- •Вопрос 4
- •Вопрос 5
- •Вопрос 6
- •Вопрос 7
- •Вопрос 8
- •52 Источники вторичного электропитания электронных устройств. Классификация
- •53 Параметрические стабилизаторы напряжения и тока. Схемы. Основные параметры стабилизаторов
- •54 Компенсайионный стабилизатор постоянного напряжения на транзисторах. Уровень стабилизации.
- •55 Компенсационный стабилизатор тока на биполярных транзисторах. Уровень стабильности
- •56 Компенсационный стабилизатор напряжения работающий в импулсном режиме. Достоинства и недостатки
- •57 Выпрямители. Функциональная схема. Основные показатели
- •58 Однополупериодный однофазный выпрямитель. Схема основные параметры и показатели.
- •59 Мостовая схема двухполуперодного выпрямителя на диодах. Основные параметры.
- •60 Трехфазный выпрямитель. Основные параметры. Форма кривой выходного напряжения.
Вопрос 7
ФОТОДИОД
Ф отодиод — это фотоприемник, принцип действия которого основан на фотогальваническом эффекте и фоточувствительный элемент которого имеет структуру полупроводникового диода.
Р исунок 2.18 - Устройство фотодиода |
Конструктивно его выполняют так, чтобы ря-переход был открыт для света при сохранении герметичности корпуса. Его структура изображена на рисунке 7.18. работают при обратном напряжении, поэтому в рn-переходе создается тормозящее поле для неосновных носителей. При воздействии светового потока неосновные носители образуют фототок. Фотодиоды создают на основе германия и кремния. Таким образом, ток фотодиода обусловлен дрейфом неосновных носителей заряда. Вольт-амперная характеристика представляет собой зависимость I = f(U) при Ф = const. При отсутствии освещения в цепи фотодиода протекает незначительный темновой ток. У германиевых фотодиодов он составляет 10-30 мкА, у кремниевых — 2-3 мкА. При постоянном световом потоке (Ф) и изменении напряжения Uобр фототок почти не изменился (рисунок 2.19). |
||
Рисунок 2.19 - Вольт - амперная характеристика фотодиода |
Р исунок 2.20 - Световая характеристика фотодиода |
|
При изменении светового потока ток изменяется на величину ΔI. Из характеристики видно, что сопротивление диода Rд = ΔUобр/ΔI' при Ф = const очень велико, так как большим изменениям ΔUобр соответствует малое приращение тока ΔI'. Сопротивление Rд соответствует единицам МОм.
При подаче напряжения ΔUобр выше допустимого у фотодиода наступает тепловой пробой и диод выходит из строя.
Световая характеристика — это зависимость тока в диоде от изменения светового потока при постоянном напряжении источника, то есть I=f(Ф) при ΔUобр = const.
Световая характеристика изображена на рисунке 2.20. Как мы видим, она линейна, что является большим достоинством фотодиода, так как это позволяет производить пропорциональное преобразование светового потока в электрический ток без искажения (линейность в определенных пределах, то есть при дальнейшем увеличении светового потока (Ф) увеличивается скорость рекомбинации, и не все носители переходят рn-переход).
Фотодиоды характеризуются следующими параметрами:
Iд — ток фотодиода;
Iт — темновой ток;
Rд — сопротивление диода;
Кф — чувствительность фотодиода (бывает интегральная и спектральная). Кф = ΔI/ΔФ — ее можно определить по световой характеристике фотодиода.Спектральная характеристика фотодиода зависит от материала, из которого он изготовлен. Эти приборы, так же как и фоторезисторы, инерционны из-за емкости ри-перехода. На их работу оказывает влияние изменение температуры.
В светодиодах преобразование электрической энергии в видимый свет — оптическое излучение — происходит при обычных температурах за счет свойств рп-перехода. В основе явления свечения светодиода лежит явление люминесценции.
Процесс люминесценции включает в себя два этапа.
На первом этапе происходит генерация подвижных носителей заряда, накопление энергии.
На втором этапе возникает рекомбинация, в результате которой в окружающее пространство излучается энергия, затраченная на генерацию.Для того чтобы излучаемая энергия имела спектральный состав в области видимого света, требуется подобрать соответствующий материал излучающих структур.Для получения излучения в области видимого света используют материалы с большой шириной запрещенной зоны: фосфид галлия, карбид кремния, арсе-нид галлия и др.В светодиодах применяют инжекционную люминесценцию, при которой рn-переход находится под прямым напряжением Unp, в результате чего происходит инжекция основных носителей из одной области в другую.В светодиодах излучающей является только одна область, поэтому стремятся получить максимальную инжекцию в эту область. Если излучающей является р-область, то концентрация примеси в n -области должна быть гораздо выше, чем в излучающей области, в данном случае р-области. В р-области происходит рекомбинация носителей с выделением в окружающее пространство видимого света (электромагнитного излучения).
Рисунок 2.21 - Конструкция плоскостного светодиода