
- •Глава 1.
- •§ 1.1. Состав систем автоматики
- •§ 1.2. Физические основы работы электромеханических и магнитных элементов
- •§ 1.3. Статические характеристики
- •§ 1.4. Динамические характеристики
- •§ 1.5. Обратная связь в системах автоматики
- •Глава 2
- •§ 2.1. Электрические измерения неэлектрических величин
- •§2.2. Мостовая измерительная схема постоянного тока
- •§ 2.3. Чувствительность мостовой схемы
- •§ 2.4. Мостовая схема переменного тока
- •§ 2.5. Дифференциальные измерительные схемы
- •§ 2.6. Компенсационные измерительные схемы
- •Раздел II
- •Глава 3
- •§ 3.1. Типы электрических датчиков
- •§ 3.2. Контактные датчики с дискретным выходным сигналом
- •Глава 4
- •§ 4.1. Назначение. Принцип действия
- •§ 4.2. Конструкции датчиков
- •Материалы проводов, используемых для потеициометрических датчиков
- •§ 4.3. Характеристики линейного потенциометрического датчика
- •§ 4.4. Реверсивные потенциометрические датчики
- •§ 4.5. Функциональные потенциометрические датчики
- •Глава 5
- •§ 5.1. Назначение. Типы тензодатчиков
- •§ 5.2. Принцип действия проволочных тензодатчиков
- •§ 5.3. Устройство и установка проволочных тензодатчиков
- •§ 5.4. Фольговые, пленочные, угольные и полупроводниковые тензодатчики
- •§ 5.5. Методика расчета мостовой схемы с тензодатчиками
- •Глава 6
- •§ 6.1. Назначение. Типы электромагнитных датчиков
- •§ 6.2. Принцип действия и основы расчета индуктивных датчиков
- •§ 6.3. Дифференциальные (реверсивные) индуктивные датчики
- •§ 6.4. Трансформаторные датчики
- •§ 6.5. Магнитоупругие датчики
- •§ 6.6. Индукционные датчики
- •Глава 7
- •§ 7.1. Принцип действия
- •§ 7.3. Чувствительность пьезодатчика и требования к измерительной цепи
- •Глава 8
- •§ 8.1. Принцип действия. Типы емкостных датчиков
- •§ 8.2. Характеристики и схемы включения емкостных датчиков
- •Глава 9
- •§ 9.1. Назначение. Типы терморезисторов
- •§ 9.2. Металлические терморезисторы
- •§ 9.3. Полупроводниковые терморезисторы
- •§ 9.4. Собственный нагрев термисторов
- •§ 9.5. Применение терморезисторов
- •Глава 10 термоэлектрические датчики
- •§ 10.1. Принцип действия
- •§ 10.2. Материалы, применяемые для термопар
- •§ 10.3. Измерение температуры с помощью термопар
- •Глава 11 струнные датчики
- •§ 11.1. Назначение и принцип действия
- •§ 11.2. Устройство струнных датчиков
- •Глава 12 фотоэлектрические датчики
- •§ 12.1. Назначение.
- •§ 12.2. Приемники излучения фотоэлектрических датчиков
- •§ 12.3. Применение фотоэлектрических датчиков
- •Глава 13
- •§ 13.1. Принцип действия и назначение
- •§ 13.2. Излучатели ультразвуковых колебаний
- •§ 13.3. Применение ультразвуковых датчиков
- •Глава 14
- •§ 14.1. Физические основы эффекта Холла и эффекта магнитосопротивления
- •§ 14.2. Материалы для датчиков Холла и датчиков магнитосопротивления
- •§ 14.3. Применение датчиков Холла и датчиков магнитосопротивления
- •Раздел III
- •Глава 15
- •§ 15.1. Назначение. Основные понятия
- •§ 15.2. Кнопки управления и тумблеры
- •§ 15.3. Пакетные переключатели
- •§ 15.4. Путевые и конечные выключатели
- •Глава 16
- •§ 16.1. Режим работы контактов
- •§ 16.2. Конструктивные типы контактов
- •§ 16.3. Материалы контактов
- •Глава 17
- •§ 17.1. Назначение. Принцип действия
- •§ 17.2. Основные параметры и типы электромагнитных реле
- •§ 17.3. Электромагнитные реле постоянного тока
- •§ 17.4. Последовательность работы электромагнитного реле
- •§ 17.6. Основы расчета магнитопровода электромагнитного реле
- •§ 17.7. Основы расчета обмотки реле
- •§ 17.8. Электромагнитные реле переменного тока
- •§ 17.9. Быстродействие электромагнитных реле
- •Глава 18
- •§ 18.1. Назначение. Принцип действия
- •§ 18.2. Магнитные цепи поляризованных реле
- •§ 18.3. Настройка контактов и устройство поляризованного реле
- •§ 18.4. Вибропреобразователи
- •Глава 19
- •§ 19.1. Типы специальных реле
- •§ 19.2. Магнитоэлектрические реле
- •§ 19.3. Электродинамические реле
- •§ 19.4. Индукционные реле
- •§ 19.5. Реле времени
- •§ 19.6. Электротермические реле
- •§ 19.7. Шаговые искатели и распределители
- •§ 19.8. Магнитоуправляемые контакты. Типы и устройство
- •§ 19.9. Применение магнитоуправляемых контактов
- •Глава 20
- •§ 20.1. Назначение контакторов и магнитных пускателей
- •§ 20.2. Устройство и особенности контакторов
- •§ 20.3. Конструкции контакторов
- •§ 20.4. Магнитные пускатели
- •§ 20.5. Автоматические выключатели
- •Глава 21
- •§ 21.1. Назначение электромагнитных исполнительных устройств
- •§ 21.2. Классификация электромагнитов
- •§ 21.3. Порядок проектного расчета электромагнита
- •§ 21.4. Особенности расчета электромагнитов переменного тока
- •§ 21.5. Электромагнитные муфты
- •Раздел IV
- •Глава 22
- •§ 22.1 Физические основы работы магнитных усилителей
- •§ 22.2. Принцип действия магнитного усилителя
- •§ 22.3. Основные схемы и параметры нереверсивных магнитных усилителей
- •§ 22.4. Основные характеристики магнитных усилителей
- •§ 22.5. Теория идеального магнитного усилителя
- •§ 22.6. Инерционность идеального магнитного усилителя
