
- •1. Классификация полупроводниковых материалов.
- •1. Явления поляризации в диэлектриках. Виды поляризации. Диэлектрическая проницаемость и диэлектрические потери.
- •4. Стеклообразные диэлектрики, их свойства и применение.
- •5. Неполярные, полярные и термостойкие органические диэлектрики.
- •6. Конструкционные металлические сплавы на основе Fe, Al, Cu
- •7. Композиционные листовые пластмассы. Материалы для оснований печатных плат вч и свч диапазонов.
- •2.5. Композиционные, наполненные пластмассы
- •2.5.2. Наполнители
- •2.5.3. Пластмассы с листовым наполнителем
- •2.5.4. Листовые материалы для производства печатных плат
- •8. Сегнетоэлектрики
- •12. Керамика, особенности структуры и основные характеристики установочной и конденсаторной керамики.
- •2. Керамика
- •3.3.2. Конденсаторная керамика
- •14. Зонная структура металла, концентрация и подвижность носителей заряда в металле.
- •15. Эпитаксиальный рост пленок полупроводника.
- •16 Анализ p–n перехода, физика работы диода.
- •18. Ионная имплантация примесей в полупроводник.
- •22. Ионно-плазменное осаждение тонких пленок.
- •27.Усилительные каскады на биполярных и полевых транзисторах.
- •1.2 Эквивалентные схемы резисторного каскада на различных частотах
- •31 Ескд. Виды и комплектность конструкторской документации.
- •33. Конструктивные, технологические и эксплуатационные требования к эс
- •34. Стадии и этапы проектирования электронных средств и разработки технической документации.
- •35. Особенности проектирования эс
- •39. Унифицированные базовые конструкции и их влияние на качество и себестоимость.
- •IV. Унификация.
- •41. Защита рэс от атмосферных воздействий.
- •42. Защитные покрытия, их классификация и основные характеристики. Виды и материалы покрытий.
- •44. Обеспечение надежности рэс в процессе проектирования и производства рэс.
- •45. Статистический ряд и его обработка при управлении качеством
- •46. Международные стандарты по управлению качеством.
- •47. Математическая модель биполярного транзистора, ее основные элементы
- •50. Структура и состав сапр. Состав и возможности современных пакетов проектирования рэс.
- •54. Топологическое проектирование рэс (компоновка, размещение, трассировка), как задачи структурной оптимизации.
- •57. Амплитудная модуляция
- •58. Обобщенная трехточечная схема автогенератора
- •58. Транзисторные автогенераторы
- •1.5 Кварцевые автогенераторы
- •61. Физическая сущность процесса детектирования амплитудно-модулированных сигналов
- •В этом случае ток, протекающий через диод будет иметь им-
- •1.4 Схемы диодных детекторов Различают последовательную (рис. 2.5) и параллельную (рис. 2.6) схемы построения диодных детекторов.
- •1.5 Нелинейные искажения в детекторе больших амплитуд
- •1.6 Линейное детектирование в амплитудных детекторах
- •Тогда ток, протекающий в цепи диода, равен
- •Определим среднее значение тока в цепи диода
- •Пусть на вход детектора подан ам- сигнал
- •Определим коэффициент детектирования
- •С учетом выражений (2.6) и (2.4) запишем
- •64. Принцип факсимильной передачи сообщений.
- •65. Типизация технологических процессов. Типовые и групповые технологические процессы.
- •69.Типы и свойства нефольгированных и фольгированных диэлектриков, используемых для изготовления печатных плат.
- •70. Методы изготовления пп по субтрактивной технологии.
- •71. Методы изготовления пп по аддитивной технологии
- •74. Методы изготовления мпп
- •4.3.1.1. Метод металлизации сквозных отверстий
- •4.3.1.2. Метод открытых контактных площадок
- •4.3.1.3. Мпп с выступающими выводами
- •4.3.1.4. Метод попарного прессования
- •4.3.1.5. Метод послойного наращивания
- •4.3.2. Мпп прецизионные на фолыированном основании
- •4.3.4. Мпп прецизионные на нефольгированном основании
- •4.3.5. Мпп изготовленные методом пафос
- •75. Металлизация диэлектриков
- •77. Схемы технологических процессов
- •80. Методы и технология монтажной пайки.
