- •1. Классификация полупроводниковых материалов.
- •1. Явления поляризации в диэлектриках. Виды поляризации. Диэлектрическая проницаемость и диэлектрические потери.
- •4. Стеклообразные диэлектрики, их свойства и применение.
- •5. Неполярные, полярные и термостойкие органические диэлектрики.
- •6. Конструкционные металлические сплавы на основе Fe, Al, Cu
- •7. Композиционные листовые пластмассы. Материалы для оснований печатных плат вч и свч диапазонов.
- •2.5. Композиционные, наполненные пластмассы
- •2.5.2. Наполнители
- •2.5.3. Пластмассы с листовым наполнителем
- •2.5.4. Листовые материалы для производства печатных плат
- •8. Сегнетоэлектрики
- •12. Керамика, особенности структуры и основные характеристики установочной и конденсаторной керамики.
- •2. Керамика
- •3.3.2. Конденсаторная керамика
- •14. Зонная структура металла, концентрация и подвижность носителей заряда в металле.
- •15. Эпитаксиальный рост пленок полупроводника.
- •16 Анализ p–n перехода, физика работы диода.
- •18. Ионная имплантация примесей в полупроводник.
- •22. Ионно-плазменное осаждение тонких пленок.
- •27.Усилительные каскады на биполярных и полевых транзисторах.
- •1.2 Эквивалентные схемы резисторного каскада на различных частотах
- •31 Ескд. Виды и комплектность конструкторской документации.
- •33. Конструктивные, технологические и эксплуатационные требования к эс
- •34. Стадии и этапы проектирования электронных средств и разработки технической документации.
- •35. Особенности проектирования эс
- •39. Унифицированные базовые конструкции и их влияние на качество и себестоимость.
- •IV. Унификация.
- •41. Защита рэс от атмосферных воздействий.
- •42. Защитные покрытия, их классификация и основные характеристики. Виды и материалы покрытий.
- •44. Обеспечение надежности рэс в процессе проектирования и производства рэс.
- •45. Статистический ряд и его обработка при управлении качеством
- •46. Международные стандарты по управлению качеством.
- •47. Математическая модель биполярного транзистора, ее основные элементы
- •50. Структура и состав сапр. Состав и возможности современных пакетов проектирования рэс.
- •54. Топологическое проектирование рэс (компоновка, размещение, трассировка), как задачи структурной оптимизации.
- •57. Амплитудная модуляция
- •58. Обобщенная трехточечная схема автогенератора
- •58. Транзисторные автогенераторы
- •1.5 Кварцевые автогенераторы
- •61. Физическая сущность процесса детектирования амплитудно-модулированных сигналов
- •В этом случае ток, протекающий через диод будет иметь им-
- •1.4 Схемы диодных детекторов Различают последовательную (рис. 2.5) и параллельную (рис. 2.6) схемы построения диодных детекторов.
- •1.5 Нелинейные искажения в детекторе больших амплитуд
- •1.6 Линейное детектирование в амплитудных детекторах
- •Тогда ток, протекающий в цепи диода, равен
- •Определим среднее значение тока в цепи диода
- •Пусть на вход детектора подан ам- сигнал
- •Определим коэффициент детектирования
- •С учетом выражений (2.6) и (2.4) запишем
- •64. Принцип факсимильной передачи сообщений.
- •65. Типизация технологических процессов. Типовые и групповые технологические процессы.
- •69.Типы и свойства нефольгированных и фольгированных диэлектриков, используемых для изготовления печатных плат.
- •70. Методы изготовления пп по субтрактивной технологии.
- •71. Методы изготовления пп по аддитивной технологии
- •74. Методы изготовления мпп
- •4.3.1.1. Метод металлизации сквозных отверстий
- •4.3.1.2. Метод открытых контактных площадок
- •4.3.1.3. Мпп с выступающими выводами
- •4.3.1.4. Метод попарного прессования
- •4.3.1.5. Метод послойного наращивания
- •4.3.2. Мпп прецизионные на фолыированном основании
- •4.3.4. Мпп прецизионные на нефольгированном основании
- •4.3.5. Мпп изготовленные методом пафос
- •75. Металлизация диэлектриков
- •77. Схемы технологических процессов
- •80. Методы и технология монтажной пайки.
- •81. Пайка одиночной и двойной волной припоя.
- •82. Конвекционная пайка. Температурный профиль пайки. Инфракрасная пайка.
- •83. Производственные погрешности, причины возникновения и законы распределения.
- •84. Задачи технологической подготовки рэс. Стандарты единой системы технологической подготовки производства и их классификация
- •Прогрессивных технологических процессов (тп),
- •Основные функции тпп. Задачи тпп, решаемые на стадиях проектирования
- •88. Изготовление деталей из керамических материалов.
- •Дополнительные операции.
- •89. Теплопроводность (кондуктивный перенос тепла)
- •3.1. Закон Фурье
- •3.2. Тепловые коэффициенты. Тепловые сопротивления. Метод электротепловых аналогий
- •3.3. Теплопередача цилиндрической, однородной стенки (трубы)
- •91. Конвективный теплообмен. Закон Ньютона-Рихмана.
- •92. Теплообмен излучением. Перенос тепла излучением.
- •Закон Ламберта -Этот закон определяет значение плотности потока излучения е в зависимости от его направления по отношению к равномерно излучающей поверхности тела.
- •93. Влагообмен в рэс Первый и второй закон Фика.
- •97. Классификация систем охлаждения рэа
- •11.2.1. Контактный способ охлаждения
- •11.2.2. Естественное воздушное охлаждение
- •11.2.3. Принудительное воздушное охлаждение
- •11.2.4. Жидкостные системы
70. Методы изготовления пп по субтрактивной технологии.
В рамках отмеченных технологий можно выделить следующие методы изготовления ПП: сеточнохимический и фотохимический (субтрактивная технология; «химический» означает травление меди);
Для изготовления фотошаблонов разработаны многие типы ультрафиолетовых и лазерных фотоплоттеров. В ультрафиолетовых фотоплоттерах высокоинтенсивный луч от источника ультрафиолетового излучения передается по волоконному оптическому световоду на «световое перо», которое сканирует по поверхности фотопленки. После засвечивания пленка быстро проявляется и закрепляется как обычная фотопленка.
На сегодняшний день лучшими являются лазерные фотоплоттеры, удовлетворяющие требованиям мировых стандартов. Они обеспечивают сверхвысокую точность и повторяемость изображения, полученного на фотопленке. Основные технические характеристики наиболее совершенного лазерного фотоплоттера FineTrak TM приведены ниже:
- источник лазера– красный диодный лазер;
- количество лазеров – 1, 2 или 3;
- максимальный размер изображения 760×630 мм;
- точность – 12,5 мкм;
- повторяемость – 5 мкм;
- минимальная ширина печатного проводника – 25 мкм;
- производительность – 55 пленок в час.
Сетчатые трафареты изготавливают из сеток, которые удовлетворяют следующим требованиям:
- размер ячеек в 1,5-2 раза больше толщины нитей;
- нити сетки должны быть прочными на разрыв, устойчивыми к истиранию, эластичными и не растягиваться;
- ячейки ткани не должны взаимодействовать с растворителями краски. В наибольшей степени соответствуют указанным требованиям долговечные сетки, из нержавеющей стали или фосфористой бронзы с размером ячеек от 40 до 50 мкм и эластичные сетки из капрона, лавсана и металлизированного нейлонового волокна.
Сетку натягивают на раму с относительной деформацией, не превышающей 6-8% для капрона, 5-7% для фосфористой бронзы и 2-3% для нержавеющей стали.
После обезжиривания сетку совмещают с временной подложкой из полиэтилентерефталатной пленки и пластины оргстекла, а затем наносят на нее фотополимер методом полива. Фотополимер подсушивают, экспонируют через фотошаблон, проявляют и задубливают. Заключительная операция – контроль качества; признаком хорошего качества сетчатого трафарета является отсутствие точечных дефектов (непокрытий) на монолитных участках из фотополимера и его остатков на участках, через которые наносится краска на поверхность заготовки ПП.
