Образец список использованных источников
Готра З.Ю., Войтехов А.Н., Хромяк И.Я. Резистивные материалы для низкоомных тонкопленочных резисторов интегральных схем. -ЗЭТ, 1984, №2, с. 47-80.
Николаев М.В., Франк Г. А., Достанко А.П. Резисторные микросхемы для информационно-измерительной радиоэлектронной аппаратуры. Измерительная техника, 1984, № 8, с. 54-55.
Скоболенко А. В. Материалы и методы получения высокостабильных тонкопленочных резисторов микросхем. - ЗЭТ, 1982, вып. 8, с. 25- 59.
Брак, Полленс. Преимущества резисторов, изготовленных в тонкопленочной технологии. - Электроника. Пер. с англ: -М. Мир,1978, т. 51,№16,с.34-42.
Обзоры по электронной технике: Проблемы резисторного материаловедения/ К.И. Мартюшов. -М., 1985. -Вып.2.Сер. Радиодетали и радиокомпоненты, - 68с.
Андреев В.М., Бронгулеева М.Н., Дацко С.Н., Яманова Л.В. Материа-лы микроэлектронной техники. -М.: Радио и связь, 1989. -352 с.
Электронная техника: Конструктивно-технологические особенности изготовления высокостабильных тонкопленочных резистивных элементов ГИМС / Л.В. Кожитов, ГГ. Машара, Л.М. Лыньков. - М., 1986.-Вып. 6(217). Сер. Материалы, -с. 3- 9.
Технология тонких пленок. -Т. 1,2. - Справочник/Под. Ред. Л. Майссела, Р. Гленга: Пер. с англ. -М.: Сов. Радио, 1977. -664 с, 768 с.
Марин К.Г, Рогова И.В., Хромов А.Д. Материалы для тонкопленочных резисторов. -Электронная промышленность, 1980, вып. 8, с. 80-81.
Дворина Л.А., Попов В.И. Новые материалы для микроэлектроники на основе силицидов переходных металлов.- Электронная техника. Сер.
ОБРАЗЕЦ
ПРИЛОЖЕНИЕ А
ТЕХНИЧЕСКОЕ ЗАДАНИЕ НА ДИПЛОМНОЕ ПРОЕКТИРОВАНИЕ
ОБРАЗЕЦ
ПРИЛОЖЕНИЕ Б
СПЕЦИФИКАЦИЯ МИКРОСБОРКИ НАБОРА РЕЗИСТОРОВ
ОБРАЗЕЦ
ПЕРЕЧЕНЬ УСЛОВНЫХ ОБОЗНАЧЕНИЙ, СИМВОЛОВ И ТЕРМИНОВ
-
ПЦ
–
парамагнитный центр
спин/г
–
количество электронов с учетом их спинов в одном грамме вещества
ЭПР
–
электронный парамагнитный резонанс
∆Н
–
ширина линии ЭПР
СВЧ
–
сверхвысокая частота
УДА
–
ультрадисперсный алмаз
ПК
–
поликристаллический
СТС
–
сверхтонкая структура
МВП
–
микроволновое поглощение
ИК
–
инфракрасный
ПИ
–
полиимид
ПЭ
–
полиэтилен
ПА
–
полиамид
j
–
плотность ионного тока
НЧ
–
наночастица
АСМ
–
атомная силовая микроскопия
ФМР
–
ферромагнитный резонанс
ЭСР
–
электронный спиновый резонанс
I
–
интенсивность сигнала ЭПР
N
–
концентрация парамагнитных центров
КО
–
калибровочный образец
ПЦА
–
парамагнитный центр аморфизации
СА
–
синтетический алмаз
ТКЦ
–
трикарбоксилцеллюлоза