1.4.3. Схема замещения или эквивалентная схема транзистора.

В режиме малого сигнала транзистор можно рассмотреть как активный линейный четырехполюсник.

С хемой замещения (эквивалентной схемой) называется электрическая схема, в которой входные и выходные токи и напряжения связаны с помощью специальных параметров те ми же зависимостями, что и у замещающегося элемента.

эквивалентная схема

транзистора

Физический смысл h – параметров

[Ом] – входное сопротивление транзистора

[б/р] – коэффициент внутренней обратной связи по напряжению

[б/р] – коэффициент усиления транзистора по току

[Ом^-1] или [Си] – выходная проводимость транзистора

h – параметры, зависят от схемы включения транзистора, поэтому к индексам в обозначениях добавляется соответствующая буква: Б, Э, К.

(h параметры указываются в справочнике)

Упрощенная схема с общим эмиттером.

В виду малости в инженерных расчетах не учитывается.

1.5. Полевые транзисторы.

Полевым транзистором называется полупроводниковый прибор, в котором поток основных носителей зарядов через проводящий канал управляется поперечным электрическим полем.

Электрод (вывод), через который втекают носители заряда, называется истоком. А электрод, через который они вытекают, называется стоком. Электрод для регулирования проводимости канала, называется затвором. Полевые транзисторы являются униполярными. В зависимости от типа электропроводимости могут быть полевые транзисторы с p или n каналами. По технологии изготовления и принципу действия полевые транзисторы разделяются на два основных вида.

• с управляющим p-n- переходом

• с изолированным затвором ( МДП – металл диэлектрик полупроводник, МОП – металл окисел полупроводник)

Условное обозначение полевого транзистора:

• с управляющим p-n- переходом

канал n – типа канал p – типа

• с изолированным затвором

к анал n – типа канал p – типа

1.5.1. Устройства и схема включения.

С управляющим p-n – переходом	С изолированным затвором
канал (n – типа)	канал (n – типа)
с общим истоком	с общим истоком

С изменение напряжения между затвором и истоком изменяется проводимость канала и ток стока выходной.

1.5.2. Статические вольтамперные характеристики полевого транзистора в схеме с общим истоком. Основные параметры.

• Проходная характеристика .

• Выходные (стоковые) вольтамперные характеристики

Основные параметры.

• Крутизна усиления определяется по проходной характеристики в исходной или рабочей точки. S=1…50 мА/B

• Дифференциальное сопротивление канала или выходное сопротивление транзистора определяется по выходным характеристикам в исходной точке.

R_си = 0,1…0,5 Мом

В справочниках указываются предельно допустимые значения: .