- •Методические указания для подготовки к государственному экзамену по специальности по разделу «Моделирование технологических процессов».
- •10 Температурная зависимость коэффициента диффузии. Коэффициент диффузии для вакансионного механизма.
- •11 Основные уравнения модели связанной диффузии.
- •19 Особенности моделирования диффузии в поликристаллическом кремнии.
- •20 Уравнение Дила-Гроува для термического окисления кремния. График зависимости толщины окисла от времени.
- •Привести график X(t)
- •24 Алгоритм струны при моделировании травления слоев.
- •25 Модель баллистического осаждения.
- •26 Основные этапы численного моделирования процесса литографии.
- •27 Запишите базовые уравнения численного моделирования полупроводниковых приборов в дрейфово-диффузионном приближении.
- •28 Запишите базовые уравнения численного моделирования полупроводниковых приборов для термодинамической модели.
- •29 Запишите основные алгоритмы, используемые для дискретизации базовых уравнений при численном моделировании полупроводниковых приборов.
- •30 Перечислите основные факторы, определяющие сходимость численного решения.
27 Запишите базовые уравнения численного моделирования полупроводниковых приборов в дрейфово-диффузионном приближении.
Уравнение Пуассона div (εּgradψ) = -ρ;
Уравнения непрерывности: = div Jn + (G – R);
= div Jр + (G – R);
Уравнения переноса Jn = - qμ nּgrad φ ;
Jp = - qμ pּgrad φ ;
где ε – диэлектрическая проницаемость; ψ – электростатический потенциал; ρ – плотность объемного заряда; ρ = -qּ(n – p + N); n, p – концентрация электронов и дырок; N – алгебраически суммарная концентрация электрически активной примеси; Jn, Jp – плотность электронного и дырочного тока; (G – R) – суммарный вклад процессов генерации – рекомбинации носителей; μ , μ -подвижности электронов и дырок; φ , φ - квазиуровни Ферми для электронов и дырок.
28 Запишите базовые уравнения численного моделирования полупроводниковых приборов для термодинамической модели.
В термодинамическом приближении учитываются термоэлектрические эффекты, связанные с неоднородным распределением температуры.
Уравнение Пуассона div (εּgradψ) = -ρ;
Уравнения непрерывности: = div Jn + (G – R);
= div Jр + (G – R);
Уравнения переноса Jn = - qμ n (grad φ + grad T)
Jp = - qμ p (grad φ + grad T)
где ε – диэлектрическая проницаемость; ψ – электростатический потенциал; ρ – плотность объемного заряда; ρ = -qּ(n – p + N); n, p – концентрация электронов и дырок; N – алгебраически суммарная концентрация электрически активной примеси; Jn, Jp – плотность электронного и дырочного тока; (G – R) – суммарный вклад процессов генерации – рекомбинации носителей; μ , μ - подвижности электронов и дырок; φ , φ - квазиуровни Ферми для электронов и дырок, Pn, Pp – величины термоэдс для электронов и дырок, Т – температура (Тn=Tp=TL)
29 Запишите основные алгоритмы, используемые для дискретизации базовых уравнений при численном моделировании полупроводниковых приборов.
- метод конечных разностей (МКР);
метод конечных элементов (МКЭ)
триангуляция Делоне
В методе конечных разностей сетка состоит из линий, параллельных осям координат. Шаг сетки может меняться.
а) |
б) |
Рисунок 9 – Метод конечных разностей: а – вид сетки; б – схема дискретизации.
+ …
В методе конечных элементов сетка треугольная или комбинированная прямоугольно-треугольная.
Рисунок 10 Вид сетки при использовании метода конечных элементов.
Значение функции внутри элемента:
Для треугольника ua(x,y) = a0 + a1x + a2y;
для прямоугольника ua(x,y) = a0 + a1x + a2y + a3xy;
значения коэффициентов определяются по значениям функции в узлах сетки.
Триангуляция Делоне – построение, ортогональное разбиению Дирихле:
|
|
а) |
б) |
Рисунок 11 – Построение сетки методом триангуляции Делоне: а- разбиение Дирихле; б - триангуляция Делоне.
30 Перечислите основные факторы, определяющие сходимость численного решения.
Базовые дифференциальные уравнения для моделирования полупроводниковых приборов после дискретизации могут быть представлены как система большого числа нелинейных алгебраических уравнений F(x)=0.
Система может быть решена итеративно методом Ньютона
.
Точность вычислений может быть потеряна при расчете правой части и при расчете Якобиана. Количественно распространение ошибки вычислений задается коэффициентом усиления ошибки, который определяется для функции y(x) следующим образом:
Сходимость зависит от:
- разрядности вычислительной системы (машинная точность);
- коэффициента усиления ошибки при расчете правой части;
- коэффициента усиления ошибки при расчете Якобиана;
- особенностей решаемой физической проблемы
Литература
1. Королев М.А., Крупкина Т.Ю., Ревелева М.А. Технология, конструкции и методы моделирования кремниевых интегральных микросхем. Ч.1 Технологические процессы изготовления кремниевых интегральных схем и их моделирование. М., БИНОМ. Лаборатория знаний. 2007.
2. Королёв М. А., Крупкина Т. Ю., Путря М. Г., Шевяков В. И. Технология, конструкции и методы моделирования кремниевых интегральных микросхем, Ч. 2.- БИНОМ. Лаборатория знаний, 2009.
3. Артамонова Е.А., Балашов А.Г., Ключников А.С., Красюков А.Ю., Поломошнов С.А. Под ред. Крупкиной Т.Ю. Лабораторный практикум по курсу «Моделирование в среде TCAD». Ч.1 Введение в приборно-технологическое моделирование М.: МИЭТ, 2009