- •1.Классификация современных методов анализа. Краткая характеристика спектроскопических, дифракционных методов и методой анализа поверхности.
- •2.Измерения и обработка результатов при анализе веществ.
- •3.Основные понятия атомно- эмиссионной спектроскопии. Краткие теоретические основы эмиссионного спектрального анализа.
- •4.Характеристика способов атомизации материалов при проведении атомно-эмиссионного спектрального анализа.
- •5.Способы и устройства для регистрации излучения в атомно-эмиссионном спектральном анализе.
- •6.Способы и устройства для разложения электромагнитного излучения в спектр в видимом и уф диапазоне.
- •7.Качественный атомно-эмиссионого спектрального анализ.
- •8.Количественный атомно-эмиссионного спектрального анализ
- •9.Аналитические характеристики атомно- эмиссионного спектрального анализа.
- •10.Основные факторы влияющие на достоверность результатов атомно-эмиссионного спектрального анализа.
- •11.Общая характеристика ик и кр годометодов колебательной спектроскопии
- •12.Теоретические основы колебательных спектров молекул.
- •13.Объединенный закон поглощения Бугера - Ламберта - Бера. Метод базовой линии.
- •14.Приборы и экспериментальная техника ик спектроскопии. Схема и принцип работы двухлучевого ик спектрометра с последовательным сканированием и регистрацией спектра.
- •15.Приборы и экспериментальная техника спектроскопии. Фурье ик спектрометр.
- •16.Методика подготовки образцов в ик спектроскопии.
- •17.Понятие о кр спектроскопии. Эффект комбинационного рассеяния света.
- •18.Приборы и методики кр -спектроскопии.
- •20.Основные практические задачи решаемые ик и кр спектроскопией вмс.
- •21.Природа рентгеновского излучения. Рентгеновская трубка.
- •22.Диспергирующие устройства и детекторы рентгеновского излучения.
- •23.Рентгенооптические схемы спектрометров.
- •24.Рентгеноспектральный микроанализ с использованием растрового электронного микроскопа.
- •25.Рентгеновский флуоресцентный анализ
- •26.Растровая электронная микроскопия (рэм). Эффекты, возникающие при взаимодействии электронов с веществом.
- •27.Устройство электронных микроскопов, принцип работы, аналитические характеристики
- •28.Теоретические основы возникновения топографического и элементного контраста.
- •29.Формирование изображения поверхности с использованием вторичных и отраженных электронов.
- •30. Основные физические принципы сканирующей зондовой микроскопии.
- •31. Принцип действия и устройство зондовых микроскопов.
- •32. Основные аналитические характеристики сканирующей атомно-силовой микроскопии.
1.Классификация современных методов анализа. Краткая характеристика спектроскопических, дифракционных методов и методой анализа поверхности.
Классификация СМАМ: химические, физико-химические, Физические(спектроскопические, дифракционные, методы анализа пов-ти и тонких пленок). Химические методы основаны на проведении хим реакций. различают: -гравиметрический измерение массы не растворимого осадка; - титрометрический основан на измерении объема раствора пошедшего на химическую реакцию с определенным компонентой Х. Физические методы если регистрируемый прибор аналитический сигнал и его изменение связано с изменением физического св-ва анализируемого вещ-ва, которое непосредственно связано со структурой вещ-ва концентрации определенного компонента. если физ. св-во проявляется или изменяется в след-м хим реакции то такой метод относиться к физико-химическому, физические св-ва изменяется вследствие хим реакции. Спектроскопический метод исследуют зависимость интенсивности поглощения или испускания излучения от частоты(длины волны) и охватывают различные типы энергетических переходов: электронные 1014-1016, колебательные1012-1014, вращательные1010-1012, изменение магнитного момента электронов109-1011.В зависимости от условий получают различные спектры: поглощение, испускание, рассеивание. Дифракционные методы основаны на упругом рассеивании излучения или частиц. рентгенография 1 анкстрем, электронография 10-2 А, нейтронография 1А.Изменяют интенсивность рассеивания в зависимости от угла рассеивания. Распределение интенсивности зависит от структурных параметров. например длины волны дебройля λ0=h/p
2.Измерения и обработка результатов при анализе веществ.
Точность – близость полученных результатов к истинному значению измерений величины (оценивается величиной погрешности).
-технические(для которых погрешность результатов опр-ся средством измерения);
-контрольно-поверочные(при которых погрешность не должна превышать некоторого заданного значения);
-измерение максимально-возможной точности( которые достижимые при сущ0ем уровне науки и техники).
Причины погрешностей: Несовершенство методов, средств измерения и методик; Непостоянство условий измерения; Недостаточный опыт персонала, низкая квалификация.
Погрешности: -инструментальные(зависти от погрешности применяемых средств измерения, не совершенствование конструкции, износ, неправильная установка) ; -методические( возникает из-за использ упрощения и допущений использов геометрических формул когда отсутствует строгое обоснование научного объяснения метода).
Чувствительность – параметр, характеризующий изменения измеряемой величины сигнала Y при изменении измеряемого свойства С.
Воспроизводимость – параметр, отражающий случайные ошибки измерения и показывающий степень разброса повторных измерений.
Предел обнаружения – наименьшая концентрация, которую можно обнаружить с доверительной вероятностью Р.
Предел обнаружения- наименьшая концентрация. которую можно обнаружить с определимой доверительной вероятностью Р.