- •1.Потенц барьер на пов-ти. Работа выхода.
- •2.Термоэлектронная эмиссия и её законы.
- •3.Термоэлектронная эмиссия при наличии ускоряющего поля.
- •4.Электростатическая эмиссия.
- •5.Фотоэлектронная эмиссия и её законы.
- •6.Характеристики и параметры фотоэлектронной эмиссии.
- •7.Вторичная электронная эмиссия.
- •15. Статические параметры диодов.
- •19. Физические процессы в триоде.
- •14. Реальна вах двохэлектродных вакуумных систем и ее отличие от теоретической.
- •8.Характеристики катода.
- •Параметры катодов
- •Катоды из чистых металлов
- •Плёночные катоды
- •Полупроводниковые катоды.
- •9.Движение ел. В однородном эл. Поле
- •10. Движ. Эл. В неоднородном эл. Поле.
- •11. Движение электронов в магнитном поле
- •12.Влияние обемного заряда напрохождение тока в двух зл. Лампе.
- •23.Рабочие параметры триода.
- •24.Выбор рабочего режима триода.
- •20.Статические характеристики и параметры триода.
- •21.Токораспределение и закон 3/2 для трех электродных ламп.
- •22. Характеристики триода в рабочем режиме.
- •25 Экранирующая сетка в эл. Лампе.
- •26. Динатронный эффект в тетродах.
- •27.Лучевой тетрод
- •28.Пентод и его характеристики.
- •29. Устройство электронно--лучевой трубки.
- •30.Системы что фокусируют, и системы что отклоняют, элт.
- •31. Экраны элт
- •32. Кинескопы
- •33.Электронновакуумные и газонаполненные фотоэлементы.
- •34. Фотоэлектронный умножитель
- •35. Види електричного розряду в газі. Збудження і іонізація атомів газу.
- •36. Самостоятельный разряд в газе
- •38. Пролетный клистрон
- •39. Отражательный клистрон
- •40. Магнетрон
- •1.Потенц барьер на пов-ти. Работа выхода.
- •2.Термоэлектронная эмиссия и её законы.
- •1.Потенц барьер на пов-ти. Работа выхода.
- •2.Термоэлектронная эмиссия и её законы.
26. Динатронный эффект в тетродах.
Это один из недостатков тетродов. Электроны ударяясьоб анод выбивают из него вторичные электроны . При малых Ua (10-15В)↑↑Ua сопровождается ↑↑Ia . Энергия электрона поднимается на столько что возникает вторичная эмиссия из А. Следовательно А- источник электронов. Если потенциал С1> пот А, то выбитые электроны будут двигаться к С2. Следовательно результирующее Ia определяется разностью прих. и ух. анодных электронов. В результате Ia↓ a IC2↑. Когда Ua по величине приближается к UС2 переход вторичных электронов на С2 прекращается → Ia↑ a IC2↓.
Величина падающего участка характеристики Ia тем более глубокой, чем больше взято ”+” напряжение на экранирующей сетке.
Динатронный эффект недостаток по причинам:
Вторичная электронная эмиссия с А иС2 создает непостоянство, во времени, токов этих электродов, что приводит к увеличению внутренних шумов в лампе. И следовательно уменьшению ее чувствительности при приеме слабых сигналов.
Падающая характеристика может служить причиной возбуждения собственных колебаний в колебательных контурах цепи или связанных с нею, что вызывает увеличение помех и шумов.
Провал также может быть причиной искажения формы тока умиляемого сигнала при больших Ia.
27.Лучевой тетрод
Рис 1
Рассмотрим распределение между А и К1 когдаUa=0 φa < φc пространственный заряд образован первичными электронами пришедшими от К. и выбитыми из А. снижает пот. В пространстве А=> возникает минимальный потенциал => следовательно возникновение Эл. Поля тормозящих движение вторичных Эл. Вылетающих из К.вторичные Эл. Беспрепятственно преодолевают этот барьер и попадают на С2 .Если увеличить потенциальный барьер>более эффективное тормозящее поле. Увеличить величину Umin можно увеличив расстояние между С2 и А. чем больше расстояние тем больше Umin можно увеличить и плотность Эл. Потока Сс этой целью делают лампу определённой конструкции.
Рис2
Увеличение плотности Эл. Потока достигается с помощью определённых элнктродов фокусирющих Эл. Летящие от К. к А. в узкие лучи. Расстояние от С2 до А. сравнительно большое в лампе спец. Электроды соединены с К. экраном. Благодаря этим Эл. Создается поле такой конфигурации что Эл. Движутся к А. узким веером не рассеваясь в стороны. Для фокусировки Эл. В С1 и С2 сделаны с одним шагом решётки и расположены так что в них обоих сеточки друг против друга благодаря этому поток Эл. Собирается в лучи проходящие между ветками С2 и А.
28.Пентод и его характеристики.
Электронная лампа с 5- электродами – пентод.
С1—управляющая С2—экранирующая С3—антидинатронная
С3 φ=0 изменяет распределение поток между С2 и А.такое распределение потока создает тормозящее поле препятствующее движению эл. От А. к С2 . Анодные характеристики не имеют величины Ik пентода может быть найден сведением пентода к эквивалентному диоду:
Основные величины на Ik в пентоде оказывают Uс1 и Uс2
При -- Uс1 и Uс2 =0 рабочий режим лампы
Ik будет распределение между А и С2
Рис3
Также как и в триоде и в пентоде 2—режима работы :
Режим перехвата С2, режим возврата эл. на С2, режим перехвата при Ua >1/2Uc1 Ic2 мало зависит от Ua при Ua<1/2Uc2 режим возврата. Статические характеристики пентода зависят от Iа=f(Ua) Ic1=f(Uc1) Ic2=f(Uc2)
Uзапирания Iк=К(Uc1 +Д1 Uc2)=0
Uc1 = - Д1 Uc2—условие запирания перехода .
При малых Ua сильная зависимость Iа=f(Ua) – режим возврата.
При больших Ua режим перехвата.
--Влияние перераспределения
--влияние Ua на Iк
в зависимости от конструкции ламп эти параметры могут иметь различные значения и по разному влиять на Ri.В лампах с густой экранирующей сеткой Д мала и влияние Ua на Iк незначительно. Riд = бесконечности Ri= Riк
в отличии от пентода μ=/=1/д.