- •1. Уровни энергии электронов в кристалле.
- •2. Тепловая генерация электронно-дырочных пар
- •3. Энергия электронов в кристалле полупроводника
- •4. Проводимость полупроводников
- •5. Примесные полупроводники
- •6. Понятие о фононах
- •1. Концентрация носителей заряда в собственном полупроводнике
- •2. Концентрация носителей заряда
- •3. Электропроводность полупроводников
- •4. Эффект Холла
- •1. Собственное поглощение света при прямых переходах
- •2. Собственное поглощение света при непрямых переходах
- •3. Примесное поглощение света
- •4. Равновесные и неравновесные носители заряда
- •5. Механизмы рекомбинации
- •6. Поверхностная рекомбинация
- •7. Релаксация неравновесных носителей заряда
- •8. Фотопроводимость
- •1. Электронно-дырочный переход
- •2. Равновесное состояние р-n-перехода
- •3. Контактная разность потенциалов
- •4. Толщина р-n-перехода
- •5. Токи в равновесном р-n-переходе
- •8. Вольт-амперная характеристика р-n-перехода
- •9. Барьерная емкость р-n-перехода
- •10. Пробой р-n-перехода
- •1. Вырожденные полупроводники
- •2. Неравновесные носители заряда
- •3. Излучательная рекомбинация
- •4. Прямые и непрямые переходы
- •5. Поглощение и усиление света в полупроводниках
- •6. Принцип действия полупроводникового квантового генератора
- •7. Инжекционные полупроводниковый квантовый генератор
- •8. Зависимость мощности оптического
- •9.Спектр излучения
- •10. Расходимость излучения
2. Концентрация носителей заряда
в примесном полупроводнике n-типа
В примесном плупроводнике уровень Ферми смещается от середины запрещенной зоны так, чтобы обеспечивалось условие электронейтральности кристалла. Уравнение электронейтральности для примесного полупроводника с учетом перехода электронов из валентной зоны в зону проводимости имеет вид
no= +po (1.7)
В зависимости смещения EFи концентрации носителей заряда от температуры можно выделить три области: низких температур, истощения примеси и собственной проводимости.
В области низких температур средняя энергия тепловых колебаний кристаллической решетки kT << ΔEg, поэтому вероятность перехода электрона из валентной зоны в зону проводимости чрезвычайно мала. В то же время для возбуждения электронов донора требуется энергия примерно в 100 раз меньшая, так как ΔEd<< ΔEg/100. Поэтому в зоне проводимости появляются электроны практически только за счет ионизации донора и, следовательно, в уравнении (1.7) концентрацией дырок в валентной зоне можно пренебречь и записать (1.7) в виде
no=Nd+. (1.8)
Концентрация электронов в зоне проводимости определяется формулой (1.1). Ионизированный атом донора эквивалентен дырке на примесном уровне, поэтому для концентрации Nd+ можно записать соотношение, аналогичное (1.2),
Nd+ = Ndexp[-(EF – Ed)/kT]. (1.9)
Подставляя (1.1) и (1.9) в уравнение электронейтральности (1.8) и решая относительно ЕF, получим
. (1.10)
Из (1.10) видно, что при Т = 0К равновесный уровень Ферми располагается по середине между дном зоны проводимости и уровнем донора. При повышении температуры уровень Ферми смещается к середине запрещенной зоны, так как Nd < Nc. Величина Nd, как правило, не превышает 1017см-3.
Подставляя в (1.1) энергию Ферми (1.10), получим выражение для равновесной концентрации электронов в зоне проводимости в области низких температур
. (1.11)
На рис.1.2.а изображена температурная зависимость энергии уровня Ферми для полупроводника n-типа, а на рис.1.2.б – зависимость lnn0от обратной температуры 1/Т. Низким температурам на рис.1.2 соответствует область, обозначенная цифрой 1. В этой области зависимость lnn0от 1/Т имеет вид прямой, угол наклона которой определяется энергией ионизации примеси ΔЕd.
С повышением температуры концентрация электронов на уровне донора уменьшается из-за их переходов в зону проводимости – примесный уровень истощается. Уровень Ферми при этом смещается вниз. При полном истощении, когда Nd+= Nd, концентрация электронов в зоне проводимости равна концентрации донора, если концентрацией собственных носителей можно по-прежнему пренебречь. Уравнение электронейтральности (1.8) в этом случае примет вид
n0 =Nd. (1.12)
Используя для noвыражение (1.1), и решая (1.12) относительно EF, получим
(1.13)
Уровень EF должен располагаться ниже уровня Ed, так как приEF=Ed ионизирована лишь половина атомов донора. Однако за температуру истощения примеси принимают температуру Ts, при которой уровень Ферми совпадает с донорным уровнем (рис.1.2.а), т.е.EFs= Ed. Положив в (1.1) T = Ts, EF =EFsиn=Nd/2, логарифмируя его и разрешая относительноEFs, получим
=,
Отсюда температура истощения примеси Тsс учетомEFs= Ed.
. (1.14)
Из (1.14) видно, что Tsтем ниже, чем меньше энергия ионизации при-меси ΔEdи ее концентрацияNd. Для Ge, например, приNd = 1017 см-3 и ΔEd= 0,01эВ Ts≈ 32K.
Выше температуры истощения примеси концентрация электронов в зоне проводимости сохраняется практически неизменной и равной Nd, а уровень Ферми понижается приблизительно линейно с ростом температуры. На рис.1.2 области истощения примеси соответствует область, обозначенная цифрой 2.
Отметим, что в области истощения примеси концентрация неосновных носителей заряда рo, связанная с возбуждением электронов валентной зоны, будет возрастать с увеличением температуры, поскольку остается справедливым закон действующих масс и рo=/no, гдеniиnoопределяются формулами (1.6) и (1.12) соответственно. Это выражение применимо при po<< no= Nd. При этом изменение noв результате перехода электронов из валентной зоны можно не учитывать в силу его малости.
Высокими температурами считаются температуры, при которых происходит столь сильное возбуждение собственных носителей, что их концентрация много больше примесных: ni>> nпр= Nd. Поэтому концентрацию электронов в зоне проводимости можно считать равной концентрации дырок в валентной зоне: no= po= ni. Уровень Ферми в этом случае определяется соотношением (1.5), а концентрация носителей - (1.6). Можно приблизительно определить температуру перехода к собственной проводимостиTi, если принять, что величинаEF, определяемая (1.13), равна величинеEiF, определяемой (1.5)(рис.1.2.а). Из этого равенства можно получить, что
. (1.15)
Из (1.15) видно, что температура перехода к собственной проводимости тем выше, чем больше ΔEgи Nd. Для Ge при Nd= 1017см-3температураTi≈ 580K.
На рис.1.2 высоким температурам соответствует область, обозначенная цифрой 3. Видно, что в этой области lnnoлинейно возрастает с увеличением температуры, причем наклон прямой согласно (1.6) пропорционален ширине запрещенной зоны.
Аналогичные соотношения можно получить и для полупроводника р-типа. Например, выражения для концентрации дырок в валентной зоне для областей низких температур, истощения примеси и собственной проводимости имеют вид
;;.