- •Оглавление
- •Введение
- •Глава 1. Особенности проектирования имс
- •Глава 2. Проектирование гибридных интегральных микросхем (гис)
- •2.1 Конструктивно-технологические особенности.
- •2.2 Определение функциональной сложности.
- •2.3 Методы оптимизации гис по критерию функциональной точности.
- •Глава 3. Расчет и проектирование пленочных резисторов.
- •3.1 Расчет геометрических размеров резисторов.
- •3.2 Выбор и обоснование материала резистивной пленки.
- •3.3. Расчет и проектирование контактного перехода типа “пленка-пленка”.
- •3.4 Проектирование подгоняемых резисторов.
- •3.5. Точность отношения резисторов.
- •Глава 4. Расчет и проектирование пленочных конденсаторов.
- •4.1 Конструктивно-технологические особенности и основные параметры.
- •4.2 Расчет геометрических размеров конденсаторов.
- •4.3 Потери в пленочных конденсаторах.
- •4.4 Планарные конденсаторы.
- •Последовательность расчета геометрических размеров пленочных конденсаторов.
- •4.5. Проектирование прецизионных конденсаторов.
- •Глава 5. Расчет и проектирование rc-структур с распределенными параметрами.
- •5.1 Тонкопленочные rc-структуры с распределенными параметрами.
- •5.2 Режекторные фильтры на основе rc-структур.
- •5.3 Влияние погрешностей геометрии rc-структуры на электрические характеристики режекторных фильтров.
- •5.4 Избирательные rc-усилители.
- •5.5 Активные фильтры на основе rc-структур.
- •5.6. Конструктивный расчет фильтров на основе rc-структур.
- •Глава 6. Основы оптимального проектирования гис
- •6.1 Зависимости погрешности выходного параметра от физических и геометрических параметров элементов.
- •6.2 Исходные данные для проектирования топологии.
- •Схемотехнические данные и требования.
- •Технологические данные и ограничения.
- •3. Конструктивные данные и требования.
- •6.3 Конструктивные методы защиты имс от воздействия дестабилизирующих факторов.
- •6.4 Бескорпусная герметизация гис.
- •Глава 7. Разработка топологии и конструкции гис.
- •7.1. Принципы практического проектирования и компоновки топологической структуры гис.
- •7.2. Разработка коммутационной схемы соединений.
- •Заключение
- •Литература
- •Приложение 1.
- •Приложение 2. Проектирование фильтров на основе rc—структур с распределенными параметрами средствами Microwave Office. Введение
- •Схемы и результаты моделирования
- •Широкая микрополосковая двухпроводная линия из проводников с различным сопротивлением
- •Однопроводная линия над проводящим слоем
- •Базовая схема используется как элемент других схем
- •Заземление подсхемы в схеме
- •Составные или гибридные rc-структуры и lc-цепи
- •Локальные экстремумы
Приложение 2. Проектирование фильтров на основе rc—структур с распределенными параметрами средствами Microwave Office. Введение
Развитие микроэлектроники происходит на протяжении шестидесяти лет с постоянным ускорением: за каждые полтора года размеры ее изделий уменьшаются в два раза. Эту закономерность вывел и опубликовал Мур и она носит название закон Мура. За его простой формулировкой стоит труд многих специалистов, ищущих пути решения сложных проблем создания изделий с высокими показателями качества.
Одним из важных направлений развития микроэлектроники является проектирование частотных фильтров с высокой избирательностью, малыми габаритами и хорошей технологичностью.
Область синтеза частотных фильтров по заданным характеристикам частотным или временным принадлежит к числу насыщенных математикой, требующих громоздких вычислений и многократной перепроверки влияния на характеристики различных факторов. Особого внимания требует вопрос идеализации элементов, т.к. в расчетах всегда фигурируют идеальные L C R, а реальные катушки конденсаторы и резисторы отличаются от них многими параметрами, которых нет у идеальных элементов.
Например, катушки реально имеют частотные характеристики с числом резонансов, явно видимых, не менее одного а, как правило, более десяти. Так оказывается, что только в малой части диапазона частот от нуля до верхней границы, где еще слабо влияет резонанс, катушка более-менее похожа на ее идеальный заменитель L. Аналогичные несоответствия имеют место для R C.
Структуры с распределенными RC параметрами тоже подвержены тем же несоответствиям. Модель "длинной линии" введена в теории, как метод уменьшения объема вычислений. Считается, что поперечный размер провода пренебрежимо мал по сравнению с другими размерами, прежде всего длиной линии. Микроэлектронное исполнение провода обычно требует достаточно большой ширины проводника при малой его толщине. Размерные эффекты в этой ситуации делают частотные характеристики "неидеальными".
Аналитические расчеты RC структур с распределенными параметрами приводят к сложным уравнениям. Решение этих уравнений, в конечном счете, переносится на компьютеры.
Современный этап компьютерных вычислений в области радиотехники и электроники характеризуется внедрением специализированных программ и программных продуктов с графическими средствами программирования.
Одним из программных продуктов для автоматизации моделирования и проектирования радиоэлектронных средств является "Microwave Office". Его богатые библиотеки элементов и обширный арсенал инструментов расчета, а также возможности оптимизации и статистического анализа проектируемых цепей привлекли внимание специалистов многих ведущих фирм.
Использование программного продукта "Microwave Office" для расчета цепей, содержащих элементы с распределенными и сосредоточенными RLC параметрами, предусмотренное заданием, позволяет получить результаты менее "идеализированные". Имеется возможность учесть ширину и толщину проводника, толщину и диэлектрическую проницаемость диэлектрической подложки.
