5.Провести расчёты ошибок измерений исследованных параметров и занести их в пронумерованную таблицу
6. Выводы.
7.Контрольные тесты.
1. Для какой цели применяются в электронике полупроводниковые диоды:
а) для преобразования переменного напряжения в пульсирующее напряжение одной полярности;
б) для усиления электрических сигналов;
в) для запоминания информации.
2. По какому (или по каким) из перечисленных параметров подбираются диоды для выпрямителей:
а) по максимальным значениям прямого тока и обратного напряжения;
б) по максимальным значениям обратного тока и прямого напряжения;
в) по концентрации примесей.
3. Стабилитрон должен включаться:
а) в обратном направлении;
б) в прямом направлении;
в) по ходу движения.
4. Чем стабилитрон гарантирует возможность стабилизации напряжения:
а) наличием на графике его ВАХ участка с более значительным диапазоном изменения тока, чем падения напряжения на нем;
б) наличием на графике его ВАХ участка с менее значительным диапазоном изменения тока, чем падения напряжения на нем;
в) наличием на графике его ВАХ участка с постоянным значением напряжения.
Лабораторная работа №2
Исследование биполярного и полевого транзисторов
Цель работы.
Ознакомление с принципом работы биполярного транзистора, установление его нормального активного режима при включении по схеме с общим эмиттером и определение основных параметров (расчет, моделирование, эксперимент).
2.Приборы, макеты, программы. - --Компьютер ACER;
-Программа Multisim 10.
3.Теоретические основы.
Биполярные транзисторы
Биполярным транзистором называют полупроводниковый прибор с тремя областями чередующегося типа электрической проводимости, разделенными двумя взаимодействующими р–п переходами, способный усиливать мощность.
Конструктивно–сплавной биполярный транзистор представляет собой пластинку монокристалла полупроводника проводимостью p или n – типа, по обеим сторонам которой наплавлены полупроводники, образующие с данным полупроводником иной тип проводимости.
На рис.1. показана конструкция транзистора, в которой в пластинку германия n–типа вплавлены по обеим сторонам шарики индия, образующие с германием проводимость p–типа.
Рис. 1. Реальная структура сплавного транзистора p-n-p
На рис.2. показана упрощенная плоскостная структура транзистора.
а) б)
Рис.2. Упрощённая структура транзистора p-n-p (а) и n-p-n (б)
Э-эмиттер, Б-база, К-коллектор.
Крайние области транзистора называют эмиттером и коллектором среднюю – базой, р–п переходы соответственно называют эмиттерным и коллекторным. Если эмиттер и коллектор обладают дырочной проводимостью (области р), а база – электронной проводимостью (область п), структура транзистора р–п–р. Если проводимости областей транзистора противоположна названным, его структура п–р–п. Принцип действия транзисторов обеих структур одинаков и основан на использовании свойств р–n переходов.
Условное обозначение транзисторов в схемах полярности напряжений в активном (усилительном) режиме работы и направления токов показаны на рис.3.
Рис. 3. Условное обозначение транзисторов структур р–п–р (а) и п–р–п (б), полярности напряжений в активном режиме работы и направления токов.
Различают 3 схемы включения транзисторов в зависимости от того, какой вывод транзистора принимается общим для его входной и выходной цепей (см. рис.4):
с общей базой (ОБ);
с общим эмиттером (ОЭ);
с общим коллектором (ОК).
Рис.4. Схемы включения транзисторов: