4.Определение малосигнальных параметров транзистора в рабочей точке

По семейству входных и выходных характеристик найдем H-параметры:

- входное сопротивление, измеряемое при коротком замыкании на выходе транзистора.

- коэффициент передачи по току, измеряемый при коротком замыкании на выходе транзистора.

- выходная проводимость, измеряемая

при холостом ходе на выходе транзистора.

Для всех типов биполярных транзисторов H_12э=3*10^-4 – коэффициент обратной связи, измеряемый при холостом ходе на входе транзистора.

Для повышения точности расчетов приращения ∆I_к , ∆I_б, ∆U_бэ, ∆U_кэ берем симметрично относительно рабочей точки.

5.Рассчет параметров элементов эквивалентной схемы замещения транзистора Для биполярного транзистора задана схема Джиаколлето – физическая малосигнальная высокочастотная схема замещения транзистора.

Рис4. Физическая малосигнальная высокочастотная схема замещения транзистора.

Найдем U_кб:

Барьерная емкость коллекторного перехода:

Выходное сопротивление транзистора:

Сопротивление коллекторного перехода:

Сопротивление эмиттерного перехода для эмиттерного тока:

Сопротивление эмиттерного перехода для базового тока:

Распределенное сопротивление базы:

Возьмем .

Диффузионная емкость эмиттерного перехода:

Собственная постоянная времени транзистора:

Крутизна транзистора:

6.Граничные и предельные частоты биполярного транзистора

Граничные и предельные частоты биполярного транзистора

-могут быть непосредственно представлены в справочниках,

-либо соотнесены по отношению:

f_T= |H_21э|* f_изм - граничная частота усиления транзистора в схеме с ОЭ,

где |H_21э| - модуль коэффициента передачи по току на высоких частотах, - частота, на которой он измерен (справочные данные).

КТ301Ж имеет f_изм =20 МГц, |H_21э|=1,5.

f_T= 1,5*20*10⁶=30 МГц.

Остальные частоты определяются следующим образом:

Предельная частота в схеме с ОЭ:

Предельная частота в схеме с ОБ:

М аксимальная частота генерации:

Предельная частота транзистора по крутизне:

7.Определение сопротивления транзистора по переменному току.

Нагрузочная прямая по переменному току проходит через точку режима покоя (I_к⁰,U_кэ⁰) и точку с координатами I_к=0, U_кэ=I_к⁰* Ri+ U_кэ⁰ .

U_кэ=10^-3*1389+9=10,4 В.

(0,001;9) и (0;10,4)

Рис.5 Нагрузочная прямая по переменному току

8. Построение сквозной характеристики Iк(Uбэ)

Для построения сквозной характеристики воспользуемся нагрузочной прямой по переменному току и выходными характеристиками. По точкам пересечения нагрузочной прямой по переменному току с выходными характеристиками строим сквозную характеристику I_к(U_бэ). Точки для построения проходной характеристики (зависимости I_к от U_бэ) представлены в таблице:

Iб, мА	0	0,007	0,014	0,021	0,028
Iк, мкА	0,2	1	2	3	4
Uбэ, В	0,3	0,35	0,4	0,45	0,5

Рис6.Сквозная характеристика транзистора КТ301Ж по нагрузочной прямой для переменного тока