
- •1. Полупроводниковые приборы (ппп)
- •1.1 Электропроводность полупроводников. Вах. Свойства p-n-перехода
- •1.2 Полупроводниковые резисторы
- •1.2.1 Терморезисторы
- •1.2.2 Фоторезисторы
- •1.3.4 Светодиоды
- •1.4 Биполярные транзисторы
- •1.4.1 Устройство и схемы включения
- •1.4.3. Схема замещения или эквивалентная схема транзистора.
- •1.5. Полевые транзисторы.
- •1.5.1. Устройства и схема включения.
- •1.5.2. Статические вольтамперные характеристики полевого транзистора в схеме с общим истоком. Основные параметры.
- •1.5.3. Схема замещения полевого транзистора включенного по схеме с общим истоком.
- •1.6. Тиристоры.
1.5.3. Схема замещения полевого транзистора включенного по схеме с общим истоком.
1014…1017 Ом
Входное сопротивление очень высоко, это означает, что полевой транзистор практически не потребляет ток.
– зависимый
источник тока в выходной цепи, характеризует
усилительные свойства транзистора.
Rси – выходное сопротивление.
Основные преимущества полевых транзисторов по сравнению с биполярными транзисторами: высокое входное сопротивление, низкий уровень шумов.
Недостатки: низкая электрическая прочность и низкая чувствительность к тепловым перегрузкам.
В звукотехнике полевые транзисторы применяются в усилителях, работающих от конденсаторных микрофонов.
1.6. Тиристоры.
Тиристоры – полупроводниковые приборы с тремя и более p-n – переходами, вольтамперная характеристика которых имеет участок с отрицательным дифференциальным сопротивление. Тиристор может мгновенно переключаться из закрытого состояния в открытое состояние и обратно. Типичная структура тиристора четырехслойная с чередующимися p-n – областями.
На основе этой структуры делают два вида тиристоров:
Динисторы с двумя крайними выводами от внешних слоев. Вывод от p – области называется анод, а от n – области – катод. Прибор является неуправляемым (переключающим).
Тринисторы с тремя выводами: анод, катод, управляющий электрод вывод от одной из средних областей.
с управлением по аноду
с управлением по катоду