Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Лекции по АП и ИВК / Лекции / 05. Комплексы контроля ГТД (давление).doc
Скачиваний:
237
Добавлен:
02.05.2014
Размер:
4.41 Mб
Скачать

2.2Чувствительные элементы датчиков давления

Чувствительные элементы определяются упругой характеристикой, чувствительностью, жесткостью, эффективной площадью (для мембран и сильфонов), резонансными частотами и точностью преобразования измеряемого параметра.

Упругой характеристикой принято называть зависимость между перемещением λ определенной (измерительной) точки упругого элемента и величиной нагрузки Р (давление). Конструкция, способ заделки и вид нагружения упругого элемента определяют его характеристику, которая может быть линейной и нелинейной, возрастающей или затухающей.

Нелинейностью η характеристики называют наибольшее отклонение Δmax действительной характеристики (полученной экспериментально) от теоретической линейной, отнесенное к наибольшему перемещению измерительной λmax точки упругого элемента, обычно выражаемое в процентах:

Чувствительность S упругого элемента является одним из основных его параметров и выражается отношением:

.

Для упругих элементов с линейной характеристикой:

.

Понятие эффективной площади вводят для мембран и сильфонов:

,

где Q – сила, которую развивает мембрана или сильфон в измерительной точке под воздействием давления р.

Эффективную площадь определяют по приближенным формулам.

Резонансные частоты колебаний упругих элементов датчиков в значительной степени определяют их динамические характеристики и запаздывание в преобразовании измеряемого давления. В практике резонансные частоты определяют в основном экспериментальным путем.

Типы упругих элементов

Таблица 1

Типы упругих элементов.Конструктивная схема

Наименование

Тип датчика

Расчетные зависимости

Габаритные размеры, мм

Балка, заделанная с двух сторон

Тензорезисторные датчики контактных давлений:

;

h = 0.1 - 0.3 , l = 2 - 5 , b = 2 - 4

Цилиндрическая пружина сжатия

Гальваномагнитные датчики

давления.

,

где С – жесткость; n – число рабочих витков.

Dср = 2 - 3 ,d = 0.1 - 0.2 ,h = 6 -15

Струна

Частотные датчики давления

;;

d = 0.05 - 0.2 , l = 40 – 100

Продолжение таблицы 1

Конструктивная схема

Наименование

Тип датчика

Расчетные зависимости

Габаритные размеры, мм.

Плоская мембранная плита, выполненная за одно целое с корпусом датчика.

Применяется в емкостных датчиках, рассчитанных на высокие давления.

D=11 , h=1

Плоская мембранная плита с жестким центром.

Емкостные на высокие давления.

D=11 , d=1 - 2 , h=1

Плоская мембрана, защемленная с двух сторон в корпус датчика.

Полупроводниковые

Датчики давления

D=2.5 - 10 , h=0.2 - 05

Плоская сварная мембрана

Тензорезисторные, гальваномагнитные и емкостные датчики давления.

D=5 - 20 , h=0.1 - 0.4

Плоская мембрана с выпуклым жестким центром.

Тензорезисторные датчики контактных давлений

D=2.5 - 4 , h=0.1- 0.2

Продолжение таблицы 1

Конструктивная схема

Наименование

Тип датчика

Расчетные зависимости

Габаритные размеры, мм.

Плоская колпачковая мембрана

Тензорезисторные датчики давления

D = 3 – 10 , h = 0.05 – 0.17

Гофрированная

мембрана с

тороидальным краевым гофром и линейной

характеристикой.

Тензорезисторные и

гальваномагнитные датчики давления

D = 20 - 35 , h = 0.05 – 0.1

Малогабаритный

сварной сильфон.

Гальваномагнитные датчики давления

D = 3 –5 , l = 5 - 10

Точечный сильфон с одним гофром,

работающий на изгиб.

Струнные датчики давления

D=12 , h=0.2

Обычный

малогабаритный

сильфон

Гальваномагнитные датчики давления

D = 10 - 40 , h = 0.1 - 0.2

Балка равного

сопротивления

Тензорезисторные датчики давления

h = 0.1 - 0.5 , l = 10 - 20