
- •Часть вторая
- •Основные показатели амплитудных детекторов
- •Коэффициент передачи последовательного ад на диоде в режиме сильного сигнала
- •Входное сопротивление последовательного ад на диоде в режиме сильного сигнала
- •Нелинейные искажения при детектировании am сигнала
- •Искажения сигнала, образованные инерционностью нагрузки детектора
- •Искажения сигнала, вызванные переходной цепочкой
- •2.5. Расчетное задание
- •2.6. Экспериментальная часть
- •2.8. Контрольные вопросы
Входное сопротивление последовательного ад на диоде в режиме сильного сигнала
Для оценки входного сопротивления АД необходимо выделить из тока, протекающего через диод, составляющую Iω0 на частоте ω0, При идеальном диоде
(18)
Тогда при малых углах θ входное сопротивление АД составит
(19)
Выражение (19) используют на практике для оценки входного сопротивления АД на вакуумных или на полупроводниковых диодах, если (Ri)ОБР >> RН.
При рассмотрении влияния (Ri)ОБР на RВХ следует оценить амплитуду тока первой гармоники, учитывая величину и разнополярность импульсов прямого и обратного тока, протекающего через диод. При этом можно показать, что при малых углах θ
(19)́
Проанализируем зависимость RВХ(RН). При RH=0 угол отсечки θ= π/2, поэтому, как следует из (18),
и
(20)
При RH→∞ из (19') вытекает, что RВХ→(Ri)ОБР/3. Таким образом, с увеличением сопротивления нагрузки величина входного сопротивления АД возрастает от RBX=2/S при RH = 0 до значения (Ri)ОБР/3 при RH→∞. Физически это объясняется тем, что источник сигнала шунтируется диодом, который открыт только часть периода входного сигнала, равную 2θ. При увеличении величины RH уменьшается угол отсечки от π/2 до значений, близких к нулю. Это приводит к уменьшению амплитуды тока первой гармоники, протекающей через диод, следовательно, к возрастанию величины RBX.
В общем случае при рассмотрении входного сопротивления АД следует учитывать и реактивную составляющую.
Эта составляющая обусловлена емкостью р-n перехода диода паразитной емкостью монтажа. Она невелика и составляет единицы пикофарад, однако может привести к смещению резонансной кривой входного контура АД.
Нелинейные искажения при детектировании am сигнала
Нелинейные искажения при детектировании "сильного" сигнала могут быть вызваны инерционностью нагрузки детектора и переходной цепочкой RC, соединяющей детектор с усилителем низкой частоты.
Искажения сигнала, образованные инерционностью нагрузки детектора
Пусть на вход АД поступает однотональное AM колебание (рис. 3).
При положительной полуволне входного напряжения диод детектора открывается и конденсатор СH заряжается (например, при первой положительной полуволна на рис. 3, а, б конденсатор СH заряжается на интервале времени [t1 ÷ t2]).
Рис. 3.
а - к оценке нелинейных искажений сигнала, вызванных
инерционностью нагрузки; б - фрагмент М из рис. 3,
а в увеличенном масштабе; в - напряжение на выходе амплитудного детектора
(отфильтрованы высокочастотные пульсации)
Когда напряжение на входе детектора становится меньше напряжения, до которого зарядился конденсатор (интервал [t2 ÷ t3]), диод закрывается и конденсатор СH разряжается через резистор RH. Если постоянная времени τН = RHCН большая, то напряжение UС может сказаться большим, чем напряжение UВХ в течение нескольких периодов входного напряжения (интервал времени [t3; t4] на рис. 3, а и в). В этом случае напряжение на выходе АД не успевает следить за изменениями огибающей входного напряжения, и искажается форма напряжения на выходе детектора (возникают искажения сигнала).
На рис. 3, в показаны диаграммы напряжения на выходе АД при отсутствии искажений (штриховая кривая) и при искажениях формы напряжения на выходе из-за больших τН (сплошная кривая). Искажения проявляются в том, что на интервале времени [t3÷t4] напряжение UВХ изменяется не по косинусоидальному закону, а по экспоненциальному.
Условие отсутствия искажений за счет инерционности нагрузки следующее: скорость разряда конденсатора СH должна быть больше скорости спадания напряжения огибающей в любой точке Аi, соответствующей началу разряда конденсатора. Т.е. на интервалах времени, где убывает огибающая, должно выполняться неравенство
(21)
Неравенство (21) приводится к виду
(22)
Согласно неравенству (22) постоянная времени нагрузки τН АД должна быть тем меньше, чем больше высшая частота модуляции Ω и коэффициент модуляции m. Физически это объясняется тем, что при малой частоте Ω огибающая UОГ меняется медленно, конденсатор СН успевает разряжаться и следит за изменениями UОГ; при малых m UОГ изменяется в меньших пределах и конденсатор также успевает разряжаться.