- •1.1. Основные понятия и определения
- •1.2. Виды и методы измерений
- •1.3. Погрешности измерений
- •1.4. Причины возникновения и способы
- •1.5. Оценка случайных погрешностей
- •2.2. Магнитоэлектрические приборы
- •2.3. Магнитоэлектрические приборы с преобразователем переменного тока в постоянный
- •2.4. Электродинамические приборы
- •2.5. Электростатические приборы
- •2.6. Электромагнитные приборы
- •2.7. Электронные аналоговые вольтметры
- •2.8. Компенсаторы
- •2.9. Измерительные мосты
- •2.10. Цифровые измерительные приборы
- •2.11. Осциллографы
- •2.12. Измерение параметров
- •2.13. Измерение параметров
- •3.1. Измерение магнитного потока,
- •3.1.1. Использование измерительной катушки
- •3.1.2. Использование гальваномагнитных преобразователей
- •3.1.3. Использование преобразователей на основе ядерного магнитного резонанса
- •3.2. Характеристики магнитных материалов
- •3.2.1. Статические характеристики
- •3.2.2. Динамические характеристики
- •3.3. Определение статических характеристик
- •3.4. Определение динамических характеристик
- •4.1. Структурные схемы приборов для
- •4.1.1. Последовательное соединение преобразователей
- •4.1.2. .Дифференциальные схемы соединения преобразователей
- •4.1.3. Логометрические схемы соединения преобразоветелей
- •4.1.4. Компенсационные схемы включения преобразователей
- •4.3. Измерение неэлектрических величин
- •5.1. Общие сведения об измерительных
- •5.2. Измерительная информация, методы ее преобразования и передачи
- •5.3. Количественное определение измерительной
- •6.4. Обработка информации в иис
- •5.7. Построение иис на базе агрегатных комплексов
- •5.8. Комплекс камак
- •Сигналы
3.2. Характеристики магнитных материалов
3.2.1. Статические характеристики
В
Рис.
3.7
Рис.
3.6
сти
насыщения, то ее форма и размеры будут
оставаться неизменными. Такая петля
называется
предельной петлей гистерезиса
(рис. 3.6). Практика показывает, что
получить хорошо воспроизводимую
начальную кривую намагничивания
затруднительно, поэтому вместо нее
пользуются близкой к ней по форме
основной кривой намагничивания,
которая является геометрическим местом
вершины симметричных петель гистерезиса
(рис. 3.7).
стоянных или медленно меняющихся магнитных полях, называются статическими. К основным статическим характеристикам относятся начальная кривая намагничивания, основная кривая намагничивания и предельная симметричная петля гистерезиса.
Начальной кривой намагничивания называется зависимость магнитной индукции В от напряженности намагничивающего поля Н. В начальном состоянии материал должен быть размагниченным (Н = 0, В = 0). При достаточном увеличении Н начальная кривая намагничивания В (Н) становится пологой (достигает насыщения) (рис. 3.5). Если движение по начальной кривой намагничивания прекратить, достигнув некоторой точки А (Ну, Вi), и плавно изменить напряженность поля Н до значения — Ну и обратно, то кривая зависимости В (Н) опишет замкнутую петлю, называемую симметричной петлей гистерезиса. Каждой точке начальной кривой намагничивания будет соответствовать своя гисте- резисная петля. Если верхняя точка гистерезисной петли лежит в обла
По\ основной кривой намагничивания (ОКН) можно построить кривую зависимости относительной магнитной проницаемости от магнитного поля:
д,.(#) =£(#)/(до/#). (3.13)
3.2.2. Динамические характеристики
Динамическими называются характеристики, определяемые в переменных полях. Они зависят как от материала, так и от условий, при которых производится их определение (от формы образца, от параметров намагничивающего тока, режима намагничивания и т.п.).
Влияние вихревых токов, магнитной вязкости и других процессов деформирует гистерезисную петлю таким образом, что она становится ближе к эллипсу (особенно в области слабых токов и высоких частот). Такая кривая называется динамической петлей. Геометрическое место вершин динамических петель называется динамической кривой намагничивания.
В число основных динамических характеристик входят различные виды магнитной проницаемости и магнитные потери в материале при его намагничивании.
Так, в случае, если динамическая петля имеет форму эллипса, вводят понятие комплексной магнитной проницаемости:
Ег = В/ОюН) = ите~'8 = д, - ]Ц2 , (3.14)
где _Z? и Н — комплексы эквивалентных синусоид магнитной индукции и напряженности; цт = | = + Мг = BmlVbHm ~ модуль комплексной проницаемости, который называется амплитудной магнитной проницаемостью; tg6=£t2/Mi — тангенс угла магнитных потерь.
Эквивалентные синусоиды выбираются такими, чтобы динамическая петля имела ту же форму, что и при реальных магнитной индукции и напряженности, которые, как правило, не являются синусоидами одновременно.
Полные потери на динамическое перемагничивание характеризуются площадью динамической петли. Поскольку динамические характеристики зависят от условий, при которых они определяются, эти условия в каждом конкретном случае должны быть четко оговорены.