- •Вимірювання електричних величин. Електровимірювальні прилади.
- •1. Системи електромеханічних електровимірювальних приладів.
- •1.1. Магнітоелектрична система.
- •1.2. Прилади детекторної (випрямляючої) системи.
- •1.3. Електромагнітна система.
- •1.4. Електродинамічна система.
- •1.5. Індукційна система.
- •1.6. Електростатична система.
- •1.7. Вібраційна система.
- •1.8. Теплова система.
- •1.9. Прилади термоелектричної системи.
- •1.10. Багатограничні електровимірювальні прилади.
- •3. Цифрові електровимірювальні прилади.
- •4. Чутливість і ціна поділки електровимірювальних приладів. Похибки та класи точностей електровимірювальних приладів.
- •5. Приклад розрахунку похибок вимірюваної електричної величини за класами точності приладів.
- •5.1. Пряме вимірювання електричної величини.
- •5.2. Посереднє (непряме) вимірювання електричної величини.
- •6. Умовні позначення електровимірювальних приладів.
- •1. Робочі характеристики приладів
- •2 . Системи приладів
- •Дослідження електростатичного поля
- •1.Теоретичний матеріал. Електростатичне поле і його характеристики.
- •2. Послідовність виконання роботи
- •1. Діелектрики та їх властивості.
- •2. Сегнетоелектрики
- •3. Методика експериментального визначення температурної залежності діелектричної проникності сегнетоелектриків та визначення їх точки Кюрі
- •4. Послідовність виконання роботи
- •Контрольні питання.
- •Визначення ємності конденсаторів за допомогою містка сотті
- •1. Теоретичні відомості.
- •2. Експериментальне визначення ємності конденсаторів
- •3.Послідовність виконання роботи
- •3.Обробка експериментальних даних.
- •Контрольні питання
- •1. Осцилограф та його призначення.
- •2. Фізичні основи керування пучками електронів в електронно-променевій трубці.
- •3. Електронно-променева трубка.
- •4. Принцип роботи електронного осцилографа
- •5. Послідовність виконання роботи.
- •Завдання 1. Визначення чутливості осцилографа.
- •Завдання 2. Вимірювання напруги за допомогою осцилографа.
- •Контрольні питання
- •Лабораторна робота №37 перевірка закону ома і визначення питомого опору провідника
- •1. Теоретичні відомості.
- •2. Методика експериментального визначення питомого опору провідника та перевірки закону ома.
- •3. Послідовність виконання роботи.
- •4. Обробка експериментальних даних.
- •Контрольні питання.
- •Розширення меж вимірювань амперметра і вольтметра
- •1. Розширення меж вимірювань амперметра
- •2.Розширення меж вимірювань вольтметра
- •3.Послідовність виконання роботи
- •1. Ознайомитись з необхідними приладами та зібрати електричне коло.
- •4. Такий же самий порядок виконання роботи при будь-якому іншому заданому значенні n.
- •Лабораторна робота №39
- •1. Теоретичні відомості
- •3. Послідовність виконання роботи
- •4. Похибки вимірювань
- •Контрольні питання
- •1. Лабораторні безреохордні містки.
- •2 Поняття про електричне вимірювання неелектричних величин. Електронні автоматичні самопишучі містки.
- •3. Цифровий місток
- •Визначення електрорушійної сили джерела струму методом компенсації
- •1. Сторонні сили. Електрорушійна сила
- •2.Закон ома для неоднорідної ділянки кола.
- •3. Закони (правила) кірхгофа
- •Принцип компенсаційного методу визначення ерс.
- •5. Послідовність виконання роботи.
- •1. Нормальні елементи. Сучасні еталони напруги.
- •2. Автоматичні самопишучі потенціометри.
- •3.Електрокардіографія.
- •Українсько- англійський словник найбільш вживаних термінів з електростатики по постійного струму
2. Сегнетоелектрики
Існує особлива група діелектриків, для яких діелектрична проникність приймає великі значення (порядку 103-104). Крім того, за своїми фізичними властивостями ця група суттєво відрізняється від звичайних діелектриків: діелектрична проникливість не є постійною величиною, а залежить від напруженості поля. Така група діелектриків отримала назву сегнетоелектриків, від назви сегнетової солі, в якій вперше було виявлено такі особливі діелектричні властивості (формула сегнетової солі NaKC4H4 x 4H2O). Властивостями сегнетоелектриків володіє ряд інших речовин, наприклад, титанат барію (ВаТіО3).
Причиною особливих діелектричних властивостей сегнетоелектриків є наявність в них мікроскопічних областей спонтанної (самовільної) поляризації. Ці мікроскопічні
о бласті отримали назву доменів (від французького слова damaine - володіння).
В кожному з доменів дипольні моменти молекул самовільно орієнтовані в одному напрямі. Сегнетоелектрики можна уявити як своєрідну мозаїку, складену з доменів. На схематичному рис. 33.5 стрілками вказано напрям орієнтації дипольних
моментів в межах кожного домену.
У відсутності зовнішнього поля дипольні моменти доменів орієнтовані довільно (якщо перед тим сегнетоелектрики не знаходились в електричному полі).
Поляризація сегнетоелектриків відбувається за рахунок росту і зміщення границь доменів. Крім цього, відбувається поворот дипольних моментів окремих доменів в напрямі зовнішнього електричного поля. В сильному електричному полі можливе явище насичення, коли дипольні моменти всіх доменів орієнтовані вздовж зовнішнього поля.
Для сегнетоелектриків характерне явище гістерезису (запізнювання), яке полягає в тому, що крива поляризованості сегнетоелектрика при збільшенні напруженості зовнішнього поля не співпадає (відстає) з кривою поляризованості при зменшенні зовнішнього поля. В результаті сегнетоелектрик може зберігати залишкову поляризованість.
У сегнетоелектриках спостерігаються особливі ефекти, які отримали назву п’єзоефектів. Прямий п’єзоефект полягає в тому, що механічна деформація сегнетоелектрика приводить до появи на його поверхнях електричних зарядів. Зворотній п’єзоефект проявляється в деформації (стисненні або розтягу) сегнетоелектрика в зовнішньому електричному полі. Прямий і зворотній п’єзоефекти широко застосовуються на практиці для перетворення механічних коливань в електричні і навпаки.
Для кожного сегнетоелектрика існує температура, при якій відбувається руйнування його доменів - сегнетоелектрик перетворюється в звичайний діелектрик. Температура, яка відповідає такому перетворенню, називається точкою Кюрі (перетворення сегнетоелектрика в звичайний діелектрик є прикладом фазового переходу другого роду).
З алежність діелектричної проникності сегнетоелектриків від температури наведена на рис. 33.6. Спочатку з збільшенням температури збільшується діелектрична проникність сегнетоелектрика (ділянка 1-2). Таке збільшення діелектричної проникності пояснюється збільшенням рухливості структури сегнетоелектрика, що зумовлює його «легшу» поляризацію. Коли температура сегнетоелектрика стає рівною температурі Кюрі, діелектрична проникність різко зменшується (ділянка 2-3), як результат перетворення сегнетоелектрика в звичайний діелектрик, що має значно меншу діелектричну проникність.