Транзисторный элемент не (инвертор)

 

рис. 2.6.

Операция НЕ может быть реализована ключевым элементом, представленным на рис. 2.6,а. Следует иметь в виду, что этот элемент выполняет операцию НЕ только при потенциальной форме представления логических величин. При низком уровне входного сигнала, соответствующем лог.0, транзистор закрыт, на его выходе устанавливается напряжение высокого уровня Е (лог1). И наоборот, при высоком уровне входного напряжения (уровне лог.1) транзистор насыщен, на его выходе устанавливается напряжение, близкое к нулю (уровня лог.0). Графики входных и выходных напряжений представлены на рис. 2.6,б.

Интегральные логические элементы базиса и-не и их параметры.

Интегральные логические элементы используются при потенциальной форме представления логических величин.

Элемент и-не диодно-транзисторной логики (дтл)

Схема интегрального элемента И-НЕ типа ДТЛ показана на рис. 2.7. Элемент может быть разбит на две последовательно включенные функциональные части. Входные величины подаются на часть, представляющую собой диодный логический элемент И. Вторая часть элемента, выполненная на транзисторе, представляет собой инвертор (выполняющий операцию НЕ). Таким образом, в элементе последовательно выполняются логические операции И и НЕ и, следовательно, в целом он реализует логическую операцию И-НЕ.

Если на всех входах элемента действует напряжение высокого уровня (лог.1), то на выходе первой части схемы (в точке А) образуется напряжение высокого  уровня. Это напряжение через диоды VD передаются на вход транзистора, который оказывается в режиме насыщения, на выходе элемента напряжение низкого уровня (лог.0).

рис. 2.7.

Если же хотя бы на одном из входов будут действовать напряжение низкого уровня (лог.0), то в точке А образуется напряжение низкого уровня (близкого к нулю), транзистор закрыт и на выходе элемента напряжение высокого уровня (лог.1). Работа диодного элемента И в интегральном исполнении отличается от работы рассмотренного выше такого же элемента на дискретных компонентах тем, что при одновременной подаче лог.1 на все входы - все диоды оказываются закрытыми. Благодаря этому уменьшается до весьма малого значения потребление тока от источника, подающего на вход напряжение лог.1.

Рассмотрим подробнее работу инверторной части элемента. Вначале отметим некоторые особенности транзисторов интегральных микросхем. В микросхемах используются кремниевые транзисторы типа n-p-n (при этом напряжение коллекторного питания имеет положительную полярность и транзистор открывается при положительном напряжении между базой и эмиттером). На рис. 2.8 показана типичная зависимость тока коллектора от напряжения между базой и эмиттером в активном режиме. Особенность этой характеристики в том, что практически транзистор начинает открываться при относительно высоких значениях базового напряжения (обычно превышающих 0,6 В). Эта особенность позволяет обходиться без источников базового смещения, так как  и при положительных напряжениях на базе в десятые доли вольта транзистор оказывается практически закрытым. Наконец, еще одна особенность транзистора микросхем состоит в том, что напряжение между коллектором и эмиттером в режиме насыщения сравнительно высоко (оно может быть 0,4 В и выше).

рис. 2.8.

Пусть сигналы на входы логического элемента подаются с выходов аналогичных элементов. Примем напряжение лог.1 равным 2,6 В, напряжение лог.0 равным 0,6 В, напряжения на открытых диодах и напряжение база - эмиттер насыщенного транзистора равными 0,8 В.

При подаче на все входы (см. рис. 2.7) напряжения 2,6 В (уровень лог.1) закрываются диоды на входах, ток от источника Е₁ через резистор R₁, диоды VD проходит в базу транзистора, устанавливая транзистор в режим насыщения. На выходе элемента образуется напряжение низкого уровня 0,6 В (уровень лог.0). Напряжение U_А равно сумме напряжений на диодах VD и напряжения U_БЭ: 3·0,8 = 2,4 В. Таким образом, входные диоды оказываются под обратным напряжением 0,2 В.

Если хотя бы на один из входов подается напряжение низкого уровня 0,6 В (уровень лог.0), то ток от источника Е₁ замыкается через резистор R₁, открытый входной диод и источник входного сигнала. При этом U_А = 0,8 + 0,6 = 1,4 В. При таком напряжении транзистор оказывается закрытым благодаря смещению, обеспечиваемому диодами VD (эти диоды называются смещающими диодами). Ток от источника  Е₁, протекая через резистор R₁, диоды VD и резистор R₂, создает на смещающих диодах падение напряжения, близкое к U_А. Напряжение U_БЭ положительно, но значительно меньше 0,6 В, и транзистор закрыт.