- •Грунтово – кліматичні умови господарства
- •2.1 План виробництва овочів у відкритому грунті
- •2.4.Система удобрення в сівозміні
- •2.5.Сорти і гібриди овочевих рослин
- •2.6.Потреба в насінні та садівному матеріалі
- •8.Способи,технологія та режими передпосівної підготовки і обробки насіння овочевих рослин
- •2.7. Підготовка й обробка насіння та садивного матеріалу до сівби або садіння
- •9. Параметри розсади овочевих рослин
- •1. Грунтово - кліматичні умови господарства (ферми)
- •1. Характеристика грунтів
- •2.10. Технологічна схема вирощування
- •2.9.3. Система зрошення овочевих рослин
- •14. Система зрошення овочевих рослин
- •3.6. Розрахунок потреби в поліетиленовій плівці для покриття теплиць
2.6.Потреба в насінні та садівному матеріалі
Гарний насіннєвий матеріал - це величезне вкладення в якість і величину врожаю. В останні роки спостерігається тенденція підвищення врожайності зернових при скороченні площ їх вирощування. Тобто, з меншої площі збирається той же урожай, що раніше збирався з великою. Це стало можливим завдяки застосуванню прогресивних технологій вирощування культури та використання нових сортів інтенсивного типу, які мають більший потенціал урожайності.
У насінництві головною проблемою є - матеріально-технічна база. У більшості компаній вона є застарілою і потребує докорінного оновлення. У нас в Україні не вистачає сучасних, високоефективних очисних машин, хорошої техніки для протруєння та підготовки насіння до сівби.
Таблиця№8
8.Способи,технологія та режими передпосівної підготовки і обробки насіння овочевих рослин
Спосіб |
Технологія і режим |
Рослини |
Калібрування |
Проводять на ситах калібрують в основному насіння,яке має округлу гладеньку поверхню;за питомою вагою(у воді або 2-3% сольових розчинах).Насіння висипають в розчин і на протязі 5-7 хвилин помішують. |
огірок,морква, томат,столовий буряк |
Намочування |
При намочуванні посівний матеріал доводять до набрякання і висівають, коли починають з'являтися корінці. Пророщені насіння до моменту посіву повинні мати паростки, по довжині приблизно рівні половині ширини насіння (з більш довгими паростками їх важко висівати). Насіння намочують і пророщують, занурюючи в чисту воду, яку змінюють кожні 12 годин, або загортають у тканину і укладають в тарілку, постійно зволожуючи згорток. |
морква, капуста білоголова, огірок |
Загартовування |
Проводиться з метою збільшення стійкості рослин до впливу зовнішніх умов. Молоді рослини у формі зародка, тільки що почали активну життєдіяльність, простіше пристосувати. При загартовуванні теплолюбних культур необхідно застосовувати змінні температури. Для цього насіння огірка та томата протягом 12-18 годин потрібно витримувати при температурі від 0 до 5 ° С, а протягом 6-12 годин - при 18-20 ° С. Приблизно такий же ефект можна отримати, помістивши їх на 3-5 доби в сніг або холодильник з температурою близько 1 ° С. Така обробка приводить до збільшення врожайності приблизно на 20%. |
томат |
Стратифікація |
Застосовується для теплолюбивих культур.Процес підготовки полягає у впливі на насіння перемінних температур.насіння замочують на 10-12 годин на добу при 18-20° С,і на 12-18 годин на добу при 0-5° С |
огірок , томат перець,кабачок, баклажан |
Інкрустування |
На поверхню насіння наноситься рідкий полімерний пленкообразователь, до складу якого входять речовини, що створюють захисну і ростоактівірующую середу. Інкрустовані насіння краще переносять зниження температури, дають більш дружні сходи. Як пленкообразователя використовують полівініловий спирт, карбоксиметилцеллюлозу, натрийкарбоксиметилцеллюлозу та ін Розчин для інкрустування насіння готують так. Розчиняють необхідну кількість пленкообразователя у двох третинах частинах води, підігрівають до 65 ... 70 ° С. Окремо в однієї третьої частини води, підігрітої до 30 ... 40 ° С, розчиняють макро-і мікроелементи, пестициди і біологічно активні речовини, потім з'єднують ці розчини разом. У ємність засипають насіння і додають приготовлений розчин, все ретельно перемішують протягом 3 ... 4 хв, потім насіння просушують і висипають у бавовняні мішечки. |
огірок, томат, |
|
||