Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Присакар Курсова 3 2003.doc
Скачиваний:
2
Добавлен:
07.09.2019
Размер:
2.76 Mб
Скачать

1

ОГЛЯД

літератури на тему:

ДОСЛІДЖЕННЯ ВПЛИВУ ШВИДКОСТІ ВИРОЩУВАННЯ ТЕРМОЕЛЕКТРИЧНОГО МАТЕРІАЛУ НА ОСНОВІ Bi2Te3 НА ЙОГО ПАРАМЕТРИ

Вступ

В наш час в якості матеріалів для термоелектричних охолоджуючих пристроїв і термогенераторів, працюючих в області низьких температур (100-600 К), використовуються тверді розчини систем Bi2Te3 – Bi2Se3 і Bi2Te3 – Sb2Te3 [1].

Серед халькогенідів, які являються компонентами цих твердих розчинів, найбільш детально вивчений телурид вісмуту. Це пояснюється рядом причин: по перше, телурид вісмуту має достатньо великі термоелектричні параметри і широко використовується в термоелектриці. По друге, шляхом легування його можна отримати як n- так і p-типа провідності і при цьому його можна легко і багатьма способами приготувати у вигляді монокристалів.

Для отримання монокристалів на основі Bi2Te3 з високими термоелектричними властивостями, необхідно підібрати максимальні умови при їх вирощуванні.

Термоелектричні матеріали характеризуються такими параметрами як питомою електропровідністю (σ), коефіцієнта термо е. р. с. (α), коефіцієнтом теплопровідності (χ), питомою термоелектричною потужністю (α2σ), а також термоелектричною добротністю (Z = α2σ/χ). Ці параметри можна підвищити за рахунок зміни багатьох факторів: швидкості росту (ʋ), температури, легуванням різними домішками, зміни ширини розплавленої зони, зміни градієнта температур (G) в розплаві на фронті кристалізації і т.д.

1. Залежність термоелектричної ефективності від основних фізичних параметрах

Термоелектрична ефективність Ві2Те3 і твердих розчинів на його основі залежить від ряду причин, зв’язаних як зі складом цих матеріалів, так і з їх технологією. Розглянемо окремо залежність термоелектричної ефективності матеріалів зі сприятливою структурою і високою степеню однорідності від складу і вплив на величину (добротність термоелектричного матеріалу) технологічних факторів.

Фізичні параметри гілок термоелементів входять до формули, що визначає основні характеристики термоелектричних пристроїв, у вигляді узагальненого безрозмірного параметра (критерій Іоффе):

, (1)

де – ефективність термоелемента, індекси n і p відносяться до n- і p- виткам. Наприклад, максимальний перепад температури на термоелементі при відсутності потоку тепла на холодний спай , максимальний холодильний коефіцієнт (відношення теплової потужності, яка поглинається холодним спаєм, до електричної потужності яка споживається термоелементом) і максимальний к. к. д. термоелемента в термогенераторі визначається виразом:

, (2)

, (3)

, (4)

де – середня температура термоелемента; – перепад температури на термоелементі. Ці максимальні значення досягаються при певному співвідношенню розмірів витків термоелемента та оптимальних значеннях струмів через термоелемент і опору навантаження (в термогенераторі). Теплотехнічні характеристики термоелектричних пристроїв покращуються при підвищені .

При виготовлені термоелектричних матеріалів необхідно оцінити якість n- і p- витків окремо. Критерієм для такої оцінки служить ефективність термоелектричних матеріалів , яке рівне

, (5)

Якщо значення для n- і p- витків не дуже відрізняються, то

, (6)

Якість термоелектричних матеріалів тим вища, чим вище .

Вирази (1-6) справедливі при умові, що термоелектричні властивості не сильно відрізняються в робочому інтервалі температур. Якщо ці умови не виконуються то теплотехнічні властивості обчислюють, застосовуючи різні методи усереднення, найчастіше, к. к. д. термоелемента може бути наближено обчисленим за формулою[2]

, (7)

тут - к. к. д. n- і p- витків, який дорівнює

, (8)

де і – температури холодного і гарячого спая термоелемента.

Для оцінки термоелектричних матеріалів в широкому інтервалі температур використовується середнє значення або обчислюють к. к. д. виток по формулі (8).

