
- •1. Классификация полупроводниковых материалов.
- •1. Явления поляризации в диэлектриках. Виды поляризации. Диэлектрическая проницаемость и диэлектрические потери.
- •4. Стеклообразные диэлектрики, их свойства и применение.
- •5. Неполярные, полярные и термостойкие органические диэлектрики.
- •6. Конструкционные металлические сплавы на основе Fe, Al, Cu
- •7. Композиционные листовые пластмассы. Материалы для оснований печатных плат вч и свч диапазонов.
- •2.5. Композиционные, наполненные пластмассы
- •2.5.2. Наполнители
- •2.5.3. Пластмассы с листовым наполнителем
- •2.5.4. Листовые материалы для производства печатных плат
- •8. Сегнетоэлектрики
- •12. Керамика, особенности структуры и основные характеристики установочной и конденсаторной керамики.
- •2. Керамика
- •3.3.2. Конденсаторная керамика
- •14. Зонная структура металла, концентрация и подвижность носителей заряда в металле.
- •15. Эпитаксиальный рост пленок полупроводника.
- •16 Анализ p–n перехода, физика работы диода.
- •18. Ионная имплантация примесей в полупроводник.
- •22. Ионно-плазменное осаждение тонких пленок.
- •27.Усилительные каскады на биполярных и полевых транзисторах.
- •1.2 Эквивалентные схемы резисторного каскада на различных частотах
- •31 Ескд. Виды и комплектность конструкторской документации.
- •33. Конструктивные, технологические и эксплуатационные требования к эс
- •34. Стадии и этапы проектирования электронных средств и разработки технической документации.
- •35. Особенности проектирования эс
- •39. Унифицированные базовые конструкции и их влияние на качество и себестоимость.
- •IV. Унификация.
- •41. Защита рэс от атмосферных воздействий.
- •42. Защитные покрытия, их классификация и основные характеристики. Виды и материалы покрытий.
- •44. Обеспечение надежности рэс в процессе проектирования и производства рэс.
- •45. Статистический ряд и его обработка при управлении качеством
- •46. Международные стандарты по управлению качеством.
- •47. Математическая модель биполярного транзистора, ее основные элементы
- •50. Структура и состав сапр. Состав и возможности современных пакетов проектирования рэс.
- •54. Топологическое проектирование рэс (компоновка, размещение, трассировка), как задачи структурной оптимизации.
- •57. Амплитудная модуляция
- •58. Обобщенная трехточечная схема автогенератора
- •58. Транзисторные автогенераторы
- •1.5 Кварцевые автогенераторы
- •61. Физическая сущность процесса детектирования амплитудно-модулированных сигналов
- •В этом случае ток, протекающий через диод будет иметь им-
- •1.4 Схемы диодных детекторов Различают последовательную (рис. 2.5) и параллельную (рис. 2.6) схемы построения диодных детекторов.
- •1.5 Нелинейные искажения в детекторе больших амплитуд
- •1.6 Линейное детектирование в амплитудных детекторах
- •Тогда ток, протекающий в цепи диода, равен
- •Определим среднее значение тока в цепи диода
- •Пусть на вход детектора подан ам- сигнал
- •Определим коэффициент детектирования
- •С учетом выражений (2.6) и (2.4) запишем
- •64. Принцип факсимильной передачи сообщений.
- •65. Типизация технологических процессов. Типовые и групповые технологические процессы.
- •69.Типы и свойства нефольгированных и фольгированных диэлектриков, используемых для изготовления печатных плат.
- •70. Методы изготовления пп по субтрактивной технологии.
- •71. Методы изготовления пп по аддитивной технологии
- •74. Методы изготовления мпп
- •4.3.1.1. Метод металлизации сквозных отверстий
- •4.3.1.2. Метод открытых контактных площадок
- •4.3.1.3. Мпп с выступающими выводами
- •4.3.1.4. Метод попарного прессования
- •4.3.1.5. Метод послойного наращивания
- •4.3.2. Мпп прецизионные на фолыированном основании
- •4.3.4. Мпп прецизионные на нефольгированном основании
- •4.3.5. Мпп изготовленные методом пафос
- •75. Металлизация диэлектриков
- •77. Схемы технологических процессов
- •80. Методы и технология монтажной пайки.
