- •А.В. Никитин, а.Л. Якимец основы радиоэлектроники
- •Часть 2. Полупроводниковые приборы
- •Введение
- •Лабораторная работа № 7 полупроводниковый диод
- •1. Теоретические сведения
- •1.1. Электронно-дырочный переход
- •1.2. Вольт-амперная характеристика полупроводникового диода
- •1.3. Стабилитрон
- •1.4. Туннельный диод
- •2. Описание экспериментальной установки и методика измерений
- •3. Порядок выполнения работы
- •4. Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 8 биполярный транзистор
- •1. Теоретические сведения
- •1.1. Физические процессы в транзисторе
- •1.2. Вольт-амперные характеристики биполярного транзистора
- •Биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером
- •1.3. Эквивалентные схемы транзистора как четырехполюсника
- •1.4. Каскад с общим эмиттером. Методы задания рабочей точки
- •2. Описание экспериментальной установки
- •3. Порядок выполнения работы
- •4. Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 9 полевой транзистор
- •1. Теоретические сведения
- •1.1. Полевой транзистор с управляющим p-n-переходом и его характеристики
- •1.2. Усилительный каскад с общим истоком
- •1.3. Управляемые сопротивления на полевых транзисторах
- •2. Описание экспериментальной установки
- •3. Порядок выполнения работы
- •4. Контрольные вопросы
- •Список рекомендованной литературы
- •Содержание
- •Основы радиоэлектроники
- •Часть 2. Полупроводниковые приборы
- •400062, Г. Волгоград, ул. 2-я Продольная, 30.
4. Контрольные вопросы
Почему для полевого транзистора не определены входные ВАХ?
Почему ток затвора полевого транзистора пренебрежимо мал?
Предложить схему на основе полевого транзистора, представляющую собой источник стабильного тока с двумя внешними выводами, включаемый последовательно с нагрузкой и источником напряжения.
Нарисовать ВАХ двухполюсника, представляющего собой последовательное соединение резистора и полевого транзистора с замкнутыми затвором и истоком.
Список рекомендованной литературы
Манаев Е.И. Основы радиоэлектроники. – М.: Радио и связь, 1985. – 504 с.
Жеребцов И.П. Основы электроники. – Л.: Энергоатомиздат, 1990. – 352 с.
Титце У., Шенк К. Полупроводниковая схемотехника: Справочное руководство: Пер. с нем. – М.: Мир, 1982. – 512 с.
Каяцкас А.А. Основы радиоэлектроники. – М.: Высш. шк., 1988. – 464 с.
Содержание
Введение . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . |
3 |
Лабораторная работа № 7. Полупроводниковый диод . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . |
4 |
1. Теоретические сведения . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . |
4 |
1.1. Электронно-дырочный переход . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . |
4 |
1.2. Вольт-амперная характеристика полупроводникового диода . . . . . . . . . . . . . . . |
7 |
1.3. Стабилитрон . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . |
9 |
1.4. Туннельный диод . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . |
10 |
2. Описание экспериментальной установки и методика измерений . . . . . . . . . . . . . . . . |
10 |
3. Порядок выполнения работы . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . |
11 |
4. Контрольные вопросы . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . |
12 |
Лабораторная работа № 8. Биполярный транзистор . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . |
13 |
1. Теоретические сведения . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . |
13 |
1.1. Физические процессы в транзисторе . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . |
13 |
1.2. Вольт-амперные характеристики биполярного транзистора . . . . . . . . . . . . . . . . |
16 |
1.3. Эквивалентные схемы транзистора как четырехполюсника . . . . . . . . . . . . . . . . |
20 |
1.4. Каскад с общим эмиттером. Методы задания рабочей точки . . . . . . . . . . . . . . . |
22 |
2. Описание экспериментальной установки . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . |
26 |
3. Порядок выполнения работы . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . |
26 |
4. Контрольные вопросы . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . |
28 |
Лабораторная работа № 9. Полевой транзистор . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . |
29 |
1. Теоретические сведения . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . |
29 |
1.1. Полевой транзистор с управляющим p-n-переходом и его характеристики . . . |
29 |
1.2. Усилительный каскад с общим истоком . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . |
32 |
1.3. Управляемые сопротивления на полевых транзисторах . . . . . . . . . . . . . . . . . . . |
34 |
2. Описание экспериментальной установки . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . |
35 |
3. Порядок выполнения работы . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . |
36 |
4. Контрольные вопросы . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . |
37 |
Список рекомендованной литературы . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . |
38 |
Никитин Андрей Викторович
Якимец Андрей Леонидович