- •Сопротивление
- •Цветовая маркировка резисторов Международная цветовая маркировка резисторов
- •9.Резисторы интегральных схем.
- •10.Резисторы постоянные проволочные.
- •12.Переменные резисторы.
- •Указания по монтажу и креплению
- •1.6 Классификация конденсаторов.
- •2. Конденсаторы с неорганическим диэлектриком.
- •8.Конденсаторы, с оксидным диэлектриком
- •5.Выбор сердечника.
- •6.Основные параметры ки.
- •13.Магниторезистивный эффект
- •2.Терморезисторы (термисторы)
- •3.Термисторы косвенного подогрева
3.Термисторы косвенного подогрева
рпод - мощность, необходимая для нагрева термистора до той же температуры при косвенном подогреве. К (0,5...0,97)
3. Постоянная времени т складывается из двух постоянных т=т1+т2 1 - это время, в течении которого температура термистора изменится в е раз по отношению к установившемуся значению при мгновенном изменении мощности подогреваемой обмотки T1=(5...20)c 2-ая постоянная самого термистора (0,05... 1)сек - характеризует задержку (0,05..1)с в изменении температуры термистора по отношению к изменению температуры подогревателя. Применение: для дистанционного управления различными системами, для защиты схем от перегрузок.
4. Номинальная мощность подогрева Рп, мВт для СТ1-21 -60 мВт СТЗ-21 - 60 мВт
5. Номинальное сопротивление подогревателя Rn, Ом
Rn - 100 Ом + 10%
6. Максимальное напряжение между термистором и подогревателем, В. 100В
Первыми отечественными терморезисторами косвенного подогрева были ТКП. До сих пор выпускают: ТКП-20 ТКП-20Б
ТКП-50 ТКП-ЗООА Цифры - это значения сопротивления терморезистора в Ом при максимальной мощности, выделяемой в подогревателе Конструктивно первые три: РЭ - трубка из полупроводникового материала d = 0,8 мм, 1 = 1,6... 1,8 мм, внутри которого расположен спиральный подогреватель;
ТПК-ЗООА - имеет РЭ в виде стержня диаметром 0,4 мм, который помещен внутрь спирального подогревателя
Конструкции помещены в баллон, внутри которого - вакуум или инертный газ.
4Эффект Холла Этот эффект был открыт в 1879 году американским физиком Холлом. Если полупроводник, через который протекает ток, поместить в перпендикулярное линиям тока магнитное поле, то в полупроводнике возникает электрическое поле, перпендикулярное направлению магнитного поля. Рассмотрим механизм образования эффекта Холла на примере полупроводника с дырочной проводимостью (р). На электрический зарядq, движущийся в магнитном поле со скоростьюV, действует сила Лоренца (см. рис. 4.1)F = qVBsinf, где В - индукция магнитного поля,f - угол между направлением скорости и индукцией магнитного поля. Рассмотрим случай, когда силаFимеет максимальное значение:sinf=l,aF =qVB . Направление силы может быть определено по правилу левой руки. Если левую руку расположить в магнитном поле так, чтобы силовые линии магнитного поля как бы входили в ладонь, а четыре вытянутых пальца совпадали с направлением тока в проводнике, то большой палец, отставленный на 90°, покажет направление действия силы.В рассматриваемом случае сила Лоренца отклоняет дырки к верхней грани полупроводниковой пластины, вследствие чего их концентрация там увеличивается, а у нижней грани уменьшается. Такое распределение зарядов приводит к возникновению поперечного электрического поля (эффект Холла) и разности потенциалов между верхней и нижней гранями полупроводниковой пластины: U = Е • d, откуда E=U/d, где Е - напряженность поперечного электрического поля, d - расстояние между гранями пластины. Возникшее электрическое поле препятствует дальнейшему отклонению зарядов при условии qE = qVB , (qE - силы электрического поля, qVB - силы Лоренца) поперечный ток исчезает. Линии тока будут совпадать с направлением внешнего электрического поля.
