Описание транзистора: кремниевый планарный n-p- n транзистор предназначен для усиления и генерирования колебаний на частотах до 60 мГц.
Корпус металлический, герметичный, с гибкими выводами. Масса транзистора не более 0.5 г [2].
Максимально допустимые параметры.
Гарантируются при температуре окружающей среды Тс=-55…+85 0С.
Iк max – постоянный ток коллектора, мА |
10 |
Iэ max –постоянный ток эмиттера, мА |
10 |
Uэбmax – постоянное напряжение эмиттер-база, В |
3 |
Uкбmax – постоянное напряжение коллектор-база, В |
20 |
Uкэк max – постоянное напряжение коллектор-эмиттер-база, В |
20 |
Pк max – постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Тк=-55…+60 0С, мВт |
150 |
Т п мах - температура перехода, 0С |
120 |
Rт,п-к – тепловое сопротивление переход-корпус, 0С/мВт |
0,6 |
Допустимая температура окружающей среды, 0С |
-55…+85 |
При Тк=60…85 0С Pк max [мВт]=(120- Тк)/0,6.
Электрические параметры. Классификационные параметры:
Наименование |
Обозначение |
Значения |
Режим измерения |
||||
Минима-льное |
Макси-мальное |
Uк, В |
Iк, мА |
Iб, мА |
f, МГц |
||
Обратный ток коллектора, мкА |
Iкбо |
|
10
|
20 |
|
|
|
Обратный ток эмиттера, мкА |
Iэбо |
|
10
|
|
|
|
|
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В |
Uкэнас |
|
3 |
|
10 |
1 |
10-5 |
Напряжение насыщения база-эмиттер, В |
Uбэнас |
|
2,5 |
|
10 |
1 |
10-5 |
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте |
|h21э| |
|
1,5 |
10 |
|
|
20 |
Статического коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ |
h21э |
80 |
300 |
10 |
|
|
|
Выходная проводимость в режиме малого сигнала в схеме с ОБ, мкСм |
h22б |
|
3 |
10 |
|
|
10-3 |
Емкость коллекторного перехода, пФ |
Ск |
|
10 |
20 |
|
|
2 |
Емкость эмиттерного перехода, пФ |
Сэ |
|
80 |
|
|
|
2 |
Максимальная частота генерации, МГц |
Fmax |
60 |
|
10 |
|
|
|
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте, нс |
τк |
|
2 |
10 |
|
|
2 |
3.Построение нагрузочной прямой по постоянному току, выбор положения рабочей точки и определение величин элементов цепи питания и стабилизации режима работы
На семействе выходных характеристик построим нагрузочную прямую по постоянному току. Воспользуемся схемой с общим эмиттером и эмиттерной стабилизацией рабочей точки. Нагрузочная прямая строится по уравнению:
Найдем Rэ:
Rэ =0,2*Rк=0,2*2,4=0,48 кОм=480 Ом.
Номинальное значение Rэ=470 Ом.
Уравнение строим по двум точкам:
при Iк=0, Uкэ=Еп=15 В,
при Uкэ=0,
КТ301Ж имеет ∆Iб=7 мкА.
Рис1. Семейство выходных характеристик транзистора КТ301Ж
Рис2. Входные характеристики транзистора КТ301Ж.
Параметры режима покоя:
Uкэ0=9 В.
Iк0=1 мА.
Iб0=0,007мА.
Uбэ0=0,35В.
Затем выберем ток делителя Iд, протекающего через R2, из условия Iд=5*Iбо, и определим величины резисторов R1, R2 по следующим соотношениям:
Iд=5*7*10-6=35*10-6 А.
URэ = Iэ*Rэ Iко*Rэ= 1*10-3*470=0,47 В
UR2 = Uбэо + URэ=0,35+0,47=0,82 B
Рис3.Схема транзистора с общим эмиттером и эмиттерной стабилизацией