- •81. Пайка одиночной и двойной волной припоя.
- •82. Конвекционная пайка. Температурный профиль пайки. Инфракрасная пайка.
- •83. Производственные погрешности, причины возникновения и законы распределения.
- •84. Задачи технологической подготовки рэс. Стандарты единой системы технологической подготовки производства и их классификация
- •Прогрессивных технологических процессов (тп),
- •Основные функции тпп. Задачи тпп, решаемые на стадиях проектирования
- •88. Изготовление деталей из керамических материалов.
- •Дополнительные операции.
- •89. Теплопроводность (кондуктивный перенос тепла)
- •3.1. Закон Фурье
- •3.2. Тепловые коэффициенты. Тепловые сопротивления. Метод электротепловых аналогий
- •3.3. Теплопередача цилиндрической, однородной стенки (трубы)
- •91. Конвективный теплообмен. Закон Ньютона-Рихмана.
- •92. Теплообмен излучением. Перенос тепла излучением.
- •Закон Ламберта -Этот закон определяет значение плотности потока излучения е в зависимости от его направления по отношению к равномерно излучающей поверхности тела.
- •93. Влагообмен в рэс Первый и второй закон Фика.
- •97. Классификация систем охлаждения рэа
- •11.2.1. Контактный способ охлаждения
- •11.2.2. Естественное воздушное охлаждение
- •11.2.3. Принудительное воздушное охлаждение
- •11.2.4. Жидкостные системы
75. Металлизация диэлектриков
Металлизация диэлектриков основывается на процессах химического и электрохимического меднения. Выбор меди в качестве проводящего покрытия объясняется ее пластичностью, высокой электропроводностью, хорошей паяемостью, низким уровнем внутренних напряжений и приемлемой стоимостью. В медном покрытии уровень внутренних напряжений намного меньше, чем в покрытиях из других металлов. Например, внутренние напряжения в медном покрытии могут быть ниже почти в 50 раз их значения в покрытиях из хрома и никеля.
Химическое меднение применяют для создания проводящего подслоя толщиной примерно 1 мкм перед электрохимической металлизацией и основного слоя толщиной 25-30 мкм при изготовлении ПП по аддитивной технологии. Достоинство химического меднения – высокая равномерность покрытия, а недостатками являются слабое сцепление меди с подложкой и трудность получения качественных толстослойных покрытий.
Растворы для химического меднения отличаются многообразием содержащихся в них компонентов. Во всех случаях в состав раствора обязательно должны входить следующие вещества: соли меди, вещества для связывания меди в комплексную соль, вещество-восстановитель (формальдегид), вещество, обуславливающее необходимую величину pH раствора и различные добавки, способствующие повышению качества покрытия.
Сернокислая медь является источником катионов Cu2+, которые, восстанавливаясь до металлического состояния, образуют покрытие. Для повышения прочности сцепления меди с диэлектриком в состав раствора вводят ионы никеля в виде NiCl2. Интенсивность восстановления меди зависит от окислительно-восстановительного потенциала формальдегида, величина которого определяется значением pH раствора (табл. 2.11).
Таблица 2.11
Потенциал, В |
+0,62 |
+0,71 |
+0,8 |
+0,89 |
+0,98 |
+1,07 |
pH |
9 |
10 |
11 |
12 |
13 |
14 |
С увеличением pH скорость восстановления меди увеличивается, однако растворы с pH, равным 13 и более очень нестабильны. Поэтому обычно pH поддерживают в пределах от 11,5 до 12,5.
Химическое меднение возможно в присутствии на поверхности диэлектрика катализатора, которым может быть один из благородных металлов, чаще всего палладий. Для придания диэлектрику способности к металлизации в начале проводят операции сенсибилизации и активации, а затем химическое меднение.
Сенсибилизация - это операция создания на поверхности диэлектрика пленки из ионов двухвалентного олова, которые в последствии восстанавливают ионы палладия. Для этого диэлектрик обрабатывают в растворах содержащих SnCl2 от 5 до 10 г/л и HCl от 20 до 40 г/л (остальное дистиллированная вода) непродолжительное время (от 5до 7 мин.) и промывают в холодной воде. При этом происходит гидролиз SnCl2 по следующей схеме:
SnCl2 + H2O → Sn(OH)Cl + HCl;
Sn(OH)Cl + H2O → Sn(OH)2 + HCl.
