
- •1. Классификация полупроводниковых материалов.
- •1. Явления поляризации в диэлектриках. Виды поляризации. Диэлектрическая проницаемость и диэлектрические потери.
- •4. Стеклообразные диэлектрики, их свойства и применение.
- •5. Неполярные, полярные и термостойкие органические диэлектрики.
- •6. Конструкционные металлические сплавы на основе Fe, Al, Cu
- •7. Композиционные листовые пластмассы. Материалы для оснований печатных плат вч и свч диапазонов.
- •2.5. Композиционные, наполненные пластмассы
- •2.5.2. Наполнители
- •2.5.3. Пластмассы с листовым наполнителем
- •2.5.4. Листовые материалы для производства печатных плат
- •8. Сегнетоэлектрики
- •12. Керамика, особенности структуры и основные характеристики установочной и конденсаторной керамики.
- •2. Керамика
- •3.3.2. Конденсаторная керамика
- •14. Зонная структура металла, концентрация и подвижность носителей заряда в металле.
- •15. Эпитаксиальный рост пленок полупроводника.
- •16 Анализ p–n перехода, физика работы диода.
- •18. Ионная имплантация примесей в полупроводник.
- •22. Ионно-плазменное осаждение тонких пленок.
- •27.Усилительные каскады на биполярных и полевых транзисторах.
- •1.2 Эквивалентные схемы резисторного каскада на различных частотах
- •31 Ескд. Виды и комплектность конструкторской документации.
- •33. Конструктивные, технологические и эксплуатационные требования к эс
- •34. Стадии и этапы проектирования электронных средств и разработки технической документации.
- •35. Особенности проектирования эс
- •39. Унифицированные базовые конструкции и их влияние на качество и себестоимость.
- •IV. Унификация.
- •41. Защита рэс от атмосферных воздействий.
- •42. Защитные покрытия, их классификация и основные характеристики. Виды и материалы покрытий.
- •44. Обеспечение надежности рэс в процессе проектирования и производства рэс.
- •45. Статистический ряд и его обработка при управлении качеством
- •46. Международные стандарты по управлению качеством.
- •47. Математическая модель биполярного транзистора, ее основные элементы
- •50. Структура и состав сапр. Состав и возможности современных пакетов проектирования рэс.
- •54. Топологическое проектирование рэс (компоновка, размещение, трассировка), как задачи структурной оптимизации.
- •57. Амплитудная модуляция
- •58. Обобщенная трехточечная схема автогенератора
- •58. Транзисторные автогенераторы
- •1.5 Кварцевые автогенераторы
- •61. Физическая сущность процесса детектирования амплитудно-модулированных сигналов
- •В этом случае ток, протекающий через диод будет иметь им-
- •1.4 Схемы диодных детекторов Различают последовательную (рис. 2.5) и параллельную (рис. 2.6) схемы построения диодных детекторов.
- •1.5 Нелинейные искажения в детекторе больших амплитуд
- •1.6 Линейное детектирование в амплитудных детекторах
- •Тогда ток, протекающий в цепи диода, равен
- •Определим среднее значение тока в цепи диода
- •Пусть на вход детектора подан ам- сигнал
- •Определим коэффициент детектирования
- •С учетом выражений (2.6) и (2.4) запишем
- •64. Принцип факсимильной передачи сообщений.
- •65. Типизация технологических процессов. Типовые и групповые технологические процессы.
- •69.Типы и свойства нефольгированных и фольгированных диэлектриков, используемых для изготовления печатных плат.
- •70. Методы изготовления пп по субтрактивной технологии.
- •71. Методы изготовления пп по аддитивной технологии
- •74. Методы изготовления мпп
- •4.3.1.1. Метод металлизации сквозных отверстий
- •4.3.1.2. Метод открытых контактных площадок
- •4.3.1.3. Мпп с выступающими выводами
- •4.3.1.4. Метод попарного прессования
- •4.3.1.5. Метод послойного наращивания
- •4.3.2. Мпп прецизионные на фолыированном основании
- •4.3.4. Мпп прецизионные на нефольгированном основании
- •4.3.5. Мпп изготовленные методом пафос
- •75. Металлизация диэлектриков
- •77. Схемы технологических процессов
- •80. Методы и технология монтажной пайки.
- •81. Пайка одиночной и двойной волной припоя.
- •82. Конвекционная пайка. Температурный профиль пайки. Инфракрасная пайка.
- •83. Производственные погрешности, причины возникновения и законы распределения.
- •84. Задачи технологической подготовки рэс. Стандарты единой системы технологической подготовки производства и их классификация
- •Прогрессивных технологических процессов (тп),
- •Основные функции тпп. Задачи тпп, решаемые на стадиях проектирования
- •88. Изготовление деталей из керамических материалов.
- •Дополнительные операции.
- •89. Теплопроводность (кондуктивный перенос тепла)
- •3.1. Закон Фурье
- •3.2. Тепловые коэффициенты. Тепловые сопротивления. Метод электротепловых аналогий
- •3.3. Теплопередача цилиндрической, однородной стенки (трубы)
- •91. Конвективный теплообмен. Закон Ньютона-Рихмана.
