![](/user_photo/2706_HbeT2.jpg)
- •2.Основные физические понятия и принципы работы лазеров.
- •3.Спонтанное и индуцированное излучение и их сво-ва.
- •4.Поглощение.Коэффициенты поглощения.
- •5.Вероятности переходов. Коэффициенты Энштейна.
- •6.Принцип работы лазеров.Оптическая накачка, скорость накачки. Активная среда.
- •7.Коэффициент усиления и условие самовозбуждения генератора. Порог генерации.
- •8. Излучение в резонаторе. Модовая структура поля.
- •9.Дисперсия и коэффициент поглощения.
- •10. Интегральные коэффициенты Эйнштейна.
- •11. Форма и ширина спектральной линии.
- •12. Время жизни возбужденных состояний. Безызлучательная релаксация.
- •13. Механизмы уширения линии. Естественное время жизни и ширина спектра спонтанного излучения.
- •14. Однородное уширение спектральной линии. Профиль однородного уширения линии.
- •15.Неоднородное уширение и контур линии поглощения
- •16. Насыщение в двухуровневой системе.
- •17.Насыщение поглощения при однородном уширении.
- •18.Насыщение поглощения при неоднородном уширении.
- •19. Лазеры на основе конденсированных сред. Общая хар-ка. И св-ва.
- •20. Режимы работы твердотельных лазеров.
- •21.Лазер на рубине. Принцип действия и генерационные характеристики.
- •22. Полупроводниковые лазеры на гетероструктурах и их генерационные характеристики.
- •23: Лазер на итрий-алюминиевом гранате (иаг). Структура энергетических уровней и генерационные характеристики.
- •24. Полупроводниковые лазеры. Принцип действия, типы полупроводниковых лазеров. Спектральные и генерационные характеристики.
- •25. Лазер на александрите. Структура энергетических уровней и генерационные характеристики.
- •26.Лазеры на красителях.
- •27.Ге́лий-нео́новый ла́зер.
- •28.Ионные газовые лазеры.Схема энергетических состояний и механизм получения инверсии в ионизированном аргоне.
- •29.Лазеры на парах металлов.Общая характеристика и принцип действия гелий-кадмиевого лазера.Генерационные параметры.
- •30.Лазер на парах меди.
- •31. Молекулярные лазеры. Общая характеристика и типы молекулярных лазеров. Со2-лазер. Устройство и генерационные параметры.
- •32. Молекулярные лазеры ультрафиолетового диапазона. N2-лазер.
- •33. Эксимерные лазеры. Механизм образования инверсии и генерационные параметры эксимерных лазеров на галогенидах инертных газов.
- •35.Газодинамические лазеры. Принцип действия и генерационные параметры.
- •36.Оптические резонаторы, их виды и свойства.
- •37.Добротность и потери резонатора, число возбужденных мод. Модовые конфигурации резонатора.
- •38.Обобщенный сферический резонатор.
- •39.Дисперсионные резонаторы и их характеристики.
- •40.Неустойчивые резонаторы. Коэф. Увеличения и потерь резонатора.
- •41.Симметрический и телескопии-ческий неустойчивые резонаторы.
- •42.Химичечкие лазеры их типы и генерацион. Параметры.
- •43. Лазеры на свободных электронах и их свойства.
- •45. Теория лазера. Пороговые условия генерации. Стационарный режим.
- •46. Теория лазера. Модулированная добротность. Нестационарный режим генерации.
- •48.Режим синхронизации мод. Активная и пассивная синхронизация мод.
21.Лазер на рубине. Принцип действия и генерационные характеристики.
Этот лазер работает
преимущественно в импульсном режиме и
генерирует излучение на длине волны
ʎ=0,6943 мкм. Рубиновый кристалл состоит
из молекул оксида алюминия
в его решетке вместо некоторых ионов
внедрены ионы хрома
.
Вынужденное излучение происходит при
переходах в электронной оболочке 3d
ионов
.
