Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

TEM

.pdf
Скачиваний:
115
Добавлен:
27.03.2015
Размер:
12.35 Mб
Скачать
Рис. 6.12. Схема к рассмотрению размерных эффектов.

В упорядоченных сплавах или в кристаллах химических соединений возникает упорядоченное чередование в заселении узлов кристаллографической решетки. Поскольку атомный фактор является химически зависимым, то запрещенные рефлексы

могут проявляться на ДК. Например, NiAl имеет оцк структуру,

в которой, как мы уже

знаем, рефлексы типа 001, как и

все

другие

с

нечетными

h+k+l, являются

 

 

 

 

 

 

запрещенными.

 

Периодическое

и

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

попеременное

заполнение

же

узлов

 

 

 

 

 

 

решетки атомами Ni и Al приводит к

 

 

 

 

 

 

неполному подавлению этих рефлексов в

 

 

 

 

 

 

ДК.

Формально же с учетом периодичного

 

 

 

 

 

 

заполнения узлов, размер элементарной

 

 

 

 

 

 

ячейки увеличивается в двое, стало быть,

 

 

 

 

 

 

период

обратной

решетки

уменьшился

 

 

 

 

 

 

вдвое и рефлекс, который по параметру

 

 

Рис. 6.10. DF от рефлекса 002

 

 

 

решетки

 

соответствует

001

оцк

 

квантоворазмерной гетероструктуры

 

неупорядоченной решетки NiAl является,

 

GaAs/AlxGa1-xAs.

 

 

 

на

самом

 

деле,

002

рефлексом

 

 

 

 

 

 

упорядоченной решетки этого соединения.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

В приведенном примере «запрещенный» рефлекс

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

001 называют рефлексом суперрешетки.

 

 

 

 

 

 

 

Другой пример приведен на рис. 6.10, на

 

 

 

 

котором приведено DF изображение от 002

 

 

 

 

рефлекса от квантоворазмерной гетероструктуры

 

 

 

 

GaAs/AlxGa1-xAs. Рефлекс 002 в алмазоподобной

 

 

 

 

структуре (например, в Si) запрещен. В структуре

 

 

 

 

GaAs запрет снимается благодаря неполному

 

 

 

 

 

 

 

 

гашению из-за различной амплитуды рассеяния на

 

 

 

 

атомах Ga и As. В решетке AlxGa1-xAs различие

 

 

 

 

амплитуд fIII-fV возрастает благодаря тому, что

 

 

 

 

часть узлов заселяется атомами Al с еще большей

 

 

 

 

разницей в амплитуде рассеяния. Именно,

 

 

 

 

поэтому, в DF от рефлекса 002 слои

AlxGa1-xAs

 

 

Рис. 6.11. Дифракция от

 

 

 

 

выглядят ярче, чем слои GaAs.

 

 

 

 

 

многослойной структуры

 

 

 

Многослойные

структуры

с

малым

 

 

Si/Mo.

 

периодом могут давать наблюдаемую тонкую

 

 

 

 

структуру рефлексов, как изображено на рис. 6.11

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

для системы чередующихся слоев Si/Mo [19]. Тонкая

 

 

 

структура наблюдается вблизи прямого пучка. По

 

 

 

периоду

осцилляций

в

тонкой

структуре

можно

достаточно точно определить периодичность многослойной структуры в реальном пространстве.

Размерные эффекты в дифракции

Представим себе, что электронный пучок проходит через фольгу, содержащую

кристаллическое зерно в виде параллелепипеда с размерами ребер Nxax· Nyay· Nzaz, рис.6.12. Чтобы

вычислить амплитуды рефлексов от такого зерна, нужно просуммировать амплитуды (6.21) от каждой ячейки. Получим амплитуду g - рефлекса

61

Аg = [exp(2πikr)/r] ΣnFn exp(-2πiKRn) (6.35)

Поскольку K = g + s, то

Аg = [exp(2πikr)/r] ΣnFn exp[-2πi(g+sg)Rn] (6.36)

Поскольку Rn есть целое число, согласно (6.4а) и (6.11), то, заменяя sg на s,

Аg = [exp(2πikr)/r] ΣnFn exp[-2πisRn],

(6.37а)

где s вектор отклонения для рефлекса g. В приближении больших Nx, Ny, Nz, сумму можно заменить интегралом, тогда

 

Аg = [exp(2πikr)/(rVc)Fg crystal exp[-2πisRn]dV.

