
- •25. Тиристоры, классификация.
- •26. Структура тиристора, принцип действия.
- •27. Параметры тиристоров.
- •40. Силовые биполярные транзисторы.
- •41. Силовые ключи на моп транзисторах.
- •42. Биполярные транзисторы с изолированным затвором.
- •29. Управляемый выпрямитель со средней точкой и с активной нагрузкой.
- •30. Управляемый выпрямитель со средней точкой и с индуктивной нагрузкой.
- •31. Инвертор, ведомый сетью.
- •16.1 Однофазный регулятор переменного напряжения с фазовым способом регулирования
- •С чисто активной нагрузкой ( ); 2- с чисто индуктивной нагрузкой ( )
- •35. Преобразователи постоянного напряжения понижающий.
- •36. Преобразователи постоянного напряжения повышающий.
- •37. Преобразователи постоянного напряжения повышающий с инверсией.
- •38. Автономный инвертор тока.
- •39. Автономный инвертор напряжения.
- •11.1 Выпрямители
- •11.2.1 Емкостный фильтр
- •Сглаживающие г- образные фильтры
- •11.3 Внешние характеристики источников питания
41. Силовые ключи на моп транзисторах.
МОП транзисторы, т.е. имеющие структуру метал – оксид – полупроводник, управляются электрическим полем. В качестве силового ключа используются полевые транзисторы с индуцированным вертикальным каналом (рисунок 13.5,а).
Рисунок 13.5 - Структура полевого транзистора с индуцированным вертикальным каналом (а) и его эквивалентная схема (b)
Он
представляет собой р
–канальный транзистор, n
области стока и истока которого
выполняются с повышенной концентрацией,
что позволяет снизить сопротивление
открытого транзистора. При изготовлении
полевого транзистора с вертикальным
каналом получается дополнительный
транзистор
,
который не находит практического
применения. Эквивалентная схема (рисунок
13.5,b)
содержит биполярный транзистор, резистор
равный объемному сопротивлению р
области. Благодаря этому сопротивлению
биполярный транзистор заперт и не
оказывает существенного влияния на
работу ключа. Значение резистора
в эквивалентной схеме равно сопротивлению
канала.
Рассмотрим схему ключа с учетом влияния междуэлектродных емкостей (рисунок 13.6,а) и определим состояния ключа по выходной характеристике транзистора (рисунок 13.6,b).
Рисунок 13.6 - Схема ключа на полевом транзисторе (а)
и выходная характеристика (b)
При открывании транзистора необходимо его входную емкость зарядить до порогового напряжения, а при закрывании транзистора емкость следует разрядить. Это приводит к увеличению длительности процессов коммутации. Поэтому ключом следует управлять от источника с очень малым выходным сопротивлением, положим его равным нулю. Тогда общая емкость, подключенная к стоку, равна
,
(13.6)
где
- емкость нагрузки,
-
емкость монтажа,
- емкость сток – исток,
-
емкость сток – затвор.
Транзистор может находиться в двух устойчивых состояниях.
Транзистор
закрыт, точка 1 на выходных характеристиках
,
,
,
сопротивление канала
,
общая емкость
заряжена до значения
.
Транзистор
открыт, точка 2 на выходных характеристиках
,
,
сопротивление канала
,
причем
.
Эквивалентная схема процесса коммутации и временная диаграмма показаны на рисунке 13.7.
Рисунок 13.7 - Эквивалентная схема (а)
и временная диаграмма работы (b) ключа
При
подаче положительного напряжения на
вход ключа индуцируется канал, и емкость
начинает разряжаться постоянным током
через открытый канал, напряжение на
стоке изменяется по закону
,
(13.7)
т.к. - сonst, то
,
(13.8)
если
,
тогда
.
Время включения ключа определяется как
.
(13.9)
В процессе переключения линия 1-3 на выходных характеристиках (рисунок 13.6,b) перемещается параллельно до тех пор, пока точка 3 не окажется в точке 2.
Рассмотрим
процесс закрытия транзистора. Транзистор
закрывается, если
,
ток
,
практически мгновенно ток становится
равным нулю, ключ S
размыкается, начинается процесс заряда
емкости
через сопротивление
по закону
,
где
.
(13.10)
За
время выключения
принимается интервал времени, за который
напряжение на стоке достигнет 90% от
установившегося значения
,
(13.11)
.
(13.12)
Сравнивая
выражения времени включения и времени
выключения, учитывая, что
,
можно установить, что
.
Преимущества силовых ключей на МОП транзисторах:
Высокое быстродействие.
Малое потребление мощности в цепи управления.
Возможно параллельное соединение нескольких транзисторов.
Основной недостаток – это большая мощность, выделяемая на транзисторе в открытом состоянии, она пропорциональна квадрату тока.