Содержание
Задание. Режимы измерения. Режимы переходных процессов. Температурный диапазон |
|
1.Технологические основы изготовления диода |
|
1.1 Изготовление подложки |
|
1.2 Эпитаксия |
|
1.3 Окисление |
|
1.4 Литография |
|
1.5 Травление |
|
1.6 Диффузия |
|
1.7 Металлизация |
|
1.8 Скрайбирование |
|
2.Расчет параметров диода |
|
2.1 Расчет конструктивных параметров диода |
|
2.2 Расчет концентрационного профиля и подвижности носителей заряда |
|
2.3 Расчет обратных токов |
|
2.4 Температурная зависимость обратного тока |
|
2.5 Напряжение пробоя |
|
2.5.1 Тепловой пробой |
|
2.5.2 Лавинный пробой |
|
2.6 Расчет прямого падения напряжения |
|
2.7 Температурная зависимость прямого падения напряжения |
|
2.8 Расчет вольт–фарадной характеристики |
|
2.9 Зависимость добротности от частоты |
|
2.10 Расчет импульсных характеристик |
|
3.Теоретический расчет |
|
3.1 Исходные данные |
|
3.2 Физические константы |
|
|
|
|
|
ЗАДАНИЕ
Расчет параметров диода.
Расчет температурной зависимости
,
Расчет температурной зависимости
.Расчет вольт - фарадной характеристики
.Расчет частотной зависимости добротности (при
).Расчет температурной зависимости
.Расчет зависимости
.Расчет зависимости
.
РЕЖИМЫ ИЗМЕРЕНИЯ
:
РЕЖИМЫ ПЕРЕХОДНЫХ ПРОЦЕССОВ
при
при
I
t
R=10 Ом
Uобр
ТЕМПЕРАТУРНЫЙ ДИАПАЗОН
-
Материал Si (кремний)
Вариант структуры p+-n-n+
Вариант №10
-
Rse,Ом/
10
ρ В,Ом∙см
2
τ В,мкс
1
ρ + П, Ом∙см
5∙10-3
σ,см/с
20
Wэпи, мкм
12
Xj, мкм
4
d, мкм
300
R,см
0.01
RTO,К/мВт
2
Pmax, мВт
100
τ SE,мкс
10-7
ρ SK,Ом∙см2
10-4