
- •А.В. Никитин, а.Л. Якимец основы радиоэлектроники
- •Часть 2. Полупроводниковые приборы
- •Введение
- •Лабораторная работа № 7 полупроводниковый диод
- •1. Теоретические сведения
- •1.1. Электронно-дырочный переход
- •1.2. Вольт-амперная характеристика полупроводникового диода
- •1.3. Стабилитрон
- •1.4. Туннельный диод
- •2. Описание экспериментальной установки и методика измерений
- •3. Порядок выполнения работы
- •4. Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 8 биполярный транзистор
- •1. Теоретические сведения
- •1.1. Физические процессы в транзисторе
- •1.2. Вольт-амперные характеристики биполярного транзистора
- •Биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером
- •1.3. Эквивалентные схемы транзистора как четырехполюсника
- •1.4. Каскад с общим эмиттером. Методы задания рабочей точки
- •2. Описание экспериментальной установки
- •3. Порядок выполнения работы
- •4. Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 9 полевой транзистор
- •1. Теоретические сведения
- •1.1. Полевой транзистор с управляющим p-n-переходом и его характеристики
- •1.2. Усилительный каскад с общим истоком
- •1.3. Управляемые сопротивления на полевых транзисторах
- •2. Описание экспериментальной установки
- •3. Порядок выполнения работы
- •4. Контрольные вопросы
- •Список рекомендованной литературы
- •Содержание
- •Основы радиоэлектроники
- •Часть 2. Полупроводниковые приборы
- •400062, Г. Волгоград, ул. 2-я Продольная, 30.
1.3. Стабилитрон
Стабилитроном (зенеровским диодом) называют диод, предназначенный для работы в области электрического пробоя на обратной ветви вольт-амперной характеристики. Прямая ветвь ВАХ стабилитрона такая же, как и у обычного диода. Поскольку рабочим участком для стабилитрона является обратная ветвь ВАХ, положительными считают обратное напряжение и обратный ток, как это показано на рис. 6; здесь же приведено условное обозначение стабилитрона.
Рис. 5.
Вольт-амперные
характеристики кремниевого (а) и
германиевого (б) диодов
Рис. 6. Обозначение
и ВАХ стабилитрона
.
1.4. Туннельный диод
Туннельным называется диод особой конструкции, на прямой ветви ВАХ которого имеется участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением (рис. 7). Туннельный диод предназначен для генерации и усиления сигналов в области сверхвысоких частот. Основными параметрами этого диода являются токи пика Iп и впадины Iв и соответствующие им напряжения Uп и Uв. В диапазоне напряжений Uп < uак < Uв дифференциальное сопротивление туннельного диода может быть оценено по формуле
|
(6) |
и, естественно, является отрицательной величиной. Обратный ток туннельного диода существенно превосходит обратный ток обычного диода.
Рис. 7. Обозначение
и ВАХ
туннельного диода
Рис. 8. Обозначение
и ВАХ
обращенного диода
2. Описание экспериментальной установки и методика измерений
В состав лабораторной установки входят: лабораторный макет, осциллограф и соединительные провода. На макете (рис. 9) имеются гнезда для подключения исследуемого диода и резистора r последовательно со встроенным источником переменного напряжения частотой 50 Гц. Очевидно, падение напряжения на резисторе R пропорционально току через диод. Для получения ВАХ исследуемого диода необходимо на вход X осциллографа подать потенциал (относительно земли) на верхнем зажиме диода, а на вход Y – напряжение на резисторе, пропорциональное току. При этом на экране осциллографа появится зависимость
|
(7) |
которая соответствует ВАХ последовательного соединения диода и резистора R.
3. Порядок выполнения работы
Рис. 9. Лабораторный макет
При домашней подготовке изучить методические указания и нарисовать в лабораторном журнале функциональные схемы измерений.Включить осциллограф, перевести его в режим внешней развертки и с помощью калибратора прокалибровать горизонтальную ось экрана.
Установить в гнездо разъем с кремниевым диодом, а вместо резистора r использовать перемычку. Подать на вход Y осциллографа напряжение на резисторе R, пропорциональное току через диод, а на вход X – напряжение на последовательном соединении диода и резистора R. Изменяя положение луча и вертикальное усиление, добиться того, чтобы получившаяся ВАХ занимала всю рабочую часть экрана. Зарисовать полученную осциллограмму, после чего отключить оба входа осциллографа и зафиксировать положение начала координат по светящейся точке.
Повторить п. 3.3. для германиевого диода и светодиодов с различными цветами свечения.
Повторить п. 3.3. для стабилитрона, туннельного и обращенного диодов, установив резистор r сопротивлением 100–200 Ом для ограничения тока через исследуемые двухполюсники.
Построить ВАХ всех исследуемых приборов, пользуясь выражением (7) и учитывая, что по вертикальной оси на экране осциллографа наблюдалось напряжение iaR. По полученным характеристикам найти прямое падение напряжения на диодах и светодиодах Ud, напряжение стабилизации стабилитрона Uст, а также напряжения и токи пика и впадины Iп, Iв, Uп и Uв туннельного диода.
Отчет должен содержать наименование и цель работы, краткий конспект теоретических сведений, функциональную схему измерения, полученные ВАХ полупроводниковых приборов и их рассчитанные параметры.