В результате операции сенсибилизации поверхность диэлектрика равномерно покрывается гидроокисью двухвалентного олова.
Операцию активации проводят в растворах, содержащих соль палладия. Например, наиболее широко используются растворы состава PdCl2 от 0,5 до 4 г/л, HCl от 10 до 20 мл/л (остальное - дистиллированная вода). Время отработки от 5 до 7 мин. На поверхности фольгированного диэлектрика с просверленными отверстиями протекают две реакции:
- на диэлектрике Sn2+ + Pd2+ → Pd + Sn4+,
- на поверхности фольги Cu + Pd2+ → Pd + Cu2+.
Выделение палладия на медной фольге является нежелательным по следующей причине. Палладий захватывает водород, выделяющийся во время химического меднения диэлектрика, вследствие чего образуются гидриды палладия, которые приводят к тому, что пленка палладия становится рыхлой. Это обуславливает повышение переходного электросопротивления между химически осажденной медью и торцами медной фольги. Поглощение водорода палладием вызывает также понижение прочности сцепления меди с диэлектриком.
С целью исключения химического меднения разработана технология прямой электрохимической металлизации. Ее особенность заключается в том, что проводимость поверхности диэлектрика достигается нанесением тонкодисперсного палладия; образующаяся таким образом пленка палладия обеспечивает качественное меднение.
Рассмотрим основные положения электрохимического меднения и получения покрытия Sn-Pb, используемого в качестве металлорезиста при травлении медной фольги.
Чтобы ПП обладали высокой надежностью, должны удовлетворяться следующие основные требования к покрытиям:
- равномерность металлизации по поверхности заготовок ПП и в отверстиях;
- мелкозернистая структура покрытия;
- минимальная пористость покрытия.
Необходимость осаждения равномерных покрытий объясняется двумя причинами. Во-первых, при равномерной металлизации исключаются непокрытые участки, которые являются потенциальным источником понижения надежности проводящей структуры. Во-вторых, неравномерность металлизации приводит к неоднородности распределения внутренних напряжений в покрытии. Внутренние напряжения в значительной степени зависят от толщины покрытия; с увеличением его толщины величина внутренних напряжений возрастает.
Абсолютно беспористых покрытий не существует. Практически стремятся минимизировать пористость покрытий, поскольку с ней тесно связаны электропроводность, коррозионная стойкость проводящих слоев ПП и прочность их сцепления с диэлектриками. К числу главных факторов, влияющих на пористость покрытий, относятся:
- качество подготовки поверхности заготовки ПП и степень однородности и бездефектности проводящего покрытия, создаваемого перед электрохимической металлизацией;
- состав электролита и режимы осаждения покрытия;
- интенсивность обмена электролита на поверхности заготовки ПП и в отверстиях.
Меднение заготовок ПП можно проводить различными электролитами. Более пластичные, равномерные и с меньшей пористостью осадки получаются в сернокислых электролитах. Для повышения рассеивающей способности в электролиты добавляют блескообразующие и выравнивающие добавки ЛТИ, Меданит и др.
Пористость покрытия уменьшается при импульсном токе. Импульсный режим способствует также измельчению структуры покрытия (кристалл растет во время импульса тока и пассивируется во время паузы).
Для осаждения сплава Sn-Pb используют борфтористоводородные электролиты состава (г/л): фтороборат олова от 13 до 18, фтороборат свинца от 7 до 9, борфтористоводородная кислота от 250 до 280, борная кислота от 20 до 30, пентон от 4 до 6, гидрохинон от 0,8 до 1. Аноды изготавливают из Sn-Pb эвтектического состава (61% олова и 30% свинца). Скорость осаждения при комнатной температуре и плотности тока 2 А/дм2 составляет 1 мкм/мин. Содержание олова в осадке возрастает при понижении плотности тока, увеличении количества вводимых добавок и снижении температуры электролита.
Процессы химической и электрохимической металлизации осуществляются на установках и линиях, предназначенных для различных типов производств.