- •Введение
- •1. Расчет усилительного каскада
- •1.1. Исходные данные к курсовой работе
- •1.2. Характеристики используемого транзистора
- •1.3. Схема цепи питания и стабилизации режима работы транзистора
- •1.4. Построение нагрузочной прямой по постоянному току
- •1.5. Определение малосигнальных параметров транзистора
- •1.6. Определение величин эквивалентной схемы транзистора
- •1.7. Определение граничной и предельных частот
- •1.10. Определение динамических параметров
- •1.11. Определение коэффициента нелинейных искажений
- •2. Заключение
- •3. Список литературы
Федеральное агентство связи
ГОУ ВПО «Сибирский государственный университет телекоммуникаций и информатики»
Уральский технический институт связи и информатики (филиал)
РАСЧЁТ УСИЛИТЕЛЕЙ НА БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРАХ
Курсовая работа по дисциплине «Основы схемотехники»
Пояснительная записка
210404 000000 009 ПЗ
Руководитель |
|
В.А. Матвиенко |
канд. техн. наук, доцент |
|
|
|
|
|
Студентка группы |
|
|
Екатеринбург
2008
СОДЕРЖАНИЕ
Введение……………………………………………………………………….……….…...3
Расчет усилительного каскада ……………………………………..…...…4
Исходные данные к курсовой работе…………………………………...4
Характеристики используемого транзистора……………………….....4
Схема цепи питания и стабилизации режима работы транзистора…..5
Построение нагрузочной прямой по постоянному току……………....6
Определение малосигнальных параметров транзистора в рабочей точке……………………………………………………………………………….8
Определение величин эквивалентной схемы транзистора …………....9
Определение граничной и предельных частот биполярного транзистора……………………………………………………………………...10
Определение сопротивления нагрузки транзистора по переменному току……………………………………………………………………………….11
Построение сквозной характеристики………………………………....13
Определение динамических параметров усилительного каскада……14
Определение коэффициента нелинейных искажений…………………15
Заключение………………………………………………………………….…16
Список литературы………………………………………………...………….17
Приложение……………………………………………………………………18
Введение
Цель курсовой работы состоит в закреплении знаний, полученных при изучении дисциплины «Основы схемотехники», в получении опыта разработки и расчета основных характеристик усилительных каскадов, а так же в активизации самостоятельной учебной работы студентов, в развитии умений выполнять информационный поиск, пользоваться справочной литературой, определять параметры и эквивалентные схемы биполярных транзисторов, получить разностороннее представление о конкретных электронных элементах.
В ходе выполнения курсовой работы необходимо для заданного типа транзистора выписать паспортные параметры и статические характеристики, в соответствии со схемой включения и величинами элементов схемы усилительного каскада выбрать положение режима покоя, для которого рассчитать величины элементов эквивалентных схем транзистора и малосигнальные параметры транзистора, графо-аналитическим методом определить параметры усилительного каскада.
1. Расчет усилительного каскада
1.1. Исходные данные к курсовой работе
Номер варианта |
9 |
Тип транзистора |
КТ208А |
Напряжение источника питания, Eп |
12В |
Сопротивление цепи К, Rк |
0,75 кОм |
Сопротивление нагрузки, Rн |
1 кОм |
1.2. Характеристики используемого транзистора
Проектируемое устройство основано на биполярном транзисторе КТ208А. Транзистор типа КТ208А - кремниевый эпитаксиально-планарный p-n-p транзистор, предназначенный для использования в импульсных, усилительных и других схемах.
Корпус металлический, герметичный, с гибкими выводами. Масса транзистора не более 0,7 г.
Электрические параметры:
Наименование |
Обоз-наче-ние |
Значения |
Режимы измерения |
|||||
min |
Ти-по-вое |
max |
Uк , В |
Iк, мА |
IБ, мА |
f, кГц |
||
Обратный ток коллектора, мкА |
I КБ0 |
|
|
1 |
UКБ мах |
|
|
|
Обратный ток эмиттера, мкА (при UЭ = UЭБ МАХ) |
I ЭБ0 |
|
|
1 |
|
|
|
|
Напряжение насыщения коллектор- эмиттер, В |
UКЭ нас |
|
|
0.4 |
|
300 |
60 |
|
Напряжение насыщения база- эмиттер, В |
UБЭ нас |
|
|
1.5 |
|
300 |
60 |
|
Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ при Тс=+125 0С при Тс=-60 0С |
h21э |
20
20 10
|
40
|
60
120 60 |
1
1 1 |
30
30 30 |
|
0.27
0,27 0,27 |
Входное сопротивление в режиме малого сигнала в схеме с ОЭ, Ом (при I э=5мА) |
h11э |
130 |
800 |
2500 |
5 |
|
|
0,27 |
Выходная проводимость в режиме малого сигнала при х.х., См (при Iэ=1 мА) |
h22э |
0,15 |
0,3 |
0,55 |
5 |
|
|
0,27 |
Емкость коллекторного перехода, пФ |
Ск |
|
|
50 |
10 |
|
|
500 |
Емкость эмиттерного перехода, пФ ( при Uэ=0,5 В) |
СЭ |
|
|
100 |
|
|
|
500 |
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с ОЭ, МГц |
fгр |
5 |
|
|
5 |
10 |
|
|
Максимально допустимые параметры:
Гарантируются при температуре окружающей среды Тс=25...125 0С
IК max - Постоянный ток коллектора, А. |
0,3 |
IК и max - Импульсный ток коллектора, А (h21Э ≥ 6, UКЭ нас≤0.7 B, IБ≥0.1 A) |
0,5 |
IБ max- Постоянный ток базы, А |
0,1 |
UКБ max - Постоянное напряжение коллектор-база, В (при понижении Тс от +15 до -60 значения UКБ мах, UКЭ R мах уменьшаются до 10 В) |
15 |
UКЭ R max - Постоянное напряжение коллектор-эмиттер (при Rб10 кОм),В |
15 |
UЭБ max - Постоянное напряжение эмиттер-база, В |
10 |
Pк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт |
|
При Тс=-60…+60 0С |
200 |
При Тс=600С…125 0С |
50 |
Т п мах - Температура перехода, 0С |
150 |
Допустимая температура окружающей среды, 0С |
-60…+125 |