- •Общая технология производства полупроводниковых приборов и имс
- •Урок Основы эвг.
- •Урок Микроскопы.
- •Тема: Общая характеристика полупроводникового
- •Производства.
- •Общая характеристика полупроводникового производства.
- •Тема: Механическая обработка. Урок Требования, предъявляемые к полупроводниковым пластинам.
- •Непараллельность
- •Урок Резка слитков на пластины.
- •Шлифовка и полировка.
- •Тема: Химическая обработка. Урок Виды загрязнений. Обезжиривание.
- •Урок Травление. Очистка в h2o
- •Очистка в н2о.
- •Отмывка струей
- •Гидромеханическая отмывка
- •Тема: Эпитаксия. Урок Общие сведения об эпитаксии.
- •Подложка
- •Хлоридный метод эпитаксии.
- •Силановый метод эпитаксии.
- •Тема: Окисление Урок Термическое окисление.
- •Урок Осаждение пленок SiO2.
- •Тема Осаждение пленок Si3n4 и поликремния. Урок Осаждение пленок нитрида кремния.
- •Тема Фотолитография Урок Фотолитография. Назначение основных операций.
- •Урок Подготовка поверхности подложки. Нанесение фоторезиста. Сушка фоторезиста.
- •2. Хорошо смачивается фоторезистом, т.Е. Поверхность гидрофильна к фоторезисту ( θфоторезиста →0° )
- •Нанесение слоя фоторезиста.
- •Метод центрифугирования:
- •Сушка слоя фоторезиста.
- •Урок Совмещение и экспонирование
- •Урок Проявление фоторезиста
- •Задубливание фоторезиста
- •Урок Травление технологического слоя
- •Удаление фоторезиста
- •Тема: Изготовление фотошаблонов Урок Изготовление фотошаблонов
- •1. Изготовление первичного оригинала.
- •2. Изготовление промежуточного фотооригинала (пфо).
- •3. Изготовление эталонного фотошаблона.
- •4. Изготовление рабочих фотошаблонов.
- •Основные механизмы диффузии.
- •1. Вакансионный механизм.
- •2. Межузельный механизм.
- •2. Диффузия из ограниченного источника примеси -
- •Двухстадийная диффузия.
- •Способы проведения диффузии.
- •Тема: Ионное легирование Урок Механизм ионного легирования. Схема установки ионного легирования.
- •Урок Основные параметры ионного легирования. Особенности ионного легирования. Основные параметры процесса ионного легирования.
- •2. Плотность тока ионного пучка j
- •3. Доза облучения q
- •Угол наклона ионного пучка к направлению главной кристаллографической
- •Особенности ионного легирования.
- •Тема: Плазмохимические процессы. Урок Общие сведения о вакууме, ионизации газа, плазме.
- •Урок Плазмохимическое осаждение SiO2
- •Урок Плазмохимическое травление ( пхт )
- •Плазмохимическое удаление фоторезиста ( пхуф )
- •Тема: Металлизация Урок Общие сведения о металлизации
- •Урок Термическое испарение в вакууме
- •Ионное распыление
- •Тема: Общие сведения о технологии сборочных работ. Урок Разделение пластин на кристаллы.
- •Урок Методы сборки.
- •Сварка.
- •Склеивание.
- •Урок Этапы сборки.
- •I. Монтаж кристаллов.
- •II. Подсоединение электродных выводов.
- •III. Герметизация.
- •Тема: Испытания. Заключительные операции. Урок Испытания. Заключительные операции.
- •Список рекомендуемой литературы по курсу "Общая технология производства полупроводниковых приборов".
- •По темам курса:
- •Содержание
Урок Этапы сборки.
I. Монтаж кристаллов.
Монтаж кристалла (посадка кристалла в корпус) - это подсоединение ИМС к основанию корпуса рабочей поверхностью вверх.
Требования, предъявляемые к монтажу кристаллов:
обеспечение высокой механической прочности соединений;
обеспечение хорошего теплоотвода от ИМС;
обеспечение хорошей электропроводности соединений;
температуры и сжимающие усилия при выполнении монтажа не должны нарушать ранее полученные соединения, ухудшать параметры ИМС, разрушать их механическую целостность.
Монтаж кристаллов осуществляют методами пайки или склеивания.
II. Подсоединение электродных выводов.
После подсоединения кристалла к основанию корпуса следует соединение контактных площадок ИМС с внешними выводами корпуса.
Эти соединения осуществляют в основном с помощью проволочного монтажа. Для проволочного монтажа используют проволочки из золота, алюминия, сплавов алюминий-кремний, алюминий - магний.
Основные особенности электродных соединений:
большая разница толщин соединяемых объектов;
сложность точного совмещения из-за малых размеров соединяемых объектов;
большой объем индивидуальных проволочных подсоединений;
высокий процент отказов ИМС из-за дефектов соединений.
Для присоединения электродных выводов применяют термокомпрессионную сварку ("клином" внахлестку, "шариком" встык), сварку с косвенным импульсным нагревом, сварку сдвоенным электродом, ультразвуковую сварку, лазерную сварку.
Достоинства проволочного монтажа:
возможность визуального контроля качества соединений;
способность проволочных соединений передавать значительные мощности;
хорошая освоенность производством способов сварки проволочных контактов.
III. Герметизация.
Герметизацию проводят для полной изоляции кристаллов ИМС от окружающей среды, содержащей влагу и активные вещества, способные вызвать коррозию, химические взаимодействия и, в результате, привести к выходу ИМС из строя.
Герметизация бывает корпусная и бескорпусная.
При корпусной герметизации предварительно изготавливают элементы корпусов -основания с изолированными выводами, крышки и вспомогательные детали.
После монтажа кристалла (посадки кристалла в корпус) и подсоединения электродных выводов к основанию корпуса присоединяют крышку, в результате чего образуется замкнутый объем.
Соединение крышки с основанием корпуса осуществляют методами сварки, пайки и склеивания (метод выбирают в зависимости от конструкции, типа и размера корпуса).
Корпуса бывают: металлостеклянные, металлокерамические, стеклянные, керамические, пластмассовые.
При бескорпусной герметизации процесс герметизации совмещен с формированием корпуса (т.е. корпус заранее не изготавливают). При этом методе свободное пространство между элементами ИМС заполняют полимеризующимся электроизоляционным составом (компаундом), который при затвердении образует монолитную оболочку. Компаунды изготавливают на основе эпоксидных или полиэфирных смол.
Бескорпусную герметизацию выполняют обволакиванием герметиком, заливкой полимером, литьевым прессованием.