- •§ 22.7. Графоаналитический способ построения статической характеристики магнитного усилителя
- •Глава 23
- •§ 23.1. Назначение и способы введения обратной связи
- •§ 23.2. Одноактный магнитный усилитель с внешней обратной связью
- •§ 23.4. Регулировка коэффициента обратной связи
- •§ 23.5. Характеристики реального магнитного усилителя с обратной связью
- •§ 23.6. Графическое построение статической характеристики магнитного усилителя с обратной связью
- •§ 23.7. Магнитные усилители с внутренней обратной связью
- •Глава 24
- •§ 24.1. Статическая характеристика реверсивного (двухтактного) магнитного усилителя
- •§ 24.2. Усилители с выходным переменным током
- •§ 24.3. Реверсивные магнитные усилители с выходным постоянным током
- •§ 24.4. Обратная связь в реверсивных магнитных усилителях
- •§ 24.5. Основы расчета магнитных усилителей
- •Глава 25
- •§ 25.1. Многокаскадный магнитный усилитель
- •§ 25.2. Быстродействующие магнитные усилители
- •§ 25.3. Операционные магнитные усилители
- •§ 25.4. Трехфазные магнитные усилители
- •Глава 26
- •§ 26.1. Назначение магнитных модуляторов
- •§ 26.2. Магнитные модуляторы с выходным переменным током основной частоты
- •§ 26.3. Магнитные модуляторы с выходным переменным током удвоенной частоты
- •§ 26.4. Магнитные модуляторы с выходным импульсным сигналом
- •§ 26.5. Магнитомодуляционные датчики магнитных величин
- •§ 26.6. Назначение и принцип действия бесконтактных магнитных реле
- •§ 26.7. Характеристики и схемы бесконтактных магнитных реле
- •§ 26.8. Переходные процессы в бесконтактных магнитных реле
- •§ 26.9. Основы расчета и конструирования бесконтактных магнитных реле
§ 14.2. Материалы для датчиков Холла и датчиков магнитосопротивления
И
спользование
датчиков Холла для целей автоматического
измерения будет рациональным в том
случае, если они имеют достаточно
высокую чувствительность и мало
подвержены влиянию температуры.
Чувствительность датчика зависит от
выходной ЭДС, т. е. от постоянной Холла,
которая, в свою очередь, определяется
подвижностью носителей тока. В проводящих
телах носителями тока являются
электроны. При обычных температурах
электроны находятся в хаотическом
тепловом движении с самыми различными
скоростями. Однако если вдоль тела
создать электрическое поле Е,
приложив
напряжение U,
то
все электроны начнут передвигаться в
направлении поля с некоторой средней
скоростью v
(при
этом отдельные электроны могут иметь
как большую, так и меньшую скорости).
Подвижность носителей тока (р) определяется
как отношение скорости v
к
напряженности электрического поля
Е:
(14.3)
Подвижность зависит от того, как часто электрон при своем движении сталкивается с решеткой твердого тела. Следует особо отметить, что большое значение ЭДС Холла еще не означает, что в этом веществе велик эффект Холла и оно годится для технических применений. Большое значение ЭДС может быть полученj за сче* большого напряжения U, т. е. больших затрат электрической энергии. В то же время в другом материале такая же ЭДС Холла и те же скорости носителей тока могут быть получены при меньшем напряжении только за счет большей подвижности. Такой материал выгоднее для применения в датчике Холла.
Короче говоря, основным требованием, предъявляемым к материалам для датчиков, является сочетание большой подвижности носителей тока с минимальными температурными зависимостями.
В зависимости от технологии изготовления различают кристаллические (в форме пластинки) и пленочные датчики.
В качестве материала кристаллических датчиков используются различные соединения индия: мышьяковистый индий IriAs, фосфид индия 1nР, сурьмянистый индий InSb, а также германий Ge и кремний Si.
Наибольшее значение постоянной Холла у материала InSb, но оно сильно зависит от температуры. На рис. 14.2 показаны зависимости постоянной Холла от температуры для разных материалов (1 — InSb, 2 — InAs, 3 —твердый раствор InAs и 1пР). Для германия постоянная Холла в десятки раз меньше, но он обладает значительно большим удельным сопротивлением. Из германия можно делать датчики с сопротивлением в несколько килоом. Еще ббльшим удельным сопротивлением обладает кремний, но его труднее очистить от примесей. Высокую степень очистки полупроводниковых материалов получают при плавке в космических лабораториях.
Для размещения в узких зазорах очень удобны пленочные датчики Холла. Для их изготовления используется метод испарения в вакууме исходного вещества с последующим осаждением на подложку из слюды. Толщина пленочных датчиков составляет 10— 30 мкм, что в сотни раз меньше, чем у кристаллических датчиков. Материалом для пленочных датчиков служат соединения ртути: селенид ртути HgSe и теллурид ртути HgTe. Чем тоньше пленка, тем меньше постоянная Холла. По своим возможностям применения в системах автоматики пленочные датчики примерно равноценны с германиевыми и даже лучше по температурной стабильности. Но они очень дорогие. В настоящее время проводятся исследования новых материалов, пригодных для использования в датчиках Холла и магнитосопротивления.