Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Задание № 1.docx
Скачиваний:
4
Добавлен:
12.11.2019
Размер:
1.01 Mб
Скачать
  1. Конструкция и геометрические размеры излучателя

Излучатель (аxb), a=70.6 мм, b=42.6 мм, подложка =2.2 с высотой h=6.35 мм, L1=9.6 мм, L2=10.27 мм, L3=23.8 мм, L4=25.62 мм, d=2.3 мм

а

  1. Ксвн (а) и входные сопротивления (б) антенного элемента

Другим способом увеличения полосы является использование многослойных структур, состоящих из двух и более слоев. На рис. 3 представлена конструкция, состоящая из двух слоев. Увеличение полосы происходит за счет наличия не только поверхностных, но и пространственных волн. Входное сопротивление (рис. 4) в этом случае равно сумме двух слагаемых

,

где – сопротивление, обусловленное пространственными волнами, а – поверхностными волнами. В этом случае относительная полоса рабочих частот 33%.

  1. Конструкция многослойной структуры

Экран (NxN), N=80 мм, (аxb), a=70.6 мм, b=42.6 мм, с подвешанной подложкой высота подложки h1=3.35 мм, h2=3 мм

Материал подложки – ФЛАН 1=2.2, 2=1

  1. Ксвн (а) и входные сопротивления (б) многослойной структуры

Коэффициент усиления такой структуры равен 2.37. Диаграмма направленности двухслойной МПА представлена на рис. 5.

  1. Диаграмма направленности двухслойной мпа

Таким образом, алгоритм вычисления характеристик микрополосковых излучающих структур в сочетании с возможностями имитационного моделирования позволяет разработать подход, который может служить основой для проектирования МПА с оптимальными характеристиками, не прибегая к трудоемким экспериментальным исследованиям.

Литература

  1. Панченко Б.А., Нечаев Ю.Б. Характеристики излучения полосковых антенн на подложках ограниченных размеров. – Воронеж: Изд-во ВГУ, 1992. – 91 с.

  2. Электродинамический расчет характеристик излучения полосковых антенн / Б.А. Панченко, С.Т. Князев, Ю.Б. Нечаев и др. – М.: Радио и связь, 2002. – 256 с.

Конфигурирование сапр тп «Вертикаль»

Илларионов И.В., Борзенко А.В.

illar@cs.vsu.ru , borzenko-adm-6481@yandex.ru

Воронежский государственный университет

В работе рассмотрен сегмент единого информаци­онного пространства предприятия САПР ТП «Вертикаль» v2 SP3 (АСКОН). С точки зрения возможности использования данной САПР для проектирования типовых технологических процессов на примере термообработки деталей (базовая поставка САПР ТП Вертикаль непредусматривает разработку типовых тех. процессов). Разработка включала конфигурирование модели проектирования тех. процесса, конфигурирование универсаль­ного технологического справочника (УТС) применительно к требованиям конкретного предприятия, расширение функциональности САПР (пять приложений построен­ных на базе технологии COM, работающих в пространстве Вертикаль – Технологии), соз­дание ведомостей изделий.

Система основана на объектной модели. Она содержит в себе не только информацию о физической структуре данных, но и логику взаимосвязей своих компонентов. Использование объектной модели в структуре системы позволяет упростить доступ к технологическим данным и, как следствие, облегчает разработку технологических приложений. Таким образом, любое предприятие в дополнение к прикладным модулям, может самостоятельно разработать свои собственные программы, взаимодействующие с системой ВЕРТИКАЛЬ.

Благодаря расширению API-функционала обеспечена возможность передавать данные в различные системы планирования и управления (системы классов PDM\MRP II\ERP).

Включение информационных потоков по технологической подготовке производ­ства реализуется интеграцией с системами управления документооборотом (PDM — Product Data Management). Автоматизация расчетов, выполняемых в процессе проектирования ТП, осуществ­ляется специальными приложениями — «Система расчета режимов резания», «Система расчета режимов сварки», «Система проектирования техно­логической размерной структуры», «Система трудового нормирования» и др. К ВЕРТИ­КАЛЬ-Технология могут также подключаться любые специализированные приложения на основе COM.

На этапе реализации использовалась COM технология, Windows Script Host(WSH), для расчета времени выдержки и загрузки оборудования применен был архитектурный паттерн проектирования Layers.

Windows Script Host (WSH) - стандартный компонент операционной системы Windows, позволяющий без предварительной компиляции непосредственно в операционной системе запускать сценарии, написанные на специализированных языках (например, Microsoft VBScript или Microsoft JScript). Собственная объектная модель WSH позволяет из сценариев работать с файловой системой, системным реестром, специальными папками и ярлыками Windows, ресурсами локальной сети, а также запускать процессы и контролировать ход их выполнения. Кроме этого, в сценариях WSH можно использовать любые серверы автоматизации (COM-объекты), зарегистрированные в системе.

Основные принципы шаблона Layers сводятся к следующему:

  1. - организовать структурные элементы системы в отдельные уровни со взаимосвязанными обязанностями таким образом, чтобы на нижнем уровне располагались низкоуровневые службы и службы общего назначения, а на более высоких уровнях – объекты уровня логики приложения;

  2. - взаимодействие и связывание уровней происходит сверху вниз.

Шаблон Layers связан с логической архитектурой. Он описывает базовую организацию элементов проектирования в виде групп, независимых от их физического размещения. Шаблон определяет общую N-уровневую модель логической архитектуры. На его основе строится многоуровневая архитектура. Его принципы настолько часто формулировались в виде шаблонов, что насчитывается порядка сотни его вариаций. Количество и типы уровней зависят от типа приложения и его предметной области.

Слои или разделение на слои — это основной принцип разработки архитектуры, означающий перенос ответственности на отдельные связующие структурные единицы (группы классов) и определение зависимостей между этими единицами.

Требования к программному обеспечению представим в виде V-model, которая позволит нам описать различные стадии разработки требований проекта и связь требований и тестирования. Классическая V-model представлена на рис.2.