- •1.Потенц барьер на пов-ти. Работа выхода.
- •2.Термоэлектронная эмиссия и её законы.
- •3.Термоэлектронная эмиссия при наличии ускоряющего поля.
- •4.Электростатическая эмиссия.
- •5.Фотоэлектронная эмиссия и её законы.
- •6.Характеристики и параметры фотоэлектронной эмиссии.
- •7.Вторичная электронная эмиссия.
- •15. Статические параметры диодов.
- •19. Физические процессы в триоде.
- •14. Реальна вах двохэлектродных вакуумных систем и ее отличие от теоретической.
- •8.Характеристики катода.
- •Параметры катодов
- •Катоды из чистых металлов
- •Плёночные катоды
- •Полупроводниковые катоды.
- •9.Движение ел. В однородном эл. Поле
- •10. Движ. Эл. В неоднородном эл. Поле.
- •11. Движение электронов в магнитном поле
- •12.Влияние обемного заряда напрохождение тока в двух зл. Лампе.
- •23.Рабочие параметры триода.
- •24.Выбор рабочего режима триода.
- •20.Статические характеристики и параметры триода.
- •21.Токораспределение и закон 3/2 для трех электродных ламп.
- •22. Характеристики триода в рабочем режиме.
- •25 Экранирующая сетка в эл. Лампе.
- •26. Динатронный эффект в тетродах.
- •27.Лучевой тетрод
- •28.Пентод и его характеристики.
- •29. Устройство электронно--лучевой трубки.
- •30.Системы что фокусируют, и системы что отклоняют, элт.
- •31. Экраны элт
- •32. Кинескопы
- •33.Электронновакуумные и газонаполненные фотоэлементы.
- •34. Фотоэлектронный умножитель
- •35. Види електричного розряду в газі. Збудження і іонізація атомів газу.
- •36. Самостоятельный разряд в газе
- •38. Пролетный клистрон
- •39. Отражательный клистрон
- •40. Магнетрон
- •1.Потенц барьер на пов-ти. Работа выхода.
- •2.Термоэлектронная эмиссия и её законы.
- •1.Потенц барьер на пов-ти. Работа выхода.
- •2.Термоэлектронная эмиссия и её законы.
19. Физические процессы в триоде.
Е сли на сетку подавать Uпер, то в случае положительного значения сеточного U електроны, вылетающие из катода попадают в узкоряющее поле и все электроны пролетая через ячейки сетки попадают на анод. В случае отриц U сетки электроны попадают в тормозящее поле, только часть электронов сможет преодолеть тормозящее поле и двигатся к аноду. Триод может работать в режиме объемного заряда, в этом режиме в близи катода образуется потенциальный барьер, за счет вылетающих електронов. Сетка располагается в областе потенциального баръера. Если сетка имет положительный потенциал, то уменьшается высота потенциального баръера, тогда больше электронов способны преодолеть потенциальный баръер. Вслучае отрицательной сетки, потенциальный баръер будет увеличиватся, это приведет к цменьшению электронов. Сетка является электростатическим экраном анодного поля. Сетка задерживает часть силовых линий, только незначительная часть их действует на потенциальный баръер в близи катода. Триод характеризуется коефициентом усиления i , он показывает во сколько раз сильнее оказывает влияние сеточное напряжение на Ia по сравнению с Uа. Проницаемость лампы D=1/ Часть силовых линий проникает к катоду. Чем гуще сетка, тем меньше проницаемость. При некотором отрицательном потенциале, высота потенциального баръера, будет настолько велика, что ниодин электрон не преодалеет его и лампа закроется(напряжение запирания) Uзапирания-5В.
17. Динамические свойства двохэлектродной вакуумной системы.
Процесс прохождения между двумя электродами может зависеть от характера подаваемого напряжения. При ВЧ переменом напряжении уменьшается выпрямленый ток диода и возникает фазовый сдвиг между током и напряжением. Факторами снижающими эффективность диода на ВЧ являются : инерционность електронного потока, межелектродная емкость и индуктивность выводов. Инерционность електроного потока связана с затратой времени на пролет электрона от К до А. Va=(rUae/m)1/2 , тогда Vср=3107Uа см/сек Для реальных систем T=10-8…10-10. При ВЧ Iа фаза переменного напряжения А может существено изменится, что скажется на величине и фазе анодного тока. Изменение фазы Ua за хар =2/T, - угол пролета электрона. На НЧ <<Т , отсюда следует движение елктронов происходит как и при постоянно мнапряжение, на ВЧ Т отсюда плотность эмитируемых электронов в различных сечениях между электродами различны. Если предположить что ток електронов в близи К изменяется синфазно с изменением Ua, то этот слой электронов со своим объемным зарядом сместится по направлению к аноду, на некоторое растояние; за это время напряжение на аноде уже успеет заметно изменится, отсюда ток буде отставать по фазе от напряжения. Чем дальше от К тем больше фазоввый сдвиг величины тока в рассматриваемом сечении относительно Uа .Таким образом расхождение фазы тока и фазы напряжения характеризуется углом пролета. Предельная частота диода может быть снижена за счет межэлектродной емкости пространства К-А через которую будет протекать емкостной ток I=jCакUa ростом частоты емкостной ток становится соизмеримым с активным током диода, что приводит к уменьшению выпрямленого тока. При очень ВЧ на свойства диода оказывает влияние индуктивность выводов А и К. Хотя общая индуктивность выводов LD=LA+LК0,01 мкГн RL=L может быть соизмеримо с RC=1/c может произойти резонанс =1/2(LC)1/2
18. Наведенный и конвекционный токи в двухэлектродной системе.
В силу электростатической индукции электроны вылетающие из катода наводят положительные заряды на катод и анод, в суме положительных зарядов равно общему заряду электронов в промежутке А-К. Вначале движения положительный заряд на катоде больше, так как эл к нему ближе. По мере перемещения електрона положительный заряд на анде будет увеличиватся, а на катоде уменьшатся. То есть происходит перераспределения зарадов, которыое сопровождается возникновением в аноде цепи електрического тока. Этот анодный ток связан с процесом движения електронов в пространстве А-К и его возникновение не определяется тем достигли ли електроны анода – наведенный ток. При протекании через лампу постоянного тока, наведенный ток во внешней цепи равен усредненному вдоль между електронным пространством значению конвенкционного тока. Если конвенкционный ток(связан с перемещением електронов) во всех сечениях между А и К одинаков, то наводимы во внешней анодной цепи ток будет равен конвенкционному. Такой случай имеет место при прохождении через лампу постоянного тока или при пропускании через нее тока изменяющегося относительно медленно по сравнению с временем пролета електрона. Если конвекционный ток изменяется быстро по сравнению с временем пролета, то он становится не одинаков во всех сечениях и отличается от тока во внешней цепи. В этом случае возникает изменение електрического поля во времени. Отсюда возникают токи смещения. Тогда сумма конвекционного тока и тока смещения в любом сечении между А и К будет равно току во внешней цепи.
16. Мощность выделяемая на аноде електронных ламп.
Причиной сильного разогрева анода - бомбардировка анода поступающими на него електронами. Кинетическая енергия електрона постепенно переходит в тепловую. mv2/2=eUa Если ежесекундно на анод поступает n електронов, то их энергия E=neUa ne=Ia Pa=Ia/Ua мощность выделяемая в виде тепла. Анод, нагретый до определенный температуры сам начинает излучать тепловую енергию и эта мощьность описывается законом Стефана-Больцмана Pизл=GT4Sа изл
-коеф. Лучеизлучения А
G-коеф. Стефана-Больцмана, G=5,6710-12 Вт/(см2к-4)
S-излучающая площадь А
зависит от обработка анода, для абсолютно черного тела = 1. Оксидированое железо = 0.95, оксидированое железо с белой поверхностью = 0.35, при высокой степени полировки можна понизить до 0.25 .В установившимся режиме работы лампы Pа и Ризл соотвветственно будут равны Т=((IaUa)/ (GSа изл))1/4 При черезмерном нагреве анода может наблюдатся выделение молекул газа из материала анода, отсюда ухудшение вакуума. Кроме того черезмерно нагретый анод в силу близкого расположения анода и катода, дополнительно нагревает К, отсюда перегрев К. Для обеспечения нормальной работы катода наибольшая температура катода должна быть намного меньше Т катода. Каждый тип електронной лампы характеризуется величиной макс мощьности, который может рассеять анод без вреда лампы. Аноды електронных ламп как правило из Ni, Mo изредка из Ta, графит. С целью повышения мощьности рассеивания анода используют охлаждение анода радиаторами, кроме того применяют метод чернения анода увеличивается, мощность рассеивания увеличивается в 2-3 раза.