![](/user_photo/2706_HbeT2.jpg)
- •1.Потенц барьер на пов-ти. Работа выхода.
- •2.Термоэлектронная эмиссия и её законы.
- •3.Термоэлектронная эмиссия при наличии ускоряющего поля.
- •4.Электростатическая эмиссия.
- •5.Фотоэлектронная эмиссия и её законы.
- •6.Характеристики и параметры фотоэлектронной эмиссии.
- •7.Вторичная электронная эмиссия.
- •15. Статические параметры диодов.
- •19. Физические процессы в триоде.
- •14. Реальна вах двохэлектродных вакуумных систем и ее отличие от теоретической.
- •8.Характеристики катода.
- •Параметры катодов
- •Катоды из чистых металлов
- •Плёночные катоды
- •Полупроводниковые катоды.
- •9.Движение ел. В однородном эл. Поле
- •10. Движ. Эл. В неоднородном эл. Поле.
- •11. Движение электронов в магнитном поле
- •12.Влияние обемного заряда напрохождение тока в двух зл. Лампе.
- •23.Рабочие параметры триода.
- •24.Выбор рабочего режима триода.
- •20.Статические характеристики и параметры триода.
- •21.Токораспределение и закон 3/2 для трех электродных ламп.
- •22. Характеристики триода в рабочем режиме.
- •25 Экранирующая сетка в эл. Лампе.
- •26. Динатронный эффект в тетродах.
- •27.Лучевой тетрод
- •28.Пентод и его характеристики.
- •29. Устройство электронно--лучевой трубки.
- •30.Системы что фокусируют, и системы что отклоняют, элт.
- •31. Экраны элт
- •32. Кинескопы
- •33.Электронновакуумные и газонаполненные фотоэлементы.
- •34. Фотоэлектронный умножитель
- •35. Види електричного розряду в газі. Збудження і іонізація атомів газу.
- •36. Самостоятельный разряд в газе
- •38. Пролетный клистрон
- •39. Отражательный клистрон
- •40. Магнетрон
- •1.Потенц барьер на пов-ти. Работа выхода.
- •2.Термоэлектронная эмиссия и её законы.
- •1.Потенц барьер на пов-ти. Работа выхода.
- •2.Термоэлектронная эмиссия и её законы.
14. Реальна вах двохэлектродных вакуумных систем и ее отличие от теоретической.
Io обусловлен тем, что электроны, покидающие котод имеют ненулевые скорости, отсюда – одладают энергией. С увеличением напряжения накала катода(увеличения енергии катода). Анода (начало ВАХ) будет смещатся в сторону более отрицательного направления. БВ- практически линейны, ВГ-соответствует плавному преходу от режима объемного заряда к режиму насыщения. В области насыщения (ГД) анодный ток на реальной ВАХ будет продолжать расти, это объясняется еффектом Шотки и дополнительным нагревом катода, анодным током. У оксидных катодов эффект Шотки и дополнительный нагрев катода выражены сильнее чем у остальных типов катода. На начальном участке характеристики на анодный ток большое влияние оказывает начальная скорость электронов. Обладаю начальными скоростями електрон при Ua=0 могут преодолеть тормозящее поле и создать Iao. Величина этого тока зависит от конструкции ел. Чем больше площадь и чем меньше рассояние между ними тем больше Iao Кроме того величина этого тока зависит от температуры катода. Для того чтобы полностью прекратить попадание електронов нв анод необходимо подать на него некоторое отрицательное напряжения – например запирающее. На начальную часть ВАХ также оказывает влияние магнитное поле тока накала. Электрон, вылетающий из катода и двигающийся к аноду, подвергается действию маг. Поля, которое создается вокруг катода, проходящим по нему тока накала. Врезультате траектория движения електронов искривляется и часть электронов не попадает на анод, отсюда Iа падает. При большом H траэктория всех электронов могут быть искривлены так сильно, что электроны возвращаются на катод –магнитронный еффект накала. Действительная ВАХ несколько ниже теоретической. В нижней части характеристики при увеличении Ua, при условии, что Ua<U’K електроны поступают на анод не со всего катода, только с части катода , потенциал которой положителен. При Ua>U’К електроны поступают на анод со всего катода. Верхней части характеристики переход к режиму насыщения переходит постепенно, не сразу для всей длины катода. В то время, как потенциал анода отн «-» конца катода достигает значения напряжения насыщения для положительного конца катода ток может быть еще далек от режима насыщения. Режим насыщения устанавливается постепенно, начиная с отрицательного конца катода, отсюда ВАХ плавно переходит в пологую область насыщения ВГ. В области режима насыщения причиной отключени реальной ВАХ от теоретической – еффект Шотки, отсюда ток насыщения при увеличении Ua непостоянный а плавно растет для нижней части ВАХ достаточно точно подходит: Ia=CUa2 (АБ) . Восходящая часть ВАХ: Ia=SUa (БВ).
8.Характеристики катода.
Основной
зависимостью для тока эмиссии катода,
является
зависимость
величины тока эмиссии от температуры
катода. ведут
по показаниям вольтметра или амперметра,
включенных
в цепь накала.
Ie
=f(UH).
На
рис. (кривая 1)
показана
эта характеристика для диода с вольфрамовым
катодом, снятая при Uа
=200
в.
Эмиссионная
характеристика близка по своему виду
к экспоненте, но не является, строго
говоря, экспонентой вследствие
нелинейной связи между напряжением
накала UH
и
температурой катода Т.
Начиная с U=1
в, ток эмиссии становится заметным и
возрастает с увеличением Uн'
вначале
медленно, а затем, при напряжениях
накала, соответствующих рабочим и
близким к ним температурам, — очень
резко.
На том же графике представлена для той же лампы кривая (2), снятая при меньшем анодном напряжении (30 в). Загиб этой кривой (около точки А) указывает на то, что имеющийся па аноде небольшой положительный потенциал оказывается недостаточным для нейтрализации тормозящего поля объёмного заряда.
Начальная характеристика катода (кривая 3), показывающая зависимость тока накала от напряжения накала IH=f(Un). Зависимость IH = f(UH) получается нелинейной, так как при повышении температуры нити накала её сопротивление увеличивается, вследствие чего относительное увеличение тока накала получается меньше, чем увеличение напряжения накала.