(6.37б)

 

 

 

Предполагая, что

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

s = ua*x+ va*y+ wa*z,

 

(6.38)

 

 

 

Rn = hax + kay + laz Æ R = xax + yay + zaz, (6.39)

 

 

мы можем записать

 

 

 

 

 

 

Аg = [exp(2πikr)/(rVc)] Fg 0С 0В 0А exp[-

 

 

 

 

2πi(ux+vy+wz)]dxdydz,

(6.40)

 

 

 

 

где А = Nxаx, и т.д. Поскольку,

 

 

 

 

0А exp(-2πiux)dx = [1 – exp(-2πiuA)]/(-2πiu) =

 

 

 

 

=[exp(-πiuA)/(πu)][exp(-πiuA)-exp(πiuA)]/(2i) =

 

 

 

= [exp(-πiuA)/(πu)] sin(πuA), то

 

(6.40)

Рис. 6.13. Схема,

Аg = [exp(2πikr)/(rVc)] Fg ·

 

 

 

 

· [sin(πAu)/(πu)] [sin(πBv)/(πv)]

 

 

иллюстрирующая

 

 

 

[sin(πCw)/(πw)]exp[iD]

 

(6.41)

 

 

появление рефлексов при

 

 

 

где D не существенный фазовый фактор. Выражение

s0.

(6.41) свидетельствует о том, что интенсивность |Аg|2

 

 

будет иметь не δ-образный вид, а распределена вокруг

 

 

 

 

 

центра рефлекса с тем большей шириной, чем

 

 

 

 

 

 

больше величина вектора отклонений s, рис.6.13.

 

 

 

Принимая во внимание, что

 

 

 

 

 

limbÆ0 [sin(bx)/x] = δ(x),

 

(6.42)

 

 

 

в частности, для тонкой пленки получаем

 

 

 

 

Ig ~ δ(x) δ(y) sin2(πszt)/(πsz)2,

 

(6.43)

 

 

 

где t = Nzaz – толщина пленки. Если длина стержня

 

 

 

s=0, то рефлекс будет иметь δ-образное

 

 

 

распределение

интенсивности,

т.е.

будет

 

 

 

присутствовать в ДК только, если сфера Эвальда

 

 

 

будет пересекать узел обратной решетки. Если s0,

 

 

 

то рефлекс будет присутствовать даже при

 

 

 

отклонении узла от сферы в пределах s ~ 1/t,

 

 

 

например, для наклоненного кристалла на угол φ

 

 

 

~ 2d/t, рис. 6.13. Следующие волны осцилляций по

 

 

 

(6.43) имеют ничтожную интенсивность и обычно

 

Рис. 6.14. Форма

 

не наблюдаются.

 

интенсивности,

 

 

низкоразмерных кристаллов и

Распределение

согласно

 

формы рефлексов.

 

(6.41), позволяет оценить форму и размеры малых

 

 

 

дифрагирующих включений в образце. На рис.

 

 

 

6.14 изображены примеры форм частиц и форм

 

 

 

узлов обратной решетки для этих частиц [20]. В

частности, если тонкие пластины преципитатов ориентированы тонкой стороной перпендикулярно пучку, то в направлении, перпендикуляром тонкой стороне

62

возникают линии, идущие от центров пятен. Примером может являться ДК «тяжи»

 

 

 

(streaks) на рис.