Между верхней и нижней гранями пластины будет существовать разность потенциалов. Ток, протекающий через пластину, помещенную в магнитное поле равен I=pqVdh, откуда V=I/pqdh, (4.2) где р - концентрация носителей заряда, h - толщина пластины. Подставляя в формулу (4.1) полученное выражение (4.2): Ux=IBd/pqhd=IB/pdh=(R/I)*BI Величина R =1/pq получила название «коэффициента Холла». Следует отметить, что формула (4.3) справедлива при l > (2.3)d.
Для полупроводника с электронной проводимостью (п) при аналогичных условиях электроны под действием силы Лоренца также отклоняются к верхней грани. Это обусловлено отрицательным знаком заряда электрона и противоположным направлением движения электронов. Коэффициент Холла при этом будет равен: R =-1/qn, а полярность напряжения - противоположна полярности напряжения для полупроводника с дырочной проводимостью (р). В полупроводнике со смешанной проводимостью результирующее холловское напряжение будет меньше, чем в полупроводниках с носителями одного знака, поскольку электроны и дырки отклоняются к одной и той же грани.
Эффект Холла используется для создания измерителей магнитного поля, поскольку измеряемое напряжение Ux линейно зависит от индукции магнитного поля. Выходной сигнал имеет малую амплитуду. Датчики Холла изготовляются из тонких полупроводниковых пластин, имеющих квадратную форму и четыре вывода, расположенные симметрично со всех сторон пластины. Для их изготовления используют полупроводники с высокой подвижностью носителей заряда, обычно, n - типа Ge, As, Ga и другие.
15. Варисторы Это полупроводниковые резисторы с нелинейной вольтамперной характеристикой, сопротивление которых зависит от величины приложенного к ним напряжения, то есть от величины напряженности электрического поля. Характер вольтамперной характеристики варистора говорит о наличии р-п перехода в его структуре. Если Вольтамперная характеристика носит симметричный характер, то такой варистор называется симметричным. В узком диапазоне токов и напряжений Вольтамперная характеристика описывается выражением I=A-U^ β , где А - постоянный коэффициент, зависящий от типа варистора; β -коэффициент нелинейности вольтамперной характеристики.
Основные параметры варисторов
1.Коэффициент нелинейности вольтамперной характеристики β =R0/rд=(U/I)/(dU/dI)=(UdI)/(IdI). Это отношение статического сопротивления R0 к дифференциальному rд в заданной точке вольтамперной характеристики. На линейном участке вольтамперной характеристики в некотором диапазоне токов и напряжений , β можно считать практически постоянной, тогда Вольтамперная характеристика описывается выражением (4.1), бетта=3...30.
Номинальная мощность рассеяния Рн - максимальная мощность, которую может рассеивать варистор при сохранении его параметров в установленных пределах в течении срока службы.
Величина Рн определяется конструкцией и материалом варистора Рн=(0,01...3.0) Вт для варисторов малой мощности и Рн<=150Вт для варисторов большой мощности.
Температурные коэффициенты статического сопротивления, и измеренные при постоянном напряжении и при постоянном токе Для отечественных варисторов ТКС <= -7-10"3 1/°С
Классификационное напряжение Uкл - условный параметр – определяет значение постоянного напряжения на варисторе при заданном значении классификационного тока. Uкл не является рабочим напряжением, так как Upаб определяется с учетом Рн Uкл=(15...1500)В.
Классификационный ток Ira значение тока, при котором определяют Uкл Iкл для варисторов малой мощности (доли мА), а для варисторов большой мощности Iкл =(1 ...25)мА.
Максимально допустимое напряжение Umax =(десятки...сотни) В.
Диапазон рабочих температур максимальный для отечественных варисторов (-60...+85)°С.
Частотные свойства - ограниченный частотный диапазон из-за проявления собственной емкости варистора (f =единицы килогерц).
Сам же варистор является практически безынерционным прибором - при изменении напряжения сразу же изменится сопротивление. Применение: защита от атмосферных перенапряжений ВВ линий и линий связи; защита от перенапряжений приборов и элементов схем; стабилизация токов и напряжений.