Экспериментальная часть
1. Собрать экспериментальную установку для определения зависимости сопротивления полупроводника от температуры (рис 9.).
Рис.9.
1. Рнш. 2. Печка 3.Вольтметр в7-38. 4. Исследуемый полупроводник.
5. Термометр.
2. Получить экспериментальную зависимость величины сопротивления полупроводника от температуры.
3. Полученные результаты поместить в таблицу 1.
Таблица №1
№ |
R(Ом) |
t (К) |
T (К) |
1/T (1/К) |
lnR(Ом) |
E(ев) |
1 |
|
|
|
|
|
|
2 |
|
|
|
|
|
|
3 |
|
|
|
|
|
|
…..... |
………. |
………. |
……….. |
……… |
……… |
……….. |
N |
|
|
|
|
|
|
4. По экспериментальным данным построить график зависимости сопротивления полупроводников от температуры R=f(T).
5.Перейти к новой системе координат, чтобы получить линейный вид зависимости lnR=f(1/T).
6. Определив tg угла наклона построенного графика, получить численное значение термической ширины запрещенной зоны.
КОНТРОЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ.
1. Особенности энергетической (зонной) модели металлов, диэлектриков и полупроводников.
2. В чем отличие собственных и примесных полупроводников?
3. Чем отличаются полупроводники n– типа от полупроводников p– типа?
4. Какова причина того, что сопротивление полупроводника с повышением температуры уменьшается, а у металлов возрастает?
5. Влияет ли температура полупроводника на подвижность его носителя?