- •Янчук Олександр Юрійович дипломна робота тензоефекти в кристалах германію при наявності енергетичного рівня еВ
- •Розділ 1 аналітичний огляд літератури
- •1.1 Тензорезистивний ефект або ефект п’єзоопору
- •1.2 П’єзоопір n-Gе в напрямку (111) в умовах змішаного розсіяння
- •1.3 П’єзоопір в кристалах n-Gе, які деформуються під деяким кутом а до кристалографічного напрямку .
- •1.4 Особливості впливу глибоких центрів на п’єзогальваномагнтні ефекти в напівпровідниках
- •1.5 Вплив глибоких енергетичних рівнів золота на п’єзоопір n-Gе
- •Розділ 2 методика і техніка дослідження кінетичних ефектів в багатодолинних напівпровідниках n-Ge
- •2.1. Опис установки для створення одновісної пружної деформації
- •2.2 Підготовка зразків для досліджень
- •Розділ 3 тензоефектИ в кристалах германію при наявності глибокого енергетичного рівня еВ
- •3.1. Вплив радіаційних дефектів на провідність n-Ge при одновісній пружній деформації
- •3.2 Глибокий рівень еВ в забороненій зоні при легуванні золотом
- •3.3 Визначення зміни глибини залягання глибоких рівнів в n-Ge у широкому діапазоні прикладених механічних напруг
- •3.4. Вплив одновісної пружної деформації на положення глибокого рівня еВ золота в n-Ge
- •Характеристики дефектів, знайдені у всьому діапазоні прикладених механічних напруг при дослідженні п’єзоопору в n-Ge з глибоким рівнем еВ
- •Загальні висновки
- •Анотація
Анотація
Янчук О.Ю. Тензоефекти в кристалах германію при наявності енергетичного рівня . – Рукопис.
Дипломна робота на здобуття кваліфікації «Спеціаліст фізики». Спеціальність 7.04020301 – „Фізика”. – Волинський національний університет імені Лесі Українки, Луцьк, 2012.
В роботах з приміненням гідростатичного тиску вивчалися глибокі рівні, що належали в основному дефектам технологічного походження. Показано, що зі збільшенням глибини залягання рівнів сильно послаблюється їх зв’язок з відповідною дозволеною зоною, а величина баричного коефіцієнту, що описує залежність енергетичного положення глибоких рівнів від тиску, приблизно в сотні разів перевищує баричний коефіцієнт станів мілкого залягання.
Зниження симетрії гратки напівпровідника внаслідок одновісної пружної деформації може призводити, при наявності несиметрично розташованих в гратці дефектів, до анізотропної зміни їх параметрів, яка в загальному випадку не буде співпадати з анізотропією напівпрсівідника. Крім того, ОПД призводить, як правило, до розщеплення багаторазово вироджених енергетичних рівнів.
Ключові слова: тензоефекти, одновісні пружині деформації, п’єзоопір, опромінення, деформація.
SUMMARY
Yanchuk O. Tenzoefekty in germanium crystals in the presence of energy levels. - Manuscript.
Diploma work on the receipt of qualification «Specialist of physics». Specialiti of a 7.04020301 – „Physics”. – Lesya Ukrainka Volyn National University, Lutsk, 2012.
In papers with serial one hydrostatic pressure studied deep levels belonging mainly defects of technological origin. It is shown that with increasing depth levels greatly reduced their contact with the permitted zone, and size baric coefficient describing the dependence of the energy position of deep levels of pressure, about a hundred times the baric coefficient states of shallow occurrence. Reducing the symmetry of the lattice due to semiconductor uniaxially elastic deformation can lead, in the presence of asymmetrically located at lattice defects in anisotropic change their parameters, which in general will not coincide with the anisotropy napivprsividnyka. In addition, OPD results tend to repeatedly splitting of degenerate energy levels.
Key words: tenzoefekty, uniaxially spring deformation p'yezoopir, irradiation deformation.