные места подверженной помехе системы могут быть описаны непосредственно во временной или частотной областях. В частотной области при аналитическом решении часто пользуются так называемой ЭМС – номограммой (номограммой электромагнитной совместимости), т.е. графической реализацией преобразования Фурье.
ЭМС – номограмма служит для:
графического определения огибающей (наихудший случай) плотности распределения амплитуд заданного импульса помехи стандартной формы (графическое преобразование «временная область – частотная область");
синтеза формы импульса, эквивалентного помехе, из заданного спектра помехи (графическое обратное преобразование «частотная область – временная область");
учета частотозависимых передаточных свойств путей связи, средств помехозащиты и т. п.
Переход из временной в частотную область. При помощи преобразования Фурье для трапецеидального импульса, как показано на рис. 1.12, «физическая» плотность распределения амплитуд импульса определяется по выражению:
. (1.10)
При трапецеидальный импульс преображается в прямоугольный, а при – в треугольный. Таким образом, трапецеидальный импульс включает большую часть встречающихся на практике мешающих импульсов.
Р и с.1.12. Трапецеидальный импульс
Последующий анализ основывается на аппроксимации огибающей плотности распределения амплитудной плотности, например, трапецеидального импульса тремя отрезками прямой (рис. 1.13).
Р и с.1.13. Огибающая «физической» плотности распределения амплитуд трапецеидального импульса (линейная аппроксимация):
fн – нижняя; fв – верхняя сопрягающая частоты
Низкочастотный диапазон: . При низких частотах функция синуса приблизительно равна своему аргументу, так что огибающая оказывается параллельной оси абсцисс и определяется выражением:
. (1.11)
Плотность распределения амплитуд гармоник, дБ, зависит исключительно от площади импульса, а не от его формы, амплитуды или выбранной частоты, и определяется по выражению:
, (1.12)
где .
Среднечастотный диапазон: . Предположим, что числитель (наихудший случай) и частное ввиду того, что sinx = x тоже равно 1. Тогда получим:
. (1.13)
Плотность распределения амплитуд гармоник, дБ, пропорциональна 1/f и поэтому спадает прямолинейно с крутизной 20 дБ/декада:
. (1.14)
Высокочастотный диапазон . Предположим, что и (наихудший случай). Тогда получим:
(1.15)
или
. (1.16)
Плотность распределения амплитуд гармоник, дБ, пропорциональна 1/f2 и поэтому спадает прямолинейно с крутизной 40 дБ/декада и определяется по выражению:
. (1.17)
Для любых трапецеидальных и треугольных импульсов с параметрами Um, и огибающая плотности распределения амплитуд при помощи вышеприведенных уравнений может быть представлена в двойном логарифмическом масштабе, как показано на рис. 1.14.
Р и с.1.14. Амплитудные плотности прямоугольного, трапецеидального и треугольного импульсов (для последнего: fн =fв)
Сопрягающие частоты получаются путем приравнивания значений функции в точках пересечения отрезков прямых.
Первая сопрягающая частота определяется из выражения:
, (1.18)
где .
Вторая сопрягающая частота определяется из выражения:
, (1.19)
где .
Переход из частотной во временную область. Заданный спектр аппроксимируется тремя соответствующими отрезками прямой. При этом при графическом определении огибающей плотности распределения амплитуд весьма целесообразным является применение графиков с двойным логарифмическим масштабом с заранее изображенными пучками параллельных линий, идущих под уклоном 20 и 40 дБ, как, например, показано на рис. 1.15.
Р и с.1.15. ЭМС-номограмма:
– – – – линии с наклоном 20 дБ; линии с наклоном 40 дБ;
– ломаная линия – измеренная спектральная плотность - ;
– сплошная линия – расчетная спектральная плотность -
Искомые характеристики: площади импульса – , плотности амплитуд импульса – Um, крутизны фронта – , длительности импульса – , времени нарастания – получают с помощью функций преобразования.
Площадь импульса – определяется (на основании формулы (1.12) по выражению:
, , (1.20)
Плотность амплитуд импульса – Um определяется (на основании – 1.14) по выражению:
, , В, (1.21)
где – уровень напряжения при нижней сопрягающей частоте.
Крутизна фронта – определяется (на основании – 1.17) по выражению:
, , В/с, (1.22)
где – уровень напряжения при верхней сопрягающей частоте. Для прямоугольных и треугольных импульсов справедливо равенство fв =fн .
Длительность импульса – определяется по выражению:
, (1.23)
а время нарастания – определяется по выражению:
, (1.24)
Обе величины зависят от сопрягающих частот.
Например, по рис. 1.16 можно определить параметры импульса спектра треугольного импульса, которые, в частности, составляют:
площадь импульса – , ;
– плотность амплитуды импульса – , В;
крутизна фронта – , В/нс;
длительность импульса – , мкс;
время нарастания (от 0 до 100%) – , мкс.