- •1.Потенц барьер на пов-ти. Работа выхода.
- •2.Термоэлектронная эмиссия и её законы.
- •3.Термоэлектронная эмиссия при наличии ускоряющего поля.
- •4.Электростатическая эмиссия.
- •5.Фотоэлектронная эмиссия и её законы.
- •6.Характеристики и параметры фотоэлектронной эмиссии.
- •7.Вторичная электронная эмиссия.
- •15. Статические параметры диодов.
- •19. Физические процессы в триоде.
- •14. Реальна вах двохэлектродных вакуумных систем и ее отличие от теоретической.
- •8.Характеристики катода.
- •Параметры катодов
- •Катоды из чистых металлов
- •Плёночные катоды
- •Полупроводниковые катоды.
- •9.Движение ел. В однородном эл. Поле
- •10. Движ. Эл. В неоднородном эл. Поле.
- •11. Движение электронов в магнитном поле
- •12.Влияние обемного заряда напрохождение тока в двух зл. Лампе.
- •23.Рабочие параметры триода.
- •24.Выбор рабочего режима триода.
- •20.Статические характеристики и параметры триода.
- •21.Токораспределение и закон 3/2 для трех электродных ламп.
- •22. Характеристики триода в рабочем режиме.
- •25 Экранирующая сетка в эл. Лампе.
- •26. Динатронный эффект в тетродах.
- •27.Лучевой тетрод
- •28.Пентод и его характеристики.
- •29. Устройство электронно--лучевой трубки.
- •30.Системы что фокусируют, и системы что отклоняют, элт.
- •31. Экраны элт
- •32. Кинескопы
- •33.Электронновакуумные и газонаполненные фотоэлементы.
- •34. Фотоэлектронный умножитель
- •35. Види електричного розряду в газі. Збудження і іонізація атомів газу.
- •36. Самостоятельный разряд в газе
- •38. Пролетный клистрон
- •39. Отражательный клистрон
- •40. Магнетрон
- •1.Потенц барьер на пов-ти. Работа выхода.
- •2.Термоэлектронная эмиссия и её законы.
- •1.Потенц барьер на пов-ти. Работа выхода.
- •2.Термоэлектронная эмиссия и её законы.
33.Электронновакуумные и газонаполненные фотоэлементы.
На основе внешнего фотоэффекта (испускание эл. под действием внешней лучевой энергии)
-- количество эмитирующих эл. пропорционально интенсивности падающего света.
-- скорость имитируемых электронов не зависит от интенсивности
--
ЭВФЭ—диод у которого из внутренней поверхности баллона—фотокатод , в виде ионного слоя вещества эмитирующего фото эл.—анод металлическое кольцо не мешающее попаданию света на фотокатод.
Величина тока насыщения зависит от величины светового потока
световые характеристики ---чювствительность ФЭ
спектральная характеристика
чювствительность ФЭ к световым колебаниям различных λ
в зависимости от материала К а также Iф при различных λ
частотные свойства ЭВФЭ ограничены временем пролёта от К к А
Газонаполненные ФЭ
В баллоне инертный газ. В таком ФЭ ток фото эл. эмиссии выше за счёт возникновения несамостоятельного газового разряда. (Ik и К ) выше
спкктральная характеристика определяется максимумом????
ВАХ
рис
при увеличении Iф до велечины тока эмиссии фотоуатода ВАХ легко загибается при дальнейшем увеличении в следствии ионизации газа Iф резко увеличивается.
разряд остаётся не постоянным пока Uа не возрастает тлеющий разряд разрушает ГФЭ
важный параметр ГФЭ коэфициэнт газового усиления
для увеличения Кг- увеличивают количество газа тогда возникает самостоятельный разряд при малых Uа Ргаза =10-2 мм.рт.ст.
частотны характеристики ГФЭ.
при очень быстрых изменениях Фа К уменьшается по сравнению с ЭВФЭ это объясняется тем что ток ГФЭ устанавливается не мгновенно а требует времени для ионизации газа. при очень быстрых изменениях Ф ток не успевает возрастать до значений соответствующих режиму наименьшая инерционность в ГФЭ заполненных Аг.
34. Фотоэлектронный умножитель
Ф ЭУ представляет собой ЭВП, в котором эл. фотоэлемент дополнен устройством для усиления фототока за счет вторичной эл. эмиссии. Световой поток Ф вызывает фотоэл. эмиссию из К. фотоэл. под действием ускоряющего эл. поля направляются на Д1-динод. По отношению к К, Д1–А и выполняет роль вторичного эл. эмиттера. Д из эмиттеров с устойчивой вторичной эл.
эмиссией. Эл-ны. выбивают из Д1 вторичные эл-ны, число которых в раз превышает число первичных эл-нов, –коэфю вторичной эл. эмиссии. I1=Ipn. Ток I1направляется на Д2 и после Д2 I2=I1=2Ipn. После Д3 I2=2Ipn. После последнего ДN ток направляется к А. IN=NIpn. Следовательно ФЭУ имеет коэф. Усиления К=N. На практике не удается направить все выбитые эл-ны к Д и А, следов.КN. Для фокусирования вторичных эл-нов ФЭУ с различной формой и расположением электродов. В них для фокусировки – эл.стат.поля. Как правило ФЭУ имеет электроды дугообразной формы. Кроме этого была разработана ФЭУ в которой вторичные эл-ны выходя их Д со стороны противоположной бомбардируемой первичными электродами. Если Д друг за другом, то отпадает необходимость направления эл-нов от этого Д к другому. В таких ФЭУ Д имеют вид решетки, полосок. Для ФЭУ как и для обычных ФЭ характерен тепловой ток, обусловленный термоэл. эмиссией Д и К, как правило 10 мкА.
Основные параметры ФЭУ:
Область спектральной чувствительности, диапазон в котором можно использовать ФЭУ
Число ступеней умножения
Общий коэф.умножения тока
Интегральная чувствительность
Величина теплового тока
В качестве хар.ФЭУ:
- световая хар. Ia=f(Ф)
- к=f(Uпит) и инт.чувствительность = f(Uпит)
При необходимости регистрации Ф в УФ области спектра в баллоне ФЭУ делают спец.окна из кварца. ФЭУ обладают малой инерционностью и могут работать на больших частотах. Аналогов в пп электронике такому прибору как ФЭУ нет.