 

 

 

 

 

 

 

6.15,

 

 

 

соответствующ

 

 

 

ая выделению

 

 

 

тонкослойных

 

 

 

преципитатов

 

 

 

 

CrN,

 

 

б)

ориентированн

 

а)

 

 

 

 

ых

Рис.6.15. ДК от оцк-решетки α-Fe, содержащей преципиты CrN.

 

параллельно

Тяжи от {200} соответствуют малой толщине преципитатов.

плоскости

Запрещенные рефлексы 100 и крестообразные сателлиты (б) –

{100}

в

эффект стержней от тонкого слоя Fe3O4.

матрице

оцк-

решетки α-Fe [21]. В дополнение к тяжам, в ДК видны пятна в положении запрещенных рефлексов 100. Эти рефлексы соответствуют стержням, перпендикулярным сфере Эвальда, узлов 220 обратной решетки от тонкого слоя Fe3O4 c

гцк структурой. Крестообразные сателлиты вокруг 110 рефлексов – стержни 311 и 131 рефлексов Fe3O4.

Дополнение 6.1.

Таблица Д6.1. Некоторые правила отбора для дифракции в распространенных структурах.

Структура

Присутствуют

Структурный

Число атомов в

 

рефлексы

фактор, F

ячейке

Примитивная

Любые h,k,l

f

1

Объемоцентрир.

h+k+l=2n

2f

2

Гранецентрир.,

h,k и l все нечет.

4f

4

включая GaAs и

или все четн.

 

 

NaCl

 

 

 

Алмазоподоб.

Как гцк, но если

 

 

 

все четн. и

 

 

 

h+k+l4N, тогда

 

 

 

запрещены

 

2

Базоцентрирован.

h,k и l все нечетн.

2f

 

или все четн.

 

Примеры

Гексагональн.

 

 

h+k+l=3n с l

0

0001

плотноупаков.

нечетн.

 

0002

 

h+k+l=3n с l четн.

2f

 

h+k+l=3n±1 с l

f√3

01-11

 

нечетн.

 

01-10

 

h+k+l=3n±1 с l

f

 

четн.

 

 

63

Дополнение 6.2. Схемы дифракционных рефлексов для типичных кристаллов и ориентаций пучка электронов [2].

Рис. Д6.2.1. Четыре схемы стандартных дифракционных картин для оцк структуры.

64

Рис. Д6.2.2. Четыре схемы стандартных дифракционных картин для гцк структуры.

65

Рис.Д6.2.3. Шесть схем стандартных дифракционных картин для гпу структуры.

66

Лекция 7.

ЭЛЕМЕНТЫ ДИНАМИЧЕСКОЙ ТЕОРИИ ДИФРАКЦИИ.

Экстинкция. Колонковое приближение. Уравнения Хови-Уэлана. Решение уравнений Хови-Уэлана. Интенсивность прямого и дифрагированного пучков. Эффективный вектор отклонения. Лауэ зоны. Двойная дифракция. Дифракция в многофазных системах

Экстинкция

При рассмотрении амплитуды рассеяния в Л6 образец считался тонким, так, что потерями интенсивности в прямом и дифрагированном пучке пренебрегалось. Вместе с

тем, при увеличении толщины образца четкость ДК уменьшается,

а интенсивность

 

 

 

падает. Наиболее простое представление о динамических

 

 

 

эффектах можно получить, посмотрев на рис. 7.1.

 

 

 

Рассеяние на атомных плоскостях приводит к дифракции

 

 

 

и

выбыванию

дифрагированного

пучка

из

 

 

 

первоначального направления. Как будет показано ниже,

 

 

 

достаточно

небольшого количества

рассеивающих

 

 

 

плоскостей, чтобы прямая волна полностью перешла в

 

 

 

дифрагированную. Однако, дифрагированный пучок

 

 

 

имеет возможность вновь рассеяться и вернуться, таким

 

 

 

образом, в прямой пучок. Т.о., динамический эффект

 

 

 

состоит в непрерывном динамическом изменении

 

 

 

интенсивности, как прямого, так и обратного пучка, по

 

Рис. 7.1. Иллюстрация

к

мере прохождения образца. При отсутствии неупругих

динамическим

потерь этот

процесс,

называемый экстинкцией

и

эффектам.