71. Методы изготовления пп по аддитивной технологии
Все что есть.Выбирать.
Класс точности печатного монтажа зависит от характеристик конструкционных материалов и совершенства технологии изготовления ПП. В настоящее время производство ПП базируется на трех технологиях: субтрактивной, аддитивной и полуаддитивной. При субтрактивной технологии печатные проводники и контактные площадки получают в процессе избирательного травления медной фольги, нанесенной на поверхность диэлектрика. При травлении медь удаляется с пробельных участков, непредназначенных для электрического соединения выводов компонентов, и остается на поле, соответствующему рисунку (конфигурации) печатных проводников. Аддитивная технология предполагает избирательное осаждение меди на поверхности нефольгированного диэлектрика. Существуют две разновидности полуаддитивной технологии. Одна из них предусматривает химическую металлизацию нефольгированного диэлектрика (толщина меди 2 - 3 мкм), формирование защитного покрытия на пробельных участках, наращивание меди на поле проводников толщиной 20-30 мкм химико-гальваническим способом, удаление защитного покрытия и травление меди по всей поверхности заготовки ПП до ее удаления с пробельных участков. Другая разновидность полуаддитивной технологии отличается только тем, что заготовкой ПП является диэлектрик с тонким слоем меди (5 мкм), выступающим в качестве проводящего покрытия для последующей избирательной электрохимической металлизации.
В общем случае метод изготовления ПП включает способ формирования защитного покрытия и способ получения печатных проводников (т.е способ получения покрытия для последующего избирательного осаждения меди или избирательного травления медной фольги). Основными способами создания негативного или позитивного рисунка печатного монтажа является сеткография и фотоспособ (нанесение фоторезиста не поверхность проводников). При сеткографическом способе рисунок печатного монтажа получается путем нанесения краски через сетчатый трафарет, а в основе способа фотопечати лежат фотографические процессы, в результате которых на поверхности заготовки ПП образуется негативный или позитивный рисунок из фоторезиста. В рамках отмеченных технологий можно выделить следующие методы изготовления ПП: сеточнохимический и фотохимический (субтрактивная технология; «химический» означает травление меди); сеточноэлектрохимический и фотоэлектрохимический (аддитивная и полуаддитивная технология).
Сеточнохимический и сеточноэлектрохимический методы используют для изготовления ПП 1 и 2 классов; если требуется ПП с более высокой плотностью печатного монтажа, то применяют методы, сочетающие, фотопечать с химической или электрохимической обработкой заготовок ПП.
Недостаток методов субтрактивной технологии состоит в большом расходе меди (особенно при низкой плотности печатного монтажа и большой толщине медной фольги) и невозможности металлизации отверстий. Однако они не требуют сложной технологии, что характерно для методов аддитивной технологии. К недостатку методов аддитивной технологии следует также отнести низкую адгезию печатных проводников к диэлектрику и более высокое их электросопротивление по сравнению с печатными проводниками, получаемыми по субтрактивной технологии, вследствие того, что химические и электрохимические процессы не обеспечивают нанесения беспористых покрытий. Так, по данным /2/ сопротивление чистой меди составляет 1,52 мкОм·см, а при ее химическом и электрохимическом осаждении величина сопротивления возрастает до 1,81 мкОм·см.
Субтрактивная и аддитивная технологии заложены в комбинированном позитивном методе и в методе Тентинг /1/. Печатные проводники получают по субтрактивной технологии, а отверстия металлизируют по аддитивной технологии. Методы различаются способами защиты металлизированных отверстий перед травлением меди с пробельных участков. В случае комбинированного позитивного метода на поверхности отверстий осаждают металлорезист (сплав олово-свинец), а при методе Тентинг создают завески над отверстиями из сухого пленочного фоторезиста.