Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
ДИПЛОМНА Саша.doc
Скачиваний:
2
Добавлен:
12.09.2019
Размер:
1.55 Mб
Скачать

Анотація

Янчук О.Ю. Тензоефекти в кристалах германію при наявності енергетичного рівня . – Рукопис.

Дипломна робота на здобуття кваліфікації «Спеціаліст фізики». Спеціальність 7.04020301 – „Фізика”. – Волинський національний університет імені Лесі Українки, Луцьк, 2012.

В роботах з приміненням гідростатичного тиску вивчалися глибокі рівні, що належали в основному дефектам технологічного походження. Показано, що зі збільшенням глибини залягання рівнів сильно послаблюється їх зв’язок з відповідною дозволеною зоною, а величина баричного коефіцієнту, що описує залежність енергетичного положення глибоких рівнів від тиску, приблизно в сотні разів перевищує баричний коефіцієнт станів мілкого залягання.

Зниження симетрії гратки напівпровідника внаслідок одновісної пружної деформації може призводити, при наявності несиметрично розташованих в гратці дефектів, до анізотропної зміни їх параметрів, яка в загальному випадку не буде співпадати з анізотропією напівпрсівідника. Крім того, ОПД призводить, як правило, до розщеплення багаторазово вироджених енергетичних рівнів.

Ключові слова: тензоефекти, одновісні пружині деформації, п’єзоопір, опромінення, деформація.

SUMMARY

Yanchuk O. Tenzoefekty in germanium crystals in the presence of energy levels. - Manuscript.

Diploma work on the receipt of qualification «Specialist of physics». Specialiti of a 7.04020301 – „Physics”. – Lesya Ukrainka Volyn National University, Lutsk, 2012.

In papers with serial one hydrostatic pressure studied deep levels belonging mainly defects of technological origin. It is shown that with increasing depth levels greatly reduced their contact with the permitted zone, and size baric coefficient describing the dependence of the energy position of deep levels of pressure, about a hundred times the baric coefficient states of shallow occurrence. Reducing the symmetry of the lattice due to semiconductor uniaxially elastic deformation can lead, in the presence of asymmetrically located at lattice defects in anisotropic change their parameters, which in general will not coincide with the anisotropy napivprsividnyka. In addition, OPD results tend to repeatedly splitting of degenerate energy levels.

Key words: tenzoefekty, uniaxially spring deformation p'yezoopir, irradiation deformation.

54