- •Предисловие
- •Условные обозначения
- •Список сокращений
- •Введение
- •Контрольные вопросы и задания
- •Глава 1 СТРУКТУРА И СВОЙСТВА ТВЕРДЫХ ТЕЛ
- •1.1. Равновесное расположение частиц в кристалле
- •1.2. Идеальные кристаллы. Решетки Бравэ
- •1.3. Нормальные колебания решетки. Фононы
- •1.4. Структура реальных кристаллов
- •1.5. Структурозависимые свойства
- •1.6. Жидкие кристаллы
- •1.7. Аморфное состояние
- •Контрольные вопросы и задания
- •Глава 2 ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ КВАНТОВОЙ МЕХАНИКИ
- •2.1. Волновые свойства микрочастиц
- •2.2. Уравнение Шредингера. Волновая функция
- •2.3. Свободный электрон. Фазовая и групповая скорости
- •2.4. Электрон в потенциальной яме
- •2.5. Туннелирование микрочастиц сквозь потенциальный барьер
- •2.6. Квантовый гармонический осциллятор
- •2.7. Водородоподобный атом. Постулат Паули
- •Контрольные вопросы и задания
- •ГЛАВА 3 ЭЛЕМЕНТЫ СТАТИСТИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ
- •3.1. Термодинамическое и статистическое описание коллектива. Функция распределения
- •3.3. Функция распределения Максвелла-Больцмана Химический потенциал
- •3.4. Функция распределения Ферми-Дирака. Энергия Ферми
- •3.5. Функция распределения Бозе-Эйнштейна
- •Контрольные вопросы и задания
- •ГЛАВА 4 ЭЛЕМЕНТЫ ЗОННОЙ ТЕОРИИ ТВЕРДЫХ ТЕЛ
- •4.1. Обобществление электронов в кристалле
- •4.3. Зоны Бриллюэна
- •4.4. Эффективная масса электрона
- •4.6. Примесные уровни
- •Контрольные вопросы и задания
- •Глава 5 ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ ТВЕРДЫХ ТЕЛ
- •5.1. Проводимость и подвижность носителей
- •5.2. Механизмы рассеяния и подвижность носителей
- •5.4. Электропроводность полупроводников
- •5.5. Электропроводность металлов и сплавов
- •5.6. Сверхпроводимость
- •5.7. Основы теории Бардина – Купера – Шриффера
- •5.8. Эффекты Джозефсона
- •Контрольные вопросы и задания
- •Глава 6 РАВНОВЕСНЫЕ И НЕРАВНОВЕСНЫЕ НОСИТЕЛИ ЗАРЯДА
- •6.1. Генерация и рекомбинация неравновесных носителей. Время жизни
- •6.2. Уравнения непрерывности
- •6.3. Фотоэлектрические явления в полупроводниках
- •6.4. Полупроводники в сильном электрическом поле
- •6.6. Эффект Ганна
- •Контрольные вопросы и задания
- •Глава 7 Контактные явления
- •7.1. Работа выхода электрона. Контакт металл – металл
- •7.2. Контакт металл – полупроводник
- •7.3. Электронно-дырочный переход
- •7.4. Выпрямляющее действие p-n–перехода. Пробой
- •7.5. Гетеропереходы
- •7.6. Эффект Зеебека
- •7.7. Эффект Пельтье
- •7.8. Фотоэффект в p-n–переходе. Фотодиоды
- •7.9. Излучательные процессы в p-n–переходе. Светодиоды
- •7.10. Инжекционные полупроводниковые лазеры
- •Контрольные вопросы и задания
- •Глава 8 ПОВЕРХНОСТНЫЕ ЯВЛЕНИЯ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ
- •8.1. Поверхностные энергетические состояния
- •8.2. Зонная диаграмма и заряд в приповерхностном слое
- •8.3. Поверхностная проводимость
- •8.4. Эффект поля. Полевые транзисторы
- •8.5. Влияние состояния поверхности на работу полупроводниковых приборов
- •Контрольные вопросы и задания
- •9.1. Структура и свойства тонких пленок
- •9.2. Контакт металл-диэлектрик. M-Д-M–структура
- •9.3. Туннелирование сквозь тонкую диэлектрическую пленку
- •9.4. Токи надбарьерной инжекции электронов
- •9.5. Токи, ограниченные пространственным зарядом
- •9.6. Прохождение горячих электронов сквозь тонкие металлические пленки
- •9.7. Активные устройства на основе тонкопленочных структур
- •Контрольные вопросы и задания
- •Глава 10 ПЕРСПЕКТИВЫ РАЗВИТИЯ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ
- •10.1. Ограничения интегральной электроники
- •10.2. Функциональная электроника
- •10.3. Системы пониженной размерности. Наноэлектроника
- •10.4. Квантовые одно- и двумерные структуры
- •10.5. Квантовые точки. Одноэлектроника
- •Контрольные вопросы и задания
- •Заключение
- •Приложения
- •П.1. Фундаментальные физические постоянные
- •П.2. Свойства полупроводников
- •П.3. Некоторые единицы системы СИ
- •П.4. Внесистемные единицы, допускаемые к применению
- •П.5. Плотность некоторых твердых тел
- •Библиографический список
- •АЛФАВИТНО-Предметный указатель
- •ОГЛАВЛЕНИЕ
3.5. Функция распределения Бозе-Эйнштейна
Функция распределения для вырожденного газа бозонов называется функцией Бозе-Эйнштейна и имеет вид
|
|
E Б |
|
1 |
|
||
fБ |
exp |
|
|
1 |
. |
(3.30) |
|
|
|||||||
|
|
|
kt |
|
|
|
В условиях равновесия бозоны имеют минимум свободной энергии.
Поэтому их химический потенциал Б dUdn 0 .
Наиболее важными представителями класса бозонов при решении задач данного курса являются фотоны и фононы. Их энергия зависит от частоты Е = hν, поэтому выражение (3.30) можно записать в виде
|
|
h |
|
1 |
|
||
fÁ |
exp |
|
|
1 |
. |
(3.31) |
|
|
|||||||
|
|
kT |
|
|
|
С учетом вышесказанного можно записать выражение для полной функции
N ( )d |
8 2d |
|
h |
1 |
. |
(3.32) |
||
3 |
exp |
|
|
1 |
||||
|
ñ |
|
kT |
|
||||
|
|
|
Графики функции распределения (3.31), а также полной функции распределения (3.32) показаны на рис. 3.5.
а) |
|
б) |
|
Рис. 3.5. Графики функций распределения Бозе-Эйнштейна: а – функция распределения; б – полная функция распределения
Как видно из графиков, с понижением температуры число бозонов с малыми энергиями уменьшается, уменьшается также общее число частиц.
71
Для функции Бозе-Эйнштейна также возможно снятие вырождения, если экспонента много больше единицы
exp |
E Á |
1. |
(3.33) |
||
|
|
|
|||
|
kT |
|
|
|
Однако это справедливо не для любых бозонов. Как уже отмечалось, для фотонов и фононов μБ = 0, следовательно, эти системы всегда являются вырожденными.
В заключение проведем сравнение трех рассмотренных статистик. Классические микрочастицы в принципе различимы, квантовые – нет. Отличие фермионов от бозонов заключается в том, что к ним применим принцип Паули.
На рис. 3.6 приведены графики всех трех функций распределения.
Рис. 3.6. Графики функций распределения Максвелла-Больцмана (fМ), Ферми-Дирака (fФ) и Бозе-Эйнштейна (fБ)
На графиках видно, что значения функций распределения для малых энергий сильно отличаются, но при больших значениях энергии квантовые статистики переходят в классическую статистику МаксвеллаБольцмана. Применение классической статистики оказывается допустимым, поскольку в каждом состоянии оказывается в среднем меньше одной частицы. Из сказанного можно сделать вывод о возможности замены в определенных условиях квантовых функций на классическую функцию распределения.
Контрольные вопросы и задания
1.1.Чем отличается термодинамический подход к описанию коллектива?
1.2.В чем смысл первого начала термодинамики?
72
1.3.Дайте понятие термодинамической системы.
1.4.Сформулируйте второе начало термодинамики.
1.5.Что такое энтропия?
1.6.Сформулируйте условия термодинамического равновесия гетерогенной (гомогенной) системы.
1.7.Определите понятие химического потенциала.
1.8.В чем сущность статистического способа описания?
1.9.Дайте определение полной функции распределения.
1.10.Дайте определение функции распределения
2.1.В чем различие классических и квантовых частиц?
2.2.Что называют фермионом?
2.3.Что называют бозоном?
2.4.Какие системы называют вырожденными?
2.5.Каков критерий вырожденности?
2.6.Определите плотность состояний для электронов проводника в
интервале 3,2...3,5 эВ.
3.1.Запишите выражение функции Максвелла-Больцмана.
3.2.Определите вероятность нахождения α-частицы в интервале от
5,0 до 5,5 эВ при комнатной температуре, если концентрация составляет 106 см-3.
3.3.Какие параметры оказывают влияние на величину химического потенциала?
3.4.Нарисуйте и опишите графики функции распределения Макс- велла-Больцмана.
3.5.Запишите выражение для N(υx).
4.1.Запишите выражение функции Ф-Д.
4.2.Приведите график функции Ф-Д для Т = 0.
4.3.Как влияет температура на поведение фермионов?
4.4.Рассчитайте число электронов в чипе полупроводника V = 1 мм3 в диапазоне 1,0...1,2 эВ (Т = 0).
4.5.Дайте понятие уровня Ферми.
4.6. Определите энергию Ферми для электронов, если Т = 0,
n = 1022 см-3.
4.7.Определите среднюю энергию электронов для предыдущей задачи.
73
4.8.Приведите условие снятия вырождения функции ФермиДирака.
4.9.В чем различие поведения невырожденного и вырожденного электронного газа?
5.1.Что представляет собой функция Бозе-Эйнштейна?
5.2.Приведите графики функции распределения.
5.3.Запишите функции распределения для фотонов.
5.4.Запишите функции распределения для фононов.
74