Под действием оптической накачки
электроны из основного состояния 1
(уровень 4
)
переходят в полосу поглощения 3 (
),
из которой энергия за счет быстрой
безызлучательной релаксации (время
релаксации примерно
)
переносится на метастабильный уровень
2 (2E,
время жизни 2-4 с), являющийся верхним
лазерным уровнем. Лазерный переход
2→4.
Как верхний, так
и нижний лазерные уровни в действительности
представляют собой два близко расположенных
уровня, которые при комнатной температуре
почти одинаково заселены. Однако этого
достаточно для того, чтобы лазер излучал
линию на
длине волны ʎ=0,
694 мкм. Особенности рубинового лазера:
нижний лазерный уровень соответствует
основному состоянию и тем самым сильно
заселен. Для создания инверсии
заселенностей необходимо возбудить по
меньшей мере половину ионов
,
для этого необходимы высокие мощности
накачки. Пороговая энергия в импульсном
режиме достигает 45 Дж. Излучение накачки
создается мощными стержневыми ксеноновыми
лампами с несколькими эллиптическими
отражателями или спиральными лампами.
При энергии накачки 200-
Дж мощность лазерного излучения достигает
10-500 кВт при длительности импульсов
0,1-1 мс и до 100 Вт при непрерывном режиме
работы, КПД составляет меньше 1%. Излучение
рубинового лазера характеризуется
большой мощностью при невысоком качестве
излучения. Рубиновый лазер имеет выходные
параметры: 1)в режиме модуляции добротности
его мощность в одиночном гигантском
импульсе длительностью 10-20 нс составляет
10-50 МВт; 2) в режиме синхронизации мод
пиковая мощность в импульсе длительностью
≈10 пс равна нескольким ГВт.
22. Полупроводниковые лазеры на гетероструктурах и их генерационные характеристики.
Лазер на р—n-переходе представляет собой полупроводниковый диод, у которого две плоскопараллельные поверхности, перпендикулярные р—n-переходу,
образуют оптический
резонатор (коэффициент отражения от
граней кристалла Полупроводниковый
лазер20—40%). Инверсия населённостей
достигается при большой плотности
прямого тока через диод. Для получения
достаточно интенсивной инжекции
применяют сильно легированные
полупроводники.
Инжекционные
лазеры на гетеропереходе представляют
собой, например, двусторонние
гетероструктуры.
а — лазер на гетеропереходе (двусторонняя гетероструктура), б — его энергетическая схема.
Активный слой (GaAs) заключён между двумя полупроводниковыми гетеропереходами (См. Полупроводниковый гетеропереход), один из которых (типа р—n) служит для инжекции электронов, а второй (типа р—р) отражает инжектированные электроны, препятствуя их диффузионному растеканию из активного слоя (электронное ограничение). При одинаковом токе накачки в активном слое гетероструктуры достигается большая концентрация электронно-дырочных пар и, следовательно, большее оптическое усиление, чем в П. л. На р—n-переходах. Другое преимущество гетероструктуры состоит в том, что образованный активным слоем диэлектрический волновод удерживает излучение, распространяющееся вдоль структуры, в пределах активного слоя (оптическое ограничение), благодаря чему оптическое усиление используется наиболее эффективно. Для П. л. на гетеропереходе необходимая плотность тока при Т = 300 К более чем в 10 раз ниже, чем у П. л. на р—n-переходе, что позволяет осуществить непрерывный режим генерации при температуре до 350 К.
П. л. инжекционного типа работают в импульсном режиме с выходной мощностью до 100 вт и в непрерывном режиме с мощностью более 10 вт (GaAs) в ближней инфракрасной (ИК) области (λ = 850 нм) и около 10 мвт (PbxSn1-xTe) в средней ИК области (λ = 10 мкм). Недостаток инжекционных лазеров — слабая направленность излучения, обусловленная малыми размерами излучающей области (большая дифракционная расходимость), и относительно широкий спектр генерации по сравнению с газовыми лазерами.