Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Курсовой проект_Расчет УУ на БТ.docx
Скачиваний:
32
Добавлен:
10.09.2019
Размер:
347.11 Кб
Скачать

14

КУРСОВОЙ ПРОЕКТ ПО ДИСЦИПЛИНЕ «СХЕМОТЕХНИКА»

  1. Рассчитать параметры элементов принципиальной схемы однотактного усилительного каскада (УК) предварительного усиления на биполярном транзисторе, включенном по схеме с общим эмиттером и стабилизацией тока покоя с помощью последовательной ООС (ООС по току), режим работы каскада по постоянному току, входное и выходное сопротивления, коэффициенты усиления по напряжению, току и мощности, коэффициент полезного действия.

  2. Провести моделирование рассчитанного усилительного каскада. Сравнить результаты моделирования с результатами расчета.

ИСХОДНЫЕ ДАННЫЕ

  1. П ринципиальная схема усилительного каскада представлена на рисунке 1.

  1. Параметры входного и выходного сигналов, нагрузки и допустимого уровня частотных искажений М представлены соответственно в таблицах 1 и 2.

Таблица 1

Параметр

Ед.

изм

Первая цифра номера варианта

1

2

3

4

Uвх

В

0,1

0,2

0,3

0,4

Uвых

В

1

2

3

4

fв

кГц

1000

800

600

400

fн

кГц

500

400

300

200

Таблица 2

Параметр

Ед.

изм

Вторая цифра номера варианта

1

2

3

4

Rн

Ом

100

200

300

400

Cн

пФ

6

5

5

4

М

дБ

3

3

2

2

Методика расчета

  1. Расчет положения рабочей точки транзистора

Задаться:

  • сопротивлением в цепи коллектора

; (1)

  • падением напряжения на Rэ + Roc (на Rэ если Roc отсутствует в схеме)

. (2)

Определить:

  • эквивалентное сопротивление нагрузки УК по переменному току

, (3)

где – выходное сопротивление каскада;

  • требуемое значение напряжение коллектор-эмиттер в рабочей точке (с учетом температурной нестабильности – плюс 10%) (рисунок 2)

, (4)

где – амплитуда выходного напряжения;

U – напряжение начального нелинейного участка выходных статических характеристик транзистора, U =(1...2) В;

  • требуемое значение тока коллектора в рабочей точке (с учетом температурной нестабильности – плюс 10%) (рисунок 2)

; (5)

  • Среднюю мощность, рассеиваемую на коллекторе

, (6)

которая не должна превышать предельного значения Ркmax взятого из справочных данных на транзистор;

э0

Рисунок 2

  • требуемое значение напряжения источника питания Е

, (7)

где U =I R - падение напряжения на R .

При этом напряжение источника питания E не должно превышать U используемого транзистора и должно соответствовать рекомендованному ряду:

Е =(5; 6; 6,3; 9; 10; 12; 12,6; 15; 20; 24; 27; 30; 36) B.

Если в результате расчета Е не будет соответствовать значению из рекомендованного ряда, то путем вариации в формуле следует подогнать значение Е под ближайшее из рекомендованного ряда;

  • напряжение на базе в рабочей точке

, (8)

где - напряжение база-эмиттер в рабочей точке, =(0,6…0,9)В (для кремниевых транзисторов);

  • напряжение на коллекторе в рабочей точке

. (9)

  1. Выбор транзистора и расчет тока базы и эмиттера в рабочей точке

Выбрать транзистор (из приведенных в таблице 3 или в [6], [7]) с учетом следующих предельных параметров:

  • предельно допустимое напряжение коллектор-эмиттер

; (10)

  • предельно допустимое напряжение коллектор-база

; (11)

  • предельно допустимый ток коллектора

; (12)

  • предельно допустимая мощность, рассеиваемая на коллекторе

; (13)

  • граничная частота усиления транзистора по току в схеме с ОЭ

. (14)

Определить:

  • ток базы в рабочей точке

; (15)

  • ток эмиттера в рабочей точке

. (16)

Таблица 3

Наименов. Параметра

Ед. изм.

Наименование транзистора (n-p-n)

2SC1815

2SC2001

2SC2120

2SC2665

2N1711

2N2222А

2N2923

Uкб max

В

60

30

35

50

75

60

25

Uкэ max

В

50

25

30

50

50

30

25

Iк max

А

0,15

0,7

0,8

2

0,5

0,8

0,1

Pк max

Вт

0,4

0,6

0,6

0,9

0,8

0,5

0,36

fТ

МГц

80

50

120

100

70

250

100

β

-

50

200

180

130

75

150

100

τос

псек

300

2500

1300

3000

2500

480

1000

Ск

пФ

3

25

13

30

25

8

10

Продолжение таблицы 3

Наименов. Параметра

Ед. изм.

Наименование транзистора (n-p-n)

2N3903

2N4400

2N4123

2N4264

2N5223

2N5232

2N5769

Uкб max

В

60

60

40

30

25

70

40

Uкэ max

В

40

40

30

15

20

50

15

Iк max

А

0,2

0,6

0,2

0,2

0,1

0,1

0,2

Pк max

Вт

0,625

0,625

0,31

0,35

0,625

0,33

0,35

fТ

МГц

250

200

250

300

150

50

100

β

-

50

80

80

70

200

300

40

τос

псек

400

650

400

400

400

400

400

Ск

пФ

4

6,5

4

4

4

4

4

Примечание: Емкость коллекторного перехода Ск приведена для случая, когда напряжение коллектор-база Uкб ном равно 10 В.