- •81. Пайка одиночной и двойной волной припоя.
- •82. Конвекционная пайка. Температурный профиль пайки. Инфракрасная пайка.
- •83. Производственные погрешности, причины возникновения и законы распределения.
- •84. Задачи технологической подготовки рэс. Стандарты единой системы технологической подготовки производства и их классификация
- •Прогрессивных технологических процессов (тп),
- •Основные функции тпп. Задачи тпп, решаемые на стадиях проектирования
- •88. Изготовление деталей из керамических материалов.
- •Дополнительные операции.
- •89. Теплопроводность (кондуктивный перенос тепла)
- •3.1. Закон Фурье
- •3.2. Тепловые коэффициенты. Тепловые сопротивления. Метод электротепловых аналогий
- •3.3. Теплопередача цилиндрической, однородной стенки (трубы)
- •91. Конвективный теплообмен. Закон Ньютона-Рихмана.
- •92. Теплообмен излучением. Перенос тепла излучением.
- •Закон Ламберта -Этот закон определяет значение плотности потока излучения е в зависимости от его направления по отношению к равномерно излучающей поверхности тела.
- •93. Влагообмен в рэс Первый и второй закон Фика.
- •97. Классификация систем охлаждения рэа
- •11.2.1. Контактный способ охлаждения
- •11.2.2. Естественное воздушное охлаждение
- •11.2.3. Принудительное воздушное охлаждение
- •11.2.4. Жидкостные системы
Закон Ламберта -Этот закон определяет значение плотности потока излучения е в зависимости от его направления по отношению к равномерно излучающей поверхности тела.
Наибольшей плотностью обладает поток излучения по нормали к поверхности, его называют яркостью излучения и обозначают En . Плотность потока по остальным направлениям Е, определяется по формуле E =Encos, En=E/,
где - угол между направлением излучения и нормалью.
Закон Кирхгофа-Этот закон устанавливает связь между степенью черноты и поглощательной способностью серых тел.
93. Влагообмен в рэс Первый и второй закон Фика.
Явление переноса влаги и газа через плотные вещества представляет собой довольно сложный процесс.
В случае отсутствия в материале трещин, пор и других крупных дефектов этот процесс происходит по следующим стадиям:
1. Ограниченное растворение паров в материале (в поверхностных слоях).
2. Перенос растворённых паров через объёмную фазу (за счёт диффузии).
3. Испарение продиффундировавших паров с поверхности противоположной стороны.
Определяющей в этом сложном процессе чаще всего выступает диффузия. Впервые её законы были сформулированы Фиком. Первый закон Фика:
1)
,
(58)
где Р - поток вещества, проникающего через материал D - коэффициент диффузии; с - концентрация вещества; х - пространственная координата.
2)
,
(59)
где t - время роста концентрации влаги.
Если диффузия протекает в трех направлениях среды, то законы Фика имеют следующий вид:
;
(60)
.
(61)
Первый закон Фика: скорость диффузии через единичную площадь пропорциональна grad концентрации и противоположна ему по направлению.
Второй закон Фика: изменение концентрации со временем пропорционально дивергенции вектора градиента концентрации.
В ходе процесса переноса влаги через материал могут быть два случая: стационарный поток переносимого вещества и неустановившийся поток. В первом случае концентрация воды по всей толщине материала находится в состоянии равновесия, т.е. с = const.
Законы Фика запишутся в следующем виде:
(62)
.
.
Решение будем искать в виде с=Ах+В. При следующих граничных условиях:
c=C1 при х=0; с==С2 при х=, где - толщина материала.
Концентрацию газа или пара С можно выразить через его давление, воспользовавшись законом Генри: C=ph, где р - давление влаги в материале [Па]; h- коэффициент растворимости газа и пара в исследуемом материале.
.
Постоянная Р носит название коэффициента проницаемости и определяется как количество газа или пара, кг, прошедшего через пластину единичной толщины и площади при разности давлений 133 Па в единицу времени.
Величину Р можно найти, если известно количество протекающего газа или пара:
.