иллюстрируемый на рис. 7.2, может продолжаться

 

 

 

многократно.

Возникает

подобие стоячих продольных

 

 

 

 

 

 

 

волн (биений) интенсивности с периодом равным

 

 

 

 

длине экстинкции, ξ0 для прямого пучка и

ξg для

 

 

 

 

дифрагированного с вектором g.

 

 

 

 

 

 

Динамическими эффектами можем пренебречь, если

 

 

 

 

толщина образца меньше длины экстинкции. Оценим

 

 

 

 

 

эту

длину

 

 

 

 

 

экстинкции.

 

 

 

 

 

Представим

 

 

 

 

 

себе

случай

 

 

 

 

 

брэгговского

 

 

 

 

 

рассеяния

 

 

 

 

 

плоскостями,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

перпендикуля

 

Рис. 7.2.

 

 

 

 

 

 

рными

Перераспределение

 

 

 

 

 

поверхности,

интенсивности между

 

 

 

 

рис.7.3

[16].

прямой и

 

Рис.7.3. Френелевское построение

 

Возмущение в

дифрагированной волнами

 

 

брэгговской отраженной волны.

некоторой

 

 

 

 

 

точке

Р

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

впереди волнового фронта CD будет определяться суммой парциальных амплитуд с

67

учетом разности фаз. Мысленно разделим плоский фронт CD на зоны Френеля, края

 

 

 

которых отличаются сдвигом фаз в 1800 (см.

 

 

 

 

 

 

рис.7.4а. [16] и, более подробно, -

Ландсберг,

 

 

 

Оптика). Вклады парциальных волн можно

 

 

 

просуммировать с помощью амплитудно-фазовой

 

 

 

диаграммы,

где

каждая

 

составляющая

 

 

 

представлена

вектором,

длина

которого

 

 

 

 

 

 

пропорциональна

амплитуде,

а

угол

с

 

 

 

направлением падающей волны равен разности

 

 

 

фаз. Амплитудно-фазовая диаграмма для такого

 

 

 

случая имеет форму спирали и показана на рис.

 

 

 

7.4б. Результирующая амплитуда рассеяния

 

 

 

 

 

 

сдвинута по фазе на 900 относительно

 

 

 

направления падающей волны и равна по

 

 

 

величине половине

составляющей

от

первой

 

 

 

полупериодной зоны. Представляя фронт в виде

Рис.7.4. Зоны Френеля - а) и б) -

пластины CD толщиной dx, амплитуда рассеяния

для единичной

амплитуды

падающего

пучка

амплитудно-фазовая диаграмма

будет равна

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

dψg = iλ(fpdx)exp (2πikr),

 

(7.1)

 

 

 

где fpdx – амплитуда рассеяния на единицу площади плоскости CD, а r – расстояние от точки Р до этой плоскости. В действительности, рассеивают элементарные ячейки на плоскости АВ, и если n – число элементарных ячеек на единицу площади на АВ, то

fpdx = (Fgn)/cosθ,

(7.2)

где Fg – структурный фактор (6.24) для рефлекса g. Таким образом,

dψg = iqexp (2πikr),

(7.3)

где q = nλ Fg/cosθ.

(7.4)

Физический смысл безразмерного параметра q – доля амплитуды первичного пучка, которая выбывает при дифракции на атомах плоскости АВ.

Радиус 1-й полупериодной зоны Френеля R =

 

 

 

(λr)1/2, рис.7.4а, и для r = 1см величина R

 

 

 

2·10-5 см, что весьма велико по сравнению с

 

 

 

 

 

 

 

 

раз

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

мер

 

 

 

 

 

 

 

 

ом

 

 

 

 

 

 

 

 

ато

 

 

 

 

 

 

 

 

ма,

 

 

 

 

 

 

 

 

т.е.

