Контрольні запитання

1. Яка поверхня називається ідеальною?

2. Поясніть фізичну природу поверхневих рівнів Тамма та рівнів Шоклі.

3. Дайте визначення атомарно чистої поверхні.

4. Опишіть основні методи виготовлення атомарно чистих поверхонь напівпровідникових кристалів. Назвіть основні переваги та недоліки кожного з них.

5. У чому полягає основна різниця між атомарно чистою та реальною поверхнею напівпровідникового кристала?

6. Поясніть способи виготовлення реальних поверхнонь напівпровідникових кристалів.

7. Чому в процесі розрізування та шліфування напівпровідникових пластин на їх поверхні утворюється нарушений шар? Від чого залежить товщина названого шару?

8. Дайте пояснення процесу хімічного травлення поверхні напівпровідників.

9. Поясніть механізм очищення поверхні напівпровідника при нагріванні до високих температур.

10. У чому полягає характерна особливість окисних плівок на поверхні германію. Чим відрізняються окисні плівки на германії та кремнії?

11. Проаналізуйте процес адсорбції атомів різних речовин на поверхні твердого тіла.

12. Опишіть основні особливості фізичної та хімічної адсорбції.

13. Як залежить потенціальна енергія взаємодії між атомами адсорбата і адсорбента?

14. Сформулюйте основні особливості сучасної теорії хемосорбції.

15. Чим відрізняються сильна та слабка форми хемосорбції.

1Під “великими” віддалями розуміють такі віддалі між частинками, при яких перекриттям їх хвильових функцій можна знехтувати. При “малих” віддалях хвильові функції цих частинок помітно перекриваються.

16

Основи фізики поверхні напівпровідників. Навчальний посібник.