
- •Глава 7 полевые транзисторы
- •7.1. Общие сведения
- •7.2. Полевой транзистор с управляющим р-n-переходом
- •7.2.1. Устройство и принцип действия
- •7.2.2. Статические характеристики
- •7.3. Полевой транзистор с управляющим переходом типа металл - полупроводник
- •7.4. Идеализированная структура металл-диэлектрик - полупроводник
- •7.4.1. Общие сведения о мдп-структуре
- •7.4.2. Физические процессы в идеализированной мдп-структуре.
- •7.4.3. Особенности реальной мдп-структуры
- •7.5. Полевой транзистор с изолированным затвором
- •7.5.1. Уравнение тока стока и статические характеристики мдп-транзистора с индуцированным каналом
- •7.5.2. Мдп-транзистор со встроенным каналом
- •7.5.3. Параметры мдп-транзисторов
- •Крутизна стокозатворной характеристики
- •7.5.4. Особенности мдп-транзисторов с коротким каналом
- •7.6. Электрические модели полевых транзисторов
- •7.6.1. Статическая модель полевого транзистора с управляющим р-n-переходом
- •7.6.2. Нелинейная динамическая модель полевого транзистора с управляющим переходом
- •7.6.3. Малосигнальная модель полевого транзистора с управляющим р-n-переходом
- •7.6.4. Нелинейная динамическая модель мдп-транзистора
- •7.6.5. Малосигнальная модель мдп-транзистора
- •7.7. Шумы полевых транзисторов
- •7.7.1. Шумы полевых транзисторов с управляющим р-n-переходом
- •7.7.2. Шумы мдп-транзисторов
7.6. Электрические модели полевых транзисторов
7.6.1. Статическая модель полевого транзистора с управляющим р-n-переходом
Такая модель для транзистора с n-каналом показана на рис. 7.18
Диоды Dиз и Dсз представляют собой переходы затвор-исток и затвор-сток и включены в обратном направлении. Резисторы Rи и Rc учитывают последовательные сопротивления от вывода истока до начала канала и от конца канала до вывода стока. Генератор тока Iс отображает ток стока, вычисляемый по ранее приведенным формулам.
Влияние
сопротивлений Rи
и Rc
проявляется
в том, что на них происходит падение
напряжения IсRн
и
IсRс
в цепи
сток-исток, что приводит к снижению
крутизны транзистора в области крутых
участков выходных характеристик. В
области насыщения большее влияние
оказывает сопротивление Rи,
оно снижает значение крутизны по
сравнению со случаем, когда Rи
=
0.
Влияние же Rc
сводится
к некоторому увеличению напряжения
насыщения.
7.6.2. Нелинейная динамическая модель полевого транзистора с управляющим переходом
Динамическая
модель для большого сигнала в случае
n-канального
ПТ показана на рис. 7.19.a.
От статической модели она отличается
конденсаторами Сиз
и Ссз,
учитывающими барьерные емкости переходов
(диодов Dиз
и Dсз),
имеющих обратное включение. Значения
емкостей определяются мгновенным
значением напряжения на переходах
(диодах). Последовательно с конденсаторами
Сиз
и Ссз
включены резисторы R′k
и
R′′́k
.
Дело в том, что реально цепь затвора и
канала представляет собой распределенную
RC-цепь из емкости затвора на канал и
сопротивления канала. Для упрощения
распределенную цепь заменяют двумя
простыми цепями с фиксированными
параметрами: одна состоит из
последовательно соединенных емкости
Сиз,
называемой емкостью затвор-исток, и
резистора R′k,
а вторая –
из емкости Ссз
(емкость затвор-сток) и резистора
R′′́k
.
Сумма Сиз
+ Ссз
равна полной емкости затвора
относительно канала. Значения R′k
и
R′′́k
приближенно
связываются с полным сопротивлением
канала Rk
или
находятся экспериментально. В рабочих
режимах эти сопротивления составляют
единицы –
десятки ом.
Ток генератора Iс в статической и нелинейной динамической моделях достаточно сложно зависит от напряжений Uзи и Uси. Однако ток Iс можно представить как сумму двух встречных токов I1 и I2 (рис. 7.19,6), каждый из которых определяется только одним напряжением.
Для доказательства возьмем выражение (7.27). Перепишем его в ином виде, опустив для простоты контактную разность потенциалов φк:
(7.65)
Введем напряжение сток-затвор Uсз, пользуясь соотношением
(7.66)
Однако надо иметь в виду, что в выражении (7.65) для n-канала вместо отрицательного значения Uзи подставляется абсолютная величина. Эта замена была сделана при выводе уравнения (7.27). В выражении же (7.66) надо принимать Uзи < 0 или, пользуясь абсолютной величиной | Uзи |, записать (7.66) в виде
(7.67)
Мы и сейчас опустим знак абсолютной величины для Uзи, т.е. будем считать вместо (7.66) и (7.67)
(7.68)
Подставив (7.68) в (7.65) и произведя преобразования, получим
(7.69)
Таким образом, мы уже представили ток Iс суммой двух токов, зависящих только от одного напряжения: Uсз или Uиз. Однако удобнее слагаемые представить в ином виде, прибавляя и вычитая в скобках выражения (7.69) величину U20/2:
(7.70)
Итак, можно записать
(7.71)
где
(7.72)
(7.73)
При записи I2 использовано равенство Uзи = –Uиз. В общем случае зависимости (7.72) и (7.73) могут отличаться от квадратичных:
I1 = I0(1 – Ucз / U0)n (7.74)
I2 = I0(1 – Uиз / U0)n (7.75)
Показатель степени можно найти путем измерений