 

 

 

 

 

 

 

 

дис

Рис. 7.5. Вклады в дифрагированную

 

 

 

 

 

крет

волну от плоскостей, параллельных

 

 

 

 

 

ным

 

Рис. 7.6.

Амплитудно-фазовая

поверхности АВ.

 

хара

 

диаграмма вкладов плоскостей.

 

 

 

 

ктер

 

 

 

 

 

 

 

 

ом плоскости рассеяния, состоящей из атомов, можно пренебречь.

Для типичных рефлексов низкого порядка в металлах Fg 10-7 см, n 1015 см –2, λ 0.0037 нм для Е0=100 кэВ, и cosθ 1. Тогда q 4·10-2. Поэтому пучок должен пройти примерно только 25 плоскостей, чтобы все электроны претерпели дифракцию. Для сравнения – в случае рентгеновской дифракции число плоскостей должно быть ~104. Т.о. потерями интенсивности в электронной дифракции можно пренебречь только в случае очень тонких кристаллов.

68

Поскольку имеются отклонения от точных условий Брэгга, то необходимо учитывать разность фаз между составляющими от разных плоскостей. Разность фаз между составляющими от 1-й и m-й плоскостей равна -2πK’·rm, где rm взято вдоль k’, т.е. вдоль направления дифрагированного пучка, рис. 7.5 [16]. Т.к. каждая составляющая равна iq, амплитудно-фазовая диаграмма будет правильным многоугольником или (поскольку q мало) окружностью с максимальной амплитудой 2mq/π, рис.7.6 [16]. Число плоскостей, дающих вклад в формирование дифрагированного пучка единичной амплитуды, равно m = π/2q. Длина экстинкции ξg определяется как удвоенное соответствующее расстояние в кристалле, т.е.

ξg = πa/q,

(7.5)

где а – расстояние между плоскостями АВ. Подставляя выражение для q и положив n/a = 1/Vc, где Vc - объем элементарной ячейки, получаем

ξg = πVccosθ/(λFg)

(7.6)

Длина экстинкции служит мерой уменьшения интенсивности пучка с числом пройденных дифрагированным пучком слоев или с толщиной образца. Прямой пучок является частным случаем, соответствующим g = 0. Для отражений низкого порядка длина экстинкции составляет несколько десятков нм.

Колонковое приближение (column approximation)

В колонковом приближении выполняются большинство расчетов интенсивности

 

 

 

 

 

 

 

 

дифрагир

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ованного

 

 

 

 

 

 

 

 

пучка.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Оно

 

 

 

 

 

 

 

 

основыва

 

 

 

 

 

 

 

 

ется

на

 

 

 

 

 

 

 

 

том,

что

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

амплитуд

 

 

 

 

 

 

 

 

 

а

 

 

 

 

 

 

 

 

выходяще

 

 

 

 

 

 

 

 

й

из

 

Рис.7.7. Конус зон Френеля

 

 

 

 

 

 

образца

Рис. 7.8.

Схема колонкового

 

 

 

 

волны,

 

 

 

 

приближения

 

 

 

 

 

см.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

рис.7.7, определяется вкладом всех ячеек образца, лежащих в конусе с угловым раствором, определяемым несколькими зонами Френеля, диаметр которых, в свою

очередь, главным образом определяется длиной волны λ. Для первой зоны R = (λt)1/2, λ = 3.7 пм (Е0=100 кэВ), t = 100 нм, R 0.6 нм., а радиус области из нескольких зон ~ 2

нм. Т.о. раствор конуса мал, что дает основание для колонкового приближения, рис. 7.8.