- •92. Теплообмен излучением. Перенос тепла излучением.
- •Закон Ламберта -Этот закон определяет значение плотности потока излучения е в зависимости от его направления по отношению к равномерно излучающей поверхности тела.
- •93. Влагообмен в рэс Первый и второй закон Фика.
- •97. Классификация систем охлаждения рэа
- •11.2.1. Контактный способ охлаждения
- •11.2.2. Естественное воздушное охлаждение
- •11.2.3. Принудительное воздушное охлаждение
- •11.2.4. Жидкостные системы
74. Методы изготовления мпп
4.3.1.1. Метод металлизации сквозных отверстий
Метод металлизации сквозных отверстий (МСО) применяется для изготовления жестких, гибких и гибко-жестких МПП.
Технологический процесс изготовления МПП методом МСО включает:
изготовление отдельных односторонних или двусторонних слоев с рисунком и металлизированными отверстиями (или без отверстий);
сборку и прессование пакета, состоящего из отдельных слоев, склеивающих прокладок между ними, экранов (при необходимости);
сверление сквозных отверстий в спрессованном пакете;
получение рисунка наружных слоев и металлизацию сквозных отверстий.
Электрическая связь между слоями осуществляется при помощи переходных отверстий между внутренними слоями и сквозных отверстий между наружными слоями, металлизированные стенки которых соединены с элементами печатного рисунка внутренних слоев (см. рис. 4.27).
Метод МСО является базовым ТП изготовления МПП.
Одним из узких мест МПП, изготовленных ММСО, является плохой контакт торцев контактных площадок внутренних слоев с металлизированным отверстием, что объясняется малой площадью контакта и наличием пленки эпоксидной смолы, наволакиваемой на стенки отверстий при сверлении. Для увеличения площади контакта и очистки отверстий перед металлизацией проводят операцию подтравливания диэлектрика в отверстиях (см. табл. 4.24, п. 14). Наиболее часто применяют последовательную обработку в серной и плавиковой кислотах или в их смеси. В результате этой обработки контактные площадки внутренних слоев частично обнажаются и выступают в отверстиях (рис. 4.31, а). После выполнения операций химического, гальванического меднения и нанесения металлорезиста значительно увеличивается площадь контакта контактных площадок внутренних слоев с металлизированным отверстием (рис. 4.31, б).
Рис. 4.31. Сечение отверстия МПП: а — с подтравленным диэлектриком до металлизации (/ — подтравленные препреги; 2 — подтравленный диэлектрик внутренних слоев МПП; 3 -выступающие контактные площадки внутренних слоев); б — с подтравленным диэлектриком после металлизации (/ — слой МПП; 2 — проводник внутреннего слоя; 3 — контактные площадки внутренних слоев МПП; 4— слой химико-гальванической меди; 5— слой металлоре-зиста; 6— проводник внешнего слоя; 7 — препрег)
При изготовлении внутренних слоев МПП методом МСО применяют:
комбинированный позитивный метод — для двусторонних слоев с переходными отверстиями (см. табл. 4.7);
химический негативный метод — для слоев без отверстий (см. табл. 4.2);
тентинг-метод — для двусторонних слоев с переходными отверстиями.
Метод МСО разработан много лет назад и находится в постоянном развитии. С учетом последних разработок к особенностям приведенной технологической схемы метода МСО относятся:
• применение лазера при получении переходных, крепежных отверстий и обработке по контуру (см. табл. 4.24, п. 24) для повышения точности и качества обработки;
подготовка поверхности слоев и пакетов водной суспензией пемзового абразива перед нанесением фоторезиста, а также перед прессованием, что исключает применение агрессивных сред, используемых при химической подготовке поверхности;
применение магнетронного напыления на стадии предварительной металлизации переходных и сквозных отверстий, которое заменяет использование токсичных растворов химической меди на сухой без отходный процесс;
применение прямой металлизации отверстий, исключающей процесс нанесения подслоя химической меди (см. разд. 5.5.2.1);
оксидирование и сушка в инертной среде для удаления влаги при подготовке слоев перед прессованием для повышения прочности и качества сцепления слоев;
применение плазменной очистки сквозных отверстий вместо подтравливания диэлектрика в смеси концентрированных серной и плавиковых кислот;
применение тентинг-процесса при изготовлении двусторонних слоев;
применение SMOTL или SMOBC-процессов при получении рисунка наружных слоев и сквозных металлизированных отверстий и др.
Достоинства ММСО:
возможность передачи наносекундных сигналов без искажения за счет наличия экранирующих слоев и изоляционных прокладок между сигнальными слоями;
короткие электрические связи;
возможность увеличения числа слоев без значительного возрастания продолжительности технологического цикла и стоимости;
возможность электрического экранирования;
• устойчивость к внешним воздействиям и др. Недостатки ММСО:
малая площадь контакта сквозного металлизированного отверстия с торцами контактных площадок внутренних слоев, что может привести к разрыву электрических цепей при пайке ЭРИ или в процессе эксплуатации при механических и термических воздействиях;
низкое качество химической меди, которую применяют в качестве под слоя перед гальваническим меднением элементов печатного рисунка;
значительная разница ТКЛР меди, диэлектрика и смолы и пр.