(67)
Таким образом, перенос газа или паров через материал дает возможность определить из стационарного режима переноса потока коэффициент влагопроницаемости Р. Следовательно, зная Р и коэффициент диффузии Д, можно легко определить коэффициент растворимости h, физический смысл которого заключается в следующем: h - это количество паров, кг, растворяющегося в 1 м3 материала при давлении паров 133 Па.
Величину коэффициента диффузии можно определить из нестационарного режима потока, задаваемого вторым законом Фика. Физический смысл нестационарного потока заключается в следующем: любой газ или пар, входя в пластину электроизоляционного материала, не содержащего в себе пара или газа, проникает через пластину до выхода на "сухую" сторону в течение времени, существенно большего, чем это потребуется ему потом, при установившемся стационарном потоке. Связано это с тем, что параллельно с процессом диффузионного переноса вещества идут процессы растворения и процессы насыщения паром или газом материала.
Если графически изобразить зависимость давления пара или газа от времени на "сухой" стороне пластины, то отрезок L = tзап (запаздывания) (рис. 17). Используя большой экспериментальный материал, ученые показали, что большой класс зависимости коэффициента диффузии от концентрации подчиняется неравенству:
Процессы растворения пара или газа идут до тех пор, пока не наступит насыщение материалов. Эти процессы приводят к ухудшению электрических, изоляционных и других свойств материала. Наиболее опасным является соприкосновение с водой, если это:
1) конденсация водяных паров на поверхности изделия или туман;
2) смачивание брызгами воды;
3) погружение в воду.
Математическое моделирование в конструкторско-технологическом проектировании
В процессе проектирования многократно выполняются такие проектные процедуры как синтез, анализ и оптимизация.
Автоматизация решения этих задач проводится на основе математического моделирования.
Последовательность задач синтеза, анализа и оптимизации при конструкторско-технологическом проектировании РЭС:
1. Анализ ТЗ на разработку конструкции и ТП .
2. Анализ и выбор лучшего варианта структуры ОП на основе выбранного критерия чувствительности характеристик к внешним воздействиям и синтеза расчетных моделей и моделей чувствительности.
3. Параметрическая оптимизация на основе выбранного критерия оптимальности и сформированных ограничений на параметры.
4. Анализ, синтез и оптимизация допусков на параметры на основе выбранных ограничений на допуски и критерия оптимизации допусков.
5. Расчет и анализ технологической серийно пригодности на основе данных по технологическим разбросам параметров и в соответствии с выбранными показателями серийно пригодности.
6. Расчет и анализ эксплутационной стабильности и надежности на основе данных по зависимостям свойств материалов и деталей от воздействий и в соответствии с выбранными показателями стабильности и надежности.
7. Анализ необходимости и эффективности защиты РЭС от внешних воздействий на основе выбранного способа и средств защиты и с использованием данных о физико-конструктивных параметрах средств защиты.
8. Синтез системы регулировок, настроек и контроля работоспособности на основе выделения управляемых параметров и доступных для контроля сигналов, а также элементов и узлов с малыми запасами работоспособности.
9. Синтез программы испытаний РЭС, то есть постановка задач испытаний и подготовка данных по условиям проведения испытаний.
Структурные ММ характеризуют, из каких элементов строится ОП, при этом РЭС или ТП описывается в виде графов и матриц. Функциональные ММ описывают физические процессы, происходящие в ОП. Детерминированные ММ не учитывают случайных факторов функционирования ОП. Непрерывные ММ рассматривают поведение ОП в любой момент времени и при всех возможных значениях параметров ОП в пределах допустимых интервалов. Дискретные ММ изучают поведение ОП только в определенные моменты времени и при определенных наборах значений параметров ОП.
На ранних стадиях проектирования (блоки высшего уровня) ОП рассматривают в целом как очень сложную систему.. Модели, которые используют в таких случаях, называют моделями мегауровня. На средних уровнях проектирования рассматриваются отдельные блоки ОП. ММ этих уровней называют моделями макроуровня. На заключительной стадии проектирования, где независимыми переменными являются и время t, и пространственные координаты l1, l2, l3. Такие модели называют моделями микроуровня.