Уравнения Хови-Уэлана

Разделив кристалл, имеющий n элементарных ячеек на единицу площади поверхности, на слои толщиной а, параллельные поверхности, и с учетом (7.4-7.6) для амплитуды дифрагированного пучка, обозначаемой здесь как φg, в приближении плоских волн получаем

φg = (πai/ξg) exp(2πikDr)exp(-2πiKrn),

(7.7)

где rn- означает позицию элементарной кристаллографической ячейки. Полная волновая функция есть суперпозиция прямого и дифрагированных пучков:

69

ψT = φ0exp(2πiχ0r) + φg1exp(2πiχg1r) + φg2exp(2πiχg2r) + …

(7.8)

с векторами χg1, χg2 и т.д. Вектор χ0 соответствует g = 0, т.е. началу координат обратной решетки. Ограничимся в последующем рассмотрении только одним дифрагирующим пучком помимо прямого, т.е. т.н. двухпучковым приближением, которое легко и часто реализуется в эксперименте: наклоняем кристалл так, что в ДК присутствует только один сильный рефлекс с вектором отклонения s =0. Все другие пучки слабы, т.е. s >> 0 либо <<0. Соответственно, в динамической картине перекачки интенсивности их вклад тоже будет мал. Тогда, разделив образец на слои толщиной dz, изменения амплитуд φg

и φ0

 

d φg = {(πi/ξ0)φg + (πi/ξg)φ0exp[2πi(χ0-χD) r] }dz

(7.9)

и

 

d φ0 = {(πi/ξ0)φ0 + (πi/ξg)φg exp[2πi(χD-χ0) r]}dz.

(7.10)

Первый член описывает вклад рассеяния в прямом направлении, а второй – вклад брэгговского рассеяния, а χ0-χD и χD-χ0 – соответствующее изменение волнового вектора. Длина экстинкции ξ0 соответствует рассеянию вдоль движения пучка, в том числе и дифрагированного

(IÆV, IIÆVI, рис.7.9), а ξg – рассеянию с изменением волнового вектора на g, (IÆIII, IIÆIV, рис.7.9). Уравнения

(7.9-10) могут быть преобразованы в систему динамически связанных уравнений для φ0 и φg. Вспоминая, что K = kD-k0 = (g + s) для идеального кристалла, а также в силу малости углов Брэгга, получаем:

d φg/dz = (πi/ξ0)φg + (πi/ξg)φ0exp(-2πisz) (7.11а) d φ0/dz = (πi/ξ0)φ0 + (πi/ξg)φg exp(2πisz). (7.11б)

Уравнения (7.10) называют уравнениями Хови – Уэлана

[22], а иногда Дарвина-Хови-Уэлана, поскольку Дарвин

[23] развил динамическую теорию для рентгеновских лучей еще в 1914.

Рис. 7.9. Динамическое

Делая подстановку,

 

φ0s = φ0exp(-πiz/ξ0)

(7.12а)

перерассеяние в 2-х

φgs = φgexp(2πisz -πiz/ξ0),

(7.12б)

пучковом

приближении.

уравнения (7.11) преобразуются к виду

 

 

dφgs/dz = (2πis)φgs + (πi/ξg)φ0s

(7.13а)

dφ0s/dz = (πi/ξg)φgs.

 

(7.13б)

Поскольку φ0 и φ0s, а также φg и φgs отличаются только фазовым фактором, который исчезает при вычислении интенсивностей, мы будем игнорировать различие. Тогда уравнения (7.13) могут быть скомбинированы и получено уравнение 2-го порядка для

φ0.

 

d2φ0/dz2 - 2πis dφ0/dz + (π2/ξg2)φ0 = 0.

(7.14)

Решение уравнений Хови-Уэлана

 

Решение уравнения (7.14) имеет вид

 

φ0 = С0exp(2πiγz).

(7.15)

Подставляя в (7.14), получаем алгебраическое уравнение

 

γ2 - sγ - 1/(4ξg2) = 0.

(7.16)

Поскольку φ0s и φgs, а следовательно и φ0 и φg, связаны уравнением (7.13), то, подставляя (7.15) в (7.13), имеем

φg = 2ξgγС0exp(2πiγz).

(7.17а)

Мы можем также как и в (7.15) ввести

70

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]