
- •Логические элементы Общие сведения.
- •Логические элементы базиса и, или, не на дискретных компонентах. Диодный элемент или (сборка)
- •Диодный элемент и (схема совпадения)
- •Транзисторный элемент не (инвертор)
- •Интегральные логические элементы базиса и-не и их параметры.
- •Элемент и-не диодно-транзисторной логики (дтл)
- •Элемент и-не диодно-транзисторной логики (дтл)
- •Основные параметры интегральных логических элементов
- •Логический элемент эмиттерно-связанной логики
- •Логические элементы на мдп-транзисторах
- •Логические элементы интегральной инжекционной логики
Логический элемент эмиттерно-связанной логики
Типовая схема интегрального элемента эмиттерно-связанной логики приведена на рис. 2.15.
рис. 2.15.
Транзисторы VT0, VT1, VT2, VT3 работают в схеме переключателя тока, транзисторы VT4, VT5 - в выходных эмиттерных повторителях. На схеме показаны значения потенциалов в различных точках при подаче на вход напряжения уровня лог.1; в скобки заключены значения потенциалов тех же точек для случая, когда на все входы элемента подано напряжения уровня лог.0. Значения этих потенциалов соответствуют следующим уровням:
напряжение источника питания Eк = 5 В;
уровень лог.1 U1 = 4,3 В;
уровень лог.1 U0 = 3,5 В;
напряжение между базой и эмиттером открытого транзистора Uбэ = 0,7 В.
Рассмотрим принцип работы интегрального логического элемента ЭСЛ (см. рис. 2.15).
Пусть на Вх1 подается напряжение U1 = 4,3 В. Транзистор VT1 открыт; эмиттерный ток этого транзистора создает на резисторе R падение напряжения Uа = U1-Uбэ = 4,3 - 0,7 = 3,6 В; коллекторный ток создает на резисторе Rк1 напряжение URк1 = 0,8 В; напряжение на коллекторе транзистора Uб = Eк - URк1 = 5 - 0,8 = 4,2 В.
Напряжение
между базой и эмиттером транзистора
VT0
Uбэ VT0 =
U - Uа
= 3,9 - 3,6 = 0,3 В; это напряжение недостаточно
для открывания транзистора VT0.
Таким образом, открытое состояние любого
из транзисторов VT1,
VT2,
VT3
приводит к закрытому состоянию транзистора
VT0.
Ток через резистор Rк2
весьма мал (течет лишь базовый ток
транзистора VT5)
и напряжение на коллекторе VT0
.
Рассмотрим другое состояние логического элемента. Пусть на всех входах действует напряжение лог.0 U0 = 3,5 В. При этом оказывается открытым транзистор VT0 (из всех транзисторов, эмиттеры которых объединены, открывается тот, на базе которого более высокое напряжение); Uа = U - Uбэ = 3,9 - 0,7 = 3,2 В; напряжение между базой и эмиттером транзисторов VT1, VT2, VT3 равно Uбэ VT1...VT0 = U0 - Uа = 3,5 - 0,7 = 0,3 В и эти транзисторы закрыты; Uб = 5 В; Uв = 4,2 В.
Напряжения от точек б и в передаются на выходы элемента через эмиттерные повторители; при этом уровень напряжения снижается на значение Uбэ = 0,7 В. Обратим внимание на то важное обстоятельство, что напряжения на выходах равны U1 (4,3 В), либо U0 (3,5 В).
Выясним, какая логическая функция формируется на выходах элемента.
В
точке в и на Вых2
образуется напряжение низкого уровня
при открытом транзисторе VT0,
т.е. в случае, когда х1
= 0, х2
= 0, х3
= 0. При любой другой комбинации значений
входных переменных транзистор VT0
закрыт и на Вых2
образуется напряжение высокого уровня.
Из этого следует, что на Вых2
формируется дизъюнкция переменных
х1Vх1Vх1.
На Вых1
формируется функция ИЛИ-НЕ
.
Следовательно, логический элемент выполняет операции ИЛИ-НЕ и ИЛИ.
В микросхемах ЭСЛ точку г делают общей, а точку д подключают к источнику питания с напряжением -5В. В этом случае потенциалы всех точек схемы снижаются до 5 В.
Рассмотренный логический элемент относится к классу наиболее быстродействующих элементов (малое время задержки распространения сигнала) обеспечивается следующими факторами: открытые транзисторы находятся в активном режиме (не в режиме насыщения); применение на выходах эмиттерных повторителей обеспечивает ускорение процесса перезаряда емкостей, подключенных к выходам; транзисторы включены по схеме включения с общей базой, что улучшает частотные свойства транзисторов и ускоряет процесс их переключения; выбран малым перепад логических уровней U1-U0 = 0,8 В (однако это приводит к сравнительно низкой помехоустойчивости элемента).