Выполнение операции "Считывание";

1. При поступлении сигналов СО и КОП в БМУ запускается схе­ма синхронизации, генерирующая последовательность управляющих сигналов YI ; Y4; Y5 ; Y2 ; Y0 для режима чтения.

Рис5.4. Временная диаграмма работы ОЗУ типа 2D

2. В первом такте по сигналу Y1 код адреса с ША поступает в РгА и расшифровывается схемой ДшА.

3. Во втором такте сигнал Y4 разрешает запуск ФтА. Сигналом Y4, поступающим с выхода ДшА, запускается ФтА. На адресной линии накопителя появляется импульс заданной амплитуды и длитель­ности. Происходит выбор ячейки памяти.

4. В следующем такте сигналом Y5 открываются входы усилителей считывания (УС) и сигна­лом Y2 разрешается запись в РгД.

Информационные слово из выбранной ячейки памяти по разряд­ным линиям считывания поступает на УС, где происходит усиление разрядных импульсов слова. С выхода УС слово поступает в РгД. Так как ФтР в этом режиме закрыт, информационное слово с выхода РгД снимается на ШД и поступает в процессор.

5. Режим чтения завершается установкой схемы БМУ в исходное состояние по Y0.

ОЗУ типа 2D являются быстродействующими и достаточно удобными для реализации. Однако они неэкономичны по объему обо­рудования из-за наличия в них сложного дешифратора с 2^K вы­ходами, где К - разрядность адреса. В настоящее время струк­тура типа 2D используется в основном в ЗУ небольшой емкости.

Озу типа 3d

Организация ОЗУ типа 3D обеспечивает трехкоординатную выборку каждого запоминающего элемента (ЗЭ). Основу запомина­ющего массива составляют плоские матрицы (рис. 5.6).

К аждая мат­рица содержит одноименные ЗЭ. Количество ЗЭ в матрице равно количеству слов в массиве. Считается, что матрица хранит одно­именный разряд всех слов. Матрицы в массиве располагаются друг эа другом в порядке возрастания веса разряда в слове. Их коли­чество эквивалентно количеству разрядов в слове. При такой орга­низации запоминающего массива ячейка памяти имеет пространствен­ную структуру - "пронизывает" плоские матрицы (рис. 5.5).

Р ис 5.5. Структура ОЗУ типа 3D для К слов разрядностью n

Рис 5.6. Матрица элементов i-го разряда ОЗУ типа 3D

Для адресной выборки ЗЭ используются две координаты X и Y. В матрице для этого имеются адресные линии, на пересечении ко­торых располагаются ЗЭ. Разрядные линии записи и считывания про­ходят через все одноименные ЗЭ матрицы и обеспечивают соответ­ственно запись или считывание бита информации, выбранного ЭП. Для полупроводниковых ОЗУ характерно объединение разрядных ли­ний в одну линию. Объединение матриц в массив осуществляется последовательным соединением адресных линий всех матриц.

Рис. 5.7. Структура ОЗУ типа 3D

Структура ОЗУ типа 3D и его составные части показаны на рис. 5.7. Алгоритм функционирования аналогичен алгоритму ОЗУ 2D. Отличие лишь в том, что ФтА формируют импульсы по двум адресным линиям X и Y. На пересечении этих линий сформированными то­ками (импульсами) осуществляется выбор ячейки памяти. Код адре­са представлен старшей и младшей частями для координат X и Y.

Диаграмма работы ОЗУ в отличие от диаграммы ОЗУ типа 2D вместо одного адресного импульса имеет два.

Запоминающие устройства типа 3D более экономичны, чем ЗУ типа 2D . Они имеют более простые адресные формирователи, позволяющие строить ОЗУ большего объема, чем структура 2D. Одна­ко полупроводниковые ЗЭ с тремя входами, используемыми при за­писи, не всегда удается реализовать.