2. Підвищення добротності термоелектричних матеріалів методом легування

В ранніх розробках низькотемпературних термоелектричних пристроях використовувались виткі термоелементів з напівпровідникових з’єднань і металічних сплавів. Значення найкращих з цих матеріалів і термоелементів на їх основі при кімнатній температурі наведені в таблиці 1.

Таблиця 1.

Значення напівпровідникових з'єднань і термоелементів на їх основі при 300 К [3]

Матеріали

p- типу

Матеріали

n- типу

Термоелементи

ZnSb

PbTe

PbSe

Sb2Te3

Bi2Te3

0.3

0.36

0.36

0.36

0.54

Ag2Te [4]

PbTe

Ag2Se [4]

Bi2Te3

Bi2Te3 [5]

0.36

0.45

0.69

0.69

0.79

Хромель – копель

Bi – Sb

91ат.%Bi+9ат.%Sb – Sb

ZnS – константан

n- PbTe - p- PbTe

n- Bi2Te3 – p-Bi2Te3

0.03

0.054

0.069

0.15

0.39

0.6

Значне збільшення термоелектричної ефективності отримав Шмєлєв [3] в системі p- (BiSb)2Te3 і Сінані та інші [4, 5] в системі n- Bi2(TeSe)3. В цих твердих розчинах в співвідношенні з ідеєю Іоффе теплопровідність решітки значно знижується в порівнянні з теплопровідністю компонентів (халькогенідів вісмуту і сурми).

Як показали пізніші дослідження [6], основною причиною росту термоелектричної ефективності при введенні селену в телурид вісмуту являється розширення забороненої зони, яка подавлює власну провідність (в телуриді вісмуту власна провідність знижує величину при 300 К на 12%). Разом з цим перехід від телуриду вісмуту до твердого розчина n- Bi2Te3-xSex супроводжується при малих значеннях більш різким зниженням чим зниження параметра , в результаті чого величина має максимум при . Це видно з таблиці 2, в якій крім значення приведено також найбільше значення для твердих рос творах n - Bi2Te3-xSex і співпадаючи їм величини електропровідності і коефіцієнта термо - е. р. с.

Таблиця 2.

Значення для твердих розчинів n- Bi2Te3-xSex при 300 К

0

0.12

0.3

0.6

200

210

225

220

1300

1120

900

800

0.33

0.36

0.35

0.26

0.78

0.87

0.9

0.72

Зменшення при зменшенні від 0.3 до 0 пояснюється підсиленою необхідністю подавити власну провідність за рахунок збільшення концентрації електронів. Максимальне значення досягається при .

На рис.1. показано залежність і від коефіцієнта термо – е. р. с. для телуриду вісмуту і твердих розчинів n- Bi2Te3-xSex при 300 К [6].

Рис. 1. Залежність і від α в

n- Bi2Te3-xSex

За даними [7, 8] в системі твердих розчинів p – (BiSb)2Te3 найбільшу величину має склад p – Bi0.5Sb1.5Te3, вирощених з розплаву, який містить 2.5 ат. % надлишкового телуру. Телур вводиться для компенсації акцепторної дії надлишку сурми, що утворюється через зміщення стехіометрії.

Рис.2. Залежність χр (а) і (б) від α в p – Bi0.5Sb1.5Te3-xSex

Надлишок телуру не розчиняється повністю в матеріалі, а виділяється у вигляді другої фази, що відтісняється при спрямованій кристалізації до кінця злитка або виділяється в середині зерен і на границях зерен і блоків.

В p – Bi0.5Sb1.5Te3 величини і χр помітно змінюються із зміною концентрації носіїв [9]. Це видно на рис. 2. а). Максимум на кривій при x=0 пояснюється розсіюванням дірок на домішкових центрах при малих значеннях α, і дією власною провідністю при великих α. Залежність χр від коефіцієнта термо. е. р. с. при x=0 на рис. 2. а) пояснюється діями цих же факторів [9].

Власна провідність зміщує максимум термоелектричної ефективності p – Bi0.5Sb1.5Te3 в сторону великих концентрацій дірок відносно оптимальної концентрації для однозонної моделі, розглянуту в пункті 1.значення αопт p – Bi0.5Sb1.5Te3 при кімнатній температурі дорівнює 200 мкВ/К замість αопт = 240 мкВ/К для однозонної моделі (рис. 2. б).

В якості термоелектричних матеріалів р – типу для охолоджуючих пристроїв знаходять застосування тверді розчини, близькі по складу до p – Bi0.5Sb1.5Te3, в яких частина атомів телуру заміщена селеном [10]. В цих твердих розчинах зміщення стехіометрії в сторону надлишку сурми, характерне для p – Bi0.5Sb1.5Te3, зменшується, однак при невеликій концентрації селену для отримання оптимальної концентрації дірок в розплаві, вводять надлишок телуру. Утворювана при цьому друга фаза складається в основному із надлишкового телуру, так як селен витісняє телур з кристалічної решітки.

На відмінно від p – Bi0.5Sb1.5Te3 в твердих розчинах p – Bi0.5Sb1.5Te3.4Se0.6 величина слабо залежить від концентрації дірок. Мабуть вплив заряджених центрів на рухомість в цьому розчині проявляється в меншій степені на фоні розсіяння дірок діями атомів селену. Зниження через власну провідність в твердих розчинах з селеном не спостерігається, що зв’язано з збільшенням співвідношення . Так як в p – Bi0.5Sb1.5Te3 χр лінійно зростає при збільшення α через пониження концентрації заряджених центрів, однак вплив власної провідності на ᴂр в твердих розчинах з селеном на відмінно від p – Bi0.5Sb1.5Te3 відсутня навіть при великих значеннях α.

Рис. 3. Залежність , χр (а) та (б) від вмісту селену в

p – Bi0.5Sb1.5Te3-xSex

В результаті в твердих розчинах p – Bi0.5Sb1.5(TeSe)3 значення αопт майже рівне αопт розраховане для однозонної моделі (пункт 1).

На рис. 3 показано залежність , χр (а) та (б) від вмісту селена в p – Bi0.5Sb1.5Te3-xSex, побудовані для різних значень α [9]. З малюнка видно, що при збільшення вмісту селену величина зменшується. Можливі такі причини цього зменшення: розсіяння носіїв на атоми селену і збільшення ефективної маси. Теплопровідність решітки практично не залежить від вмісту селену за виключенням зразків з великими значеннями α. В цьому випадку спостерігається зниження χр в твердих розчинах, які містять селен, у порівнянні з p – Bi0.5Sb1.5Te3 через дію в останньому власної провідності.

Різні впливи селену на χр і можна пояснити,виходячи з наступними уявленнями.

  1. Введення селену надає слабку дію на розсіяння дірок і фононів. Зниження в основному зв’язано зі зміною ефективної маси.

  2. Через сильну дію розсіяння атомів вісмуту короткохвильові фони не беруть участь в переносі тепла. Перенос тепла здійснюється довгохвильовими фонами, на яких не впливає введення атомів селену.

Температурні залежності твердих розчинів p - (BiSb)2Te3 при температурах нижче кімнатних досліджували Чампнесс та інші [8]. В цій роботі тверді розчини різного складу вирощувалися з розплаву з однаковими надлишком телуру і, внаслідок зміщення стехіометрії в системі p - (BiSb)2Te3, мали різну концентрацію дірок. Тому з результатів [8] не можна зробити виводи про переваги донного твердого розчину при низьких температурах.

На рисунку 4 показано температурні залежності твердих розчинів р –Bi2-xSbxTe3 по даними [8].

Рис.4. Температурні залежності

твердих розчинів

р –Bi2-xSbxTe3

Великі значення ефективності р –Bi0.67Sb1.33Te3 при температурах нижче 270 К пояснюється більш близькими до оптимальних значень α.

На рис.5 показано температурні залежності , σ, χ, і α твердих розплавів n – Bi2Te2.7Se0.3 і p – Bi0.5Sb1.5Te3. При температурах нижче 220 оК тверді розчини p- Bi2(TeSe)3 поступаються по ефективності сплавам n – Bi0.95Sb0.05 [11]. Сплави Bi – Sb являються наполовину металами, в яких заборонена зона вкрай вузька або взагалі відсутня. В таких матеріалів концентрація електронів і дірок рівні а коефіцієнт термо. е. р. с. визначається співвідношенням.