2. Обработка результатов измерений

2.1. По данным таблиц 2 и 3 построим график зависимости от (рис.3.9):

Рис.3.9

2.1.1 По данным таблиц 2 и 3 (рис.3.9), вычислим величину входного сопротивления:

_Ом

2.1.2 По данным таблиц 2 и 3 (рис.3.9), вычислим величину коэффициента обратной связи по напряжению:

2.2 Построим выходные характеристики транзистора по данным таблицы 3 (рис.3.10):

Рис.3.10

2.2.1 По данным таблицы 3 (рис.3.10), вычислим величину коэффициента передачи по току:

2.3. Построим выходные характеристики транзистора по данным таблицы 3 (рис.3.11):

Рис.3.11

2.3.1 По данным таблицы 3 (рис.3.11), вычислим величину выходной проводимости:

5. По данным таблицы 5 построим семейство управляющих и выходных характеристик полевого транзистора:

_2.5.1. Построим график зависимости _{для различных значений U:}

Рис.3.12

2.5.2. По данным таблицы 5 построим семейство управляющих и выходных характеристик полевого транзистора (рис.3.13):

Рис.3.13

5. Вычислим по графикам характеристики:

2.6.1. Крутизна:

_мА/В

2.6.2. Внутреннее сопротивление

_кОм

2.6.3. Коэффициент усиления

_{Заключение}

_{Вывод: в данной лабораторной работе мы изучили основные параметры транзисторов, построив входную, управляющую и выходную характеристики транзистора. Результатом построения данных характеристик явилось вычисление основных параметров транзистора: кривизны, внутреннего сопротивления и коэффициента усиления транзистора. В результате проверки зависимости для коэффициента усиления цифры совпали. По входной и выходной характеристикам были вычислены коэффициент обратной связи по напряжению, коэффициент передачи по